Соединения кадмия – C01G 11/00

Изобретение может быть использовано в неорганической химии. Способ получения кристаллического сульфида кадмия включает помещение сульфатредуцирующих бактерий в синтетическую среду, содержащую металлы, и добавление питательных веществ, включающих в себя растворы витаминов, солей, кофакторов. При культивировании используют сульфатредуцирующие бактерии Desulfovibrio sp. A2, и синтетическую среду, содержащую источник ионов кадмия - раствор хлорида кадмия. Концентрация ионов кадмия в синтетической среде 150 мг/л. В емкость для культивирования помещают алюминиевую фольгу, культивирование проводят при температуре 28°C в течение 18 суток. Собранный с фольги и со дна флакона осадок, содержащий кристаллы сульфида кадмия, высушивают. Изобретение позволяет получить сульфид кадмия из сточных вод и жидких отходов металлургических предприятий. 2 ил., 3 табл., 1 пр.

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Способ получения высокочистого карбоната кадмия включает обработку водным раствором аммиака предварительно очищенного водного раствора нитрата кадмия, последующую карбонизацию промежуточного продукта - аммиаката кадмия газообразным диоксидом углерода и выделение конечного продукта. При этом 15-30% водный раствор нитрата кадмия обрабатывают 25-30% водным раствором аммиака при объемном соотношении раствора аммиака к раствору нитрата кадмия (0,62-0,65):1. Карбонизацию проводят пропусканием газообразного диоксида углерода через реакционную массу со скоростью 0,10-0,28 л/мин. Выделенный осадок карбоната кадмия промывают дистиллированной водой и сушат при 100-110°C. Изобретение позволяет получить высокочистый карбонат кадмия с содержанием основного вещества на уровне 99,40 масс.% и выходом 94,50-95,00%, пригодный для изготовления оптических стекол. 2 табл., 7 пр.

Изобретение может быть использовано в неорганической химии. Способ очистки нитрата кадмия включает растворение кристаллического нитрата кадмия в дистиллированной воде и добавление к полученному раствору нитрата кадмия при перемешивании водного раствора гидроксида натрия, взятого в количестве, составляющем 4,4-6,0% от стехиометрически необходимого для полного осаждения гидроксида кадмия. После этого отфильтровывают выпавший осадок гидроксида кадмия, а водный раствор нитрата кадмия дополнительно обрабатывают азотной кислотой до рН 2, затем упаривают и подвергают кристаллизации при рН 2 и выделяют центрифугированием. Изобретение позволяет получить нитрат кадмия высокой степени чистоты, содержащий примеси металлов на уровне 10^-5-10^-6 мас.%. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 5 пр.

Изобретение может быть использовано в аналитической химии. Для получения раствора сульфата кадмия амальгаму кадмия обрабатывают раствором сернокислой меди при соотношении ионов меди в растворе и кадмия в амальгаме, равном 1:2,5. Изобретение позволяет приготовить растворы сульфата кадмия различной концентрации и высокой степени чистоты. 2 пр.

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Дальнейшая полимеризация полученных дисперсий позволяет получать блочные оптически прозрачные флюоресцирующие композиционные материалы. Изобретение может быть использовано при производстве диодных лазеров, при изготовлении осветительных источников, светофильтров, дисплеев, сред с нелинейным поглощением, фотодетекторов и в других областях, где необходимо преобразование энергии. Способ заключается в приготовлении раствора, содержащего соли кадмия, растворенные в мономерах акрилового ряда, и приливании к нему раствора сероводорода в метилметакрилате при одновременном перемешивании и облучении реакционной среды излучением в УФ-видимом диапазоне. В качестве прекурсора, вводимого в среду метилметакрилата, используют карбонат кадмия, предварительно растворенный в метакриловой кислоте, и дополнительно продувают реакционную среду в момент освещения и приливания сероводорода в метилметакрилате газообразным аргоном в течение одной минуты со скоростью подачи газа 0,2 и более литра в минуту. В качестве сомономера метилметакрилата можно использовать второй мономер 2-гедроксиэтилметакрилат при следующем массовом соотношении компонентов, ММА_(1-x) :ГЭМА_х, где 0<х<1. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к технологии получения наноматериалов, в частности наночастиц теллурида кадмия, и может быть использовано для создания оптических приборов, детекторов ионизирующих излучений, катализаторов. Исходные монокристаллы теллурида кадмия разлагают в расплаве щелочей: гидроокиси натрия или калия, в атмосфере азота до гомогенизации расплава, который затем охлаждают до 0°С, обрабатывая водой с постепенным добавлением соляной кислоты до получения значения рН конечного раствора, равного 2-3, при температуре не выше 1-5°С и осадка теллурида кадмия с размером наночастиц около 2 нм со структурой сфалерита, который затем отфильтровывают. Технический результат состоит в упрощении технологии, уменьшении размеров получаемых наночастиц до 2 нм и получении их в стабильной кубической фазе (сфалерита).

Изобретение может быть использовано для производства фотоэлементов солнечных батарей, для создания оптических приборов, детекторов ионизирующих излучений и катализаторов. Способ получения наночастиц теллурида кадмия со структурой вюртцита включает разложение кристаллов теллурида кадмия в расплаве гидроокиси калия или натрия в атмосфере азота до полной гомогенизации полученного продукта. Расплав охлаждают до (-15)-(-20)°С и постепенно добавляют при перемешивании и охлаждении водно-спиртово-аммиачную смесь с температурой (-15)-(-20)°С до получения конечного раствора с температурой не выше -5°С. Выпавший осадок теллурида кадмия отфильтровывают. Изобретение позволяет получить наночастицы теллурида кадмия со структурой вюртцита и размером около 1 нм и упростить технологию их получения.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, и может быть использовано в технологии полупроводников, в том числе, для создания детекторов ионизирующих излучений.

Сущность изобретения: нанопорошок теллурида кадмия со средним размером частиц 7-10 нм загружают в пресс-форму и помещают в камеру пресса. Образец нагружают до давления 600-650 МПа при температурах 20-25°С, а затем выдерживают под давлением в течение 10-30 минут. Получают объемный материал, обладающий высокой механической твердостью, составляющей 1200 МПа, что превышает твердость полученных известными способами кристаллов CdTe не менее чем в 2.5 раза. 1 табл.

Изобретение относится к технологии получения халькогенидов цинка и кадмия, пригодных для изготовления оптических деталей, прозрачных в широкой области спектра. Сущность изобретения способа заключается в изготовлении образцов из расплава, рекристаллизационным прессованием порошков или парофазным осаждением и последующей их температурной обработки в расплаве олова. Причем перед термообработкой предварительно поверхность каждого образца покрывают слоем вязкой суспензии, обладающей адгезионным свойством по отношению к обрабатываемому материалу и состоящей в своей основе из инертного вещества, с включением в нее частиц материала основного компонента обрабатываемого халокогенида цинка или кадмия. Нанесенную на поверхность образца суспензию подсушивают перед погружением в олово. Целесообразно в качестве инертной массы вязкой суспензии использовать глиноподобное вещество, например каолин. Технический результат, заключающийся в улучшении оптических характеристик заготовок из халькогенидов цинка и кадмия, решается с помощью создания оптимальных технологических условий термообработки, включая снижение потерь материала при этой обработке, обеспечением максимально возможных безвредных условий и упрощением процесса термообработки. 7 з.п. ф-лы, 2 табл.