Разделка охлажденного стекла: .резка бронированных или слоистых стеклянных изделий – C03B 33/07

Изобретение относится к двум вариантам способа отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла. В первом варианте сфокусированный лазерный луч направляют на кристалл так, что фокус расположен в плоскости отделения слоя, перпендикулярной оси упомянутого луча, и перемещают лазерный луч с осуществлением сканирования фокусом в плоскости отделения слоя в направлении от открытой боковой поверхности кристалла вглубь с формированием непрерывной прорези. Во втором варианте генерируют импульсное лазерное излучение, направляют сфокусированный лазерный луч на кристалл так, что фокус расположен в плоскости отделения слоя, перпендикулярной оси упомянутого луча, перемещают лазерный луч так, что фокус перемещается в плоскости отделения слоя с формированием неперекрывающихся локальных областей с нарушенной топологией структуры кристалла и с ослабленными межатомными связями. Упомянутые локальные области распределяют по всей упомянутой плоскости. К отделяемому слою прикладывают внешнее воздействие, разрушающее упомянутые ослабленные межатомные связи. Изобретение позволяет отделять плоские латеральные поверхностные слои от полупроводниковых кристаллов, в частности слои с полупроводниковыми приборными структурами от полупроводниковых кристаллов, и тонкие полупроводниковые шайбы от цилиндрических полупроводниковых буль. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 14 ил., 12 пр.