Соединения галлия, индия или таллия – C01G 15/00

Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению сульфидов р-элементов III группы Периодической системы, являющихся перспективными материалами для полупроводниковой оптоэлектронной техники и инфракрасной оптики. Сульфиды р-элементов III группы Периодической системы получают взаимодействием серы и соответствующего р-элемента в вакуумированной кварцевой ампуле, при этом р-элемент используют в виде соответствующего йодида, синтез ведут в 2х-секционной ампуле, исходные компоненты помещают в нижнюю секцию, которую нагревают до температуры 250-400°С, после чего полученный сульфид прокаливают при температуре не выше 700°С. За счет проведения синтеза при достаточно низкой температуре способ позволяет существенно снизить загрязняющее действие материала аппаратуры. Изобретение позволяет получать особо чистые сульфиды р-элементов III группы Периодической системы, в которых содержание примесей переходных металлов, по данным масс-спектрального анализа, не превышает 0.5 ppm wt. Максимально возможный выход продукта составляет 82-97%. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 пр.

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Получение наночастиц оксида галлия Ga₂ O₃ осуществляют смешением 0,1 М водного раствора Ga(NO ₃)₃·8Н₂О со сверхкритической водой. Реакцию проводят при температуре 365-384°С и при давлении 220-240 атмосфер. Отношение объема раствора соли галлия к объему сверхкритической воды равно, предпочтительно, 2:10. Изобретение позволяет получить технический результат, заключающийся в синтезе наночастиц оксидов металлов и создании экологически чистой безотходной технологии. 1 з.п. ф-лы, 1 пр., 2 ил.

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем и цинком антимонидам индия, которые могут найти применение в спинтронике, где электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнито-оптоэлектронных приборов. Предлагается магнитный полупроводниковый материал, который включает индий, сурьму, марганец и цинк, представляет собой соединение антимонид индия InSb, легированное марганцем в количестве 0,12÷0,19 мас.% Мn и цинком в количестве 0,71÷1,12 мас.% Zn, и отвечает формуле InSb<Mn,Zn>. Изобретение позволяет получать материал, характеризующийся температурой Кюри 320 К, сочетающий полупроводниковые и ферромагнитные свойства. 2 ил., 2 табл., 3 пр.

Изобретение относится к области химической технологии неорганических материалов. Способ активирования алюминия включает погружение образца алюминия в галламу в интервале температур плавления галламы и/или алюминия в присутствии ультразвуковых колебаний. Устройство для активирования алюминия содержит ультразвуковой излучатель, ультразвуковой генератор, датчик выходного тока генератора, компаратор и командное устройство. Рабочий торец ультразвукового излучателя акустически связан с торцевой поверхностью образца алюминия. Вход возбуждения излучателя через датчик тока подсоединен к выходу ультразвукового генератора, а выход датчика тока через компаратор подключен к останавливающему входу командного устройства, выход которого подсоединен к управляющему входу ультразвукового генератора. Технический результат - повышение выхода и качества целевых продуктов и повышение экологической безопасности производства. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил.

Изобретение может быть использовано в производстве материалов, способных обеспечивать защиту от теплового излучения. Оксид цинка содержит галлий в диапазоне от 0,25 до 25 вес.% и имеет плотность n_e носителей заряда, составляющую 2×10²⁰/см³ или выше, и подвижность µ носителей заряда в диапазоне от 0,1 до 40 см² /В·с. Тонкая пленка из указанного галлийсодержащего оксида цинка имеет толщину 5 мкм или меньше, а также степень пропускания солнечного излучения Ts и степень пропускания видимого светового излучения Tv, удовлетворяющие неравенству Ts 1,4Tv-39. Тонкая пленка из галлийсодержащего оксида цинка удовлетворяет условию Y 0,4Х+1,06 при толщине пленки 400 нм или больше и условию Y 0,2Х+0,98 при толщине пленки 300 нм или меньше, где Х = плотность носителей заряда ×10^-20/подвижность носителей заряда и Y представляет собой значение Tv/Ts. Изобретение позволяет получить галлийсодержащий оксид цинка, обладающий свойством защиты от теплового излучения при сохранении высокой прозрачности для видимого светового излучения, 5 н. и 17 з.п. ф-лы, 10 ил., 6 табл.

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике. Магнитный полупроводниковый материал представляет собой соединение селенида меди, галлия и хрома, соответствующее химической формуле CuGaCr₂Se₅, и характеризуется температурой Кюри 318 К. Изобретение позволяет получить материал с температурой Кюри выше комнатной, обладающий как ферромагнитными, так и полупроводниковыми свойствами. 1 ил.

Изобретение может быть использовано в технике для получения источников -излучения и в медицине при изготовлении препаратов для диагностики болезней сердца и мозга. Металлический таллий, содержащий примеси других элементов, растворяют в серной кислоте с концентрацией 90-100 г/л. Раствор упаривают, охлаждают и отфильтровывают осадок. Полученный раствор, содержащий сульфат таллия, фильтруют и упаривают. Через раствор пропускают газообразный сероводород и осаждают сульфиды тяжелых металлов. Электролизом выделяют металлический таллий. Полученный металл растворяют в азотной кислоте и разбавляют водой до концентрации таллия 60-80 г/л. Добавляют гидроксид калия до рН 10. Электролитическим способом осаждают на аноде оксид таллия (III) и металлический таллий на катоде. Плотность тока на аноде 0,25-1,00 А/см², на катоде соответственно 0,05-3,00 А/см². Изобретение позволяет получить оксид таллия и металлический таллий с содержанием примесей не более 0,0048%, обеспечить выход целевого продукта от 84,2 до 99,6%, уменьшить образование фильтратов и загрязнение окружающей среды. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Расплавленный металлический галлий взаимодействует с водой при диспергировании, с подачей перекиси водорода концентрацией более 30 мас.% с равномерной скоростью 200-250 мл/ч на килограмм расплавленного галлия в течение 3-6 часов до окисления галлия. Взаимодействие проводят в одну стадию при соотношении галлия к воде (0,8-1,0):(1,2-1,5). Полученный кристаллогидрат галлия сушат и прокаливают до получения оксида галлия. Заявленное изобретение позволяет получить мелкодисперсньй оксид галлия с выходом фракции менее 1 мкм более 85% и с остаточным содержанием металлического галлия <0,0001%, существенно сократить энергозатраты, упростить оборудование и исключить вредные стоки. 1 з.п. ф-лы, 2 табл.

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Ультрадисперсный оксид галлия получают методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. При этом оксид галлия смешивают с металлическим галлием, с введением в смесь порошка гидрооксида галлия в соотношении 1:(0,136-0,148):(0,047-0,059) соответственно. Окисление металлического галлия проводят путем локального нагрева смеси в кислородсодержащем газе. Заявленное изобретение позволяет получить порошок оксида галлия высокого качества с размером частиц менее 1 мкм и с выходом данной фракции не менее 85%, с содержанием металлического галлия менее 10^-4. 1 табл.

Изобретение относится к способам синтеза полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения GaN. Предложен способ получения GaN, в котором выполняют реакционную камеру в виде двух соединенных между собой емкостей. В первую емкость загружают хлор в герметичном сосуде и металлический галлий, а во вторую емкость загружают нитрид лития и аммиак в герметичном сосуде. После этого вакуумируют и герметизируют камеру, далее вскрывают сосуд с хлором и нагревают первую емкость до 210-220°С. Затем вскрывают сосуд с нитридом лития и аммиаком и нагревают вторую емкость до 850-870°С, повторно герметизируют камеру и разделяют емкости. В результате в первой емкости находятся ненужные примеси, а во второй - твердый нитрид галлия. Предложенное изобретение позволяет получить чистый нитрид галлия и уменьшить загрязнение окружающей среды в результате исключения улетучивания веществ, используемых в процессе синтеза. 1 ил.

Изобретение относится к получению порошка нитрида галлия, который может быть использован в качестве компонента керамики при изготовлении полупроводниковых элементов конструкций. Способ получения ультрадисперсного порошка нитрида галлия включает сжигание смеси порошкообразного галлийсодержащего соединения с высокоэкзотермичным порошкообразным металлом в газовой среде. В качестве галлийсодержащего соединения используют жидкий металлический галлий или оксид галлия, в качестве высокоэкзотермичного металла используют алюминий, в качестве газовой среды для сжигания используют воздух. Полученный ультрадисперсный порошок нитрида галлия для полного удаления примесей подвергают химической обработке в растворах соляной или серной кислот с последующей промывкой дистиллированной водой. Изобретение позволяет упростить технологию синтеза порошка нитрида галлия и использовать воздух в качестве азотсодержащего реагента. 1 табл.

Изобретение может быть использовано в ядерной физике. Создают пучок атомов таллия, например, нагревом металлического таллия в испарительной камере до 600-660°С. Равновесное давление паров таллия 1-10 Па. Одновременно зажигают газовый разряд, посредством которого проводят первую стадию возбуждения атомов таллия - в метастабильное состояние, формируя пучок атомов таллия в возбужденном метастабильном состоянии. Затем приступают к реализации второй стадии возбуждения - лазерным изучением. Стадию возбуждения лазерным излучением проводят в две следующие друг за другом ступени. На первой ступени атомы таллия, находящиеся в возбужденном метастабильном состоянии, лазерным излучением с длиной волны, например, 535 нм, возбуждают в резонансное состояние. На второй ступени атомы требуемого изотопа таллия, находящиеся в возбужденном резонансном состоянии, лазерным излучением с длиной волны, например, 444 нм, переводят в состояния Ридберга. На обеих ступенях возбуждения лазерным излучением используют импульсный режим с длительностью импульсов, например, 5-10 нс. После многоступенчатого возбуждения атомы требуемого изотопа таллия ионизируют и извлекают из пучка посредством наложения поперечного электрического поля путем подачи напряжения в импульсном режиме, ограничивающем развитие сверхизлучения с уровней, соответствующих состоянию Ридберга. Предпочтительно, величина напряжения от 10 до 25 кВ, длительность импульсов от 30 до 100 нс. Весь процесс осуществляют в вакууме, характеризующемся уровнем, обеспечивающим протекание процессов для выделения изотопов таллия. Снижаются энергетические затраты, повышается качество лазерного луча. 18 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение может быть использовано в медицине при изготовлении препаратов для диагностики болезней сердца и опухолей. Способ изотопного разделения таллия включает этапы получения с помощью лазерной системы фотонов первой частоты, соответствующей длине волны 378 нм; фотонов второй частоты, соответствующей длине волны 292 нм; и фотонов третьей частоты, соответствующей длине волны в интервале от 700 нм до 1400 нм. Фотоны первой частоты получают с помощью одного или более лазеров непрерывного действия. Фотоны второй и третьей частот получают с помощью одного или более импульсных лазеров. Фотоны первой, второй и третьей частот применяют к атомному пару, содержащему множество изотопов таллия. Фотоны первой частоты изотопно-селективно накачивают множество атомов таллия, находящихся в основном состоянии, и переводят их через возбужденное состояние в метастабильное с энергией 7793 см^-1 через первое возбужденное состояние с энергией 26477,6 см^-1 относительно нулевой энергии основного состояния. Фотоны второй частоты возбуждают множество атомов таллия в метастабильном состоянии до промежуточного состояния, которое представляет собой второе возбужденное состояние, с энергией 42049,0 см^-1 или 42011,4 см^-1 относительно нулевой энергии основного состояния. Фотоны третьей частоты ионизируют множество атомов, находящихся в промежуточном состоянии. Накопление указанных изотопных ионов осуществляют приложением электрического поля к указанному пару. Изобретение позволяет эффективно разделять изотопы таллия с использованием малогабаритного оборудования. 9 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области материаловедения. Твердые электролиты являются незаменимыми материалами при высоких температурах для создании полностью твердотельных топливных элементов, миниатюрных аккумуляторов. Твердый электролит Tl₃LiHf₂ (MoO₄)₆ получен твердофазным синтезом. Удельная проводимость полученного соединения составляет 2,5·10 ^-3 Ом^-1·см^-1 (400⁰ С). 1 табл.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"СОЛОДОВНИКОВ С.Ф. и др. Образование фаз в системе Rb2MoO4-Li2MoO4-Hf(MoO4)2 и кристаллическая структура Rb5(Li1/3Hf5/3)(MoO4)6. Журнал неорганической химии, 2003, т.48, №7, с. 1197-1201.