Формованные керамические изделия, характеризуемые их составом, керамические составы, обработка порошков неорганических соединений перед производством керамических изделий: ..на основе оксидов цинка, олова или висмута или их твердых растворов с другими оксидами, например цинкатов, станнатов или висмутатов – C04B 35/453
Патенты в данной категории
КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ВАРИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ЦИНКА
Изобретение относится к электронной технике, в частности к полупроводниковым керамическим материалам, и может быть использовано при производстве варисторов на основе оксида цинка. Сущность изобретения заключается в том, что керамический материал для варисторов на основе оксида цинка включает добавки оксидов Bi, Sb, Mn, Со, Si, Cr, Al, Zr, Y и дополнительно содержит оксид бора при следующем соотношении компонентов, мол.%: ZnO 94,00÷98,00, MnO2 0,20÷0,75, Co2O3 0,50÷1,00, Bi2O3 0,50÷1,60, Cr2O 3 0,10÷0,50, Sb2O3 0,50÷1,50, B2O3 0,01÷0,13, Al2O 3 0,005÷0,02, SiO2 0,03÷0,10, ZrO 2 0,01÷0,20, Y2O3 0,01÷0,20. Концентрации добавок ZrO2:Y2O3 соотносятся как 1:1÷1:3. Технический результат изобретения - обеспечение возможности применения варисторов на основе такого материала в высокоэнергетических цепях, содержащих элементы с малым запасом электрической прочности, за счет повышения допустимой рассеиваемой варистором энергии при снижении коэффициента защиты варистора благодаря снижению токов утечки. 2 табл. |
2514085 патент выдан: опубликован: 27.04.2014 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОЗРАЧНОЙ КЕРАМИКИ
Изобретение относится к сцинтилляционной технике, прежде всего к эффективным, быстродействующим сцинтилляционным детекторам. Описан способ получения прозрачной керамики, заключающийся в том, что предварительно в металлический порошкообразный цинк добавляют металлический порошкообразный магний, далее газофазным методом проводят синтез порошка для получения гранул в форме тетраподов и имеющих трехмерную наноструктуру, содержащую оксид магния в количестве 0,5-2,3 мас.%, затем полученную смесь подвергают горячему прессованию при температуре 1100-1200°C и давлении 100-200 МПа. Технический результат - увеличение светового выхода и уменьшение энергетических потерь. 2 ил., 3 пр. |
2494997 патент выдан: опубликован: 10.10.2013 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИШЕНИ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ЦИНКА
зобретение относится к области производства керамических материалов и предназначено для изготовления мишеней, являющихся источником материала для магнетронного, электронно-лучевого, ионно-лучевого и других методов нанесения пленок в микро-,опто- и наноэлектронике. В соответствии с заявленным способом изготовления композиционной мишени смесь, содержащую порошок оксида цинка и порошок металлического цинка, перетирают при температуре в интервале от 100°C до 150°C, а затем прессуют и обжигают. Прессование полученной смеси рекомендуется проводить при температуре в интервале от 100°C до 150°C, а температуру смеси обеспечивать СВЧ-нагревом. Обжиг проводят в интервале от 400 до 1450°C. Технический результат изобретения - получение мишени на основе оксида цинка с равномерным распределением в ней металлического цинка. 3 з.п. ф-лы, 3 пр., 3 ил. |
2491252 патент выдан: опубликован: 27.08.2013 |
|
ОКСИД ЦИНКА, СОДЕРЖАЩИЙ ГАЛЛИЙ
Изобретение может быть использовано в производстве материалов, способных обеспечивать защиту от теплового излучения. Оксид цинка содержит галлий в диапазоне от 0,25 до 25 вес.% и имеет плотность ne носителей заряда, составляющую 2×1020/см3 или выше, и подвижность µ носителей заряда в диапазоне от 0,1 до 40 см2 /В·с. Тонкая пленка из указанного галлийсодержащего оксида цинка имеет толщину 5 мкм или меньше, а также степень пропускания солнечного излучения Ts и степень пропускания видимого светового излучения Tv, удовлетворяющие неравенству Ts 1,4Tv-39. Тонкая пленка из галлийсодержащего оксида цинка удовлетворяет условию Y 0,4Х+1,06 при толщине пленки 400 нм или больше и условию Y 0,2Х+0,98 при толщине пленки 300 нм или меньше, где Х = плотность носителей заряда ×10-20/подвижность носителей заряда и Y представляет собой значение Tv/Ts. Изобретение позволяет получить галлийсодержащий оксид цинка, обладающий свойством защиты от теплового излучения при сохранении высокой прозрачности для видимого светового излучения, 5 н. и 17 з.п. ф-лы, 10 ил., 6 табл. |
2404124 патент выдан: опубликован: 20.11.2010 |
|
СПОСОБ СИНТЕЗА КЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ЦИНКА
Предложен способ синтеза керамики оксида цинка, предназначенной для использования в качестве керамических мишеней для магнетронного, электронно-лучевого и других методов нанесения прозрачных проводящих пленок. Спекание спрессованной смеси порошка оксида цинка с легирующими добавками, по крайней мере на первом этапе, производят при избыточном парциальном давлении цинка над парциальным давлением кислорода. Указанные условия достигаются, в частности, при осуществлении обжига в замкнутом объеме в присутствии металлического цинка, в замкнутом объеме в присутствии геттера кислорода, а также при обжиге в термостойких газонепроницаемых накладках как в вакууме, так и в атмосферном воздухе, или при обжиге в накладках с алюминиевой прокладкой. Первый этап обжига проводят при температуре не менее 900°С в течение не менее 1 часа. Предлагаемый способ дает возможность получать керамику на основе оксида цинка с достижением теоретически возможных плотностей и с высокой однородностью, что обеспечивает высокое качество слоев, наносимых из керамических мишеней. 11 з.п. ф-лы. |
2382014 патент выдан: опубликован: 20.02.2010 |
|
РАСПЫЛЯЕМАЯ МИШЕНЬ НА ОСНОВЕ ОКСИД ГАЛЛИЯ-ОКСИД ЦИНКА, СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОЗРАЧНОЙ ПРОВОДЯЩЕЙ ПЛЕНКИ И ПРОЗРАЧНАЯ ПРОВОДЯЩАЯ ПЛЕНКА
Изобретение относится к распыляемым мишеням высокой плотности из спеченного изделия на основе серий оксид галлия-оксид цинка. Мишень содержит 20-2000 млн.д. мас., оксида циркония и имеет объемное сопротивление 3,0 м ·см или менее. Способ формирования прозрачной проводящей пленки осуществляют путем распыления указанной мишени. Прозрачная проводящая пленка, сформированная на подложке путем распыления указанной мишени, имеет удельное сопротивление 5,0 м ·см или менее. Технический результат - повышение проводимости и объемной плотности мишени после спекания, предотвращение образования наростов и аномальных электрических разрядов. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил., 3 табл. |
2380455 патент выдан: опубликован: 27.01.2010 |
|
РАСПЫЛЯЕМАЯ МИШЕНЬ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ГАЛЛИЯ-ОКСИДА ЦИНКА, СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКОЙ ПРОЗРАЧНОЙ ПРОВОДЯЩЕЙ ПЛЕНКИ И ТОНКАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ПРОВОДЯЩАЯ ПЛЕНКА
Изобретение относится к распыляемой мишени для получения тонкой прозрачной проводящей пленки. Распыляемая спеченная мишень на основе оксида галлия-оксида цинка содержит 0,002-0,05 мас.% оксида алюминия и имеет плотность после спекания 5,55 г/см 3 или выше. В частных случаях осуществления изобретения распыляемая мишень содержит 0,1-10 мас.% оксида галлия, имеет удельное сопротивление 3,0 мОм·см или менее. Способ формирования тонкой прозрачной проводящей пленки на основе оксида галлия-оксида цинка, содержащей 0,002-0,05 мас.% оксида алюминия на подложке, включает распыление упомянутой спеченной мишени. Получается мишень с увеличенной после спекания плотностью, которая предотвращает образование наростов в процессе распылительного осаждения, а также подавляется возникновение аномального электрического разряда и частиц. 3 н. и 5 з.п. ф-лы, 3 ил., 3 табл. |
2376263 патент выдан: опубликован: 20.12.2009 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОЗРАЧНОЙ КЕРАМИКИ И СЦИНТИЛЛЯТОР НА ОСНОВЕ ЭТОЙ КЕРАМИКИ
Изобретение относится к сцинтилляционной технике, прежде всего к эффективным, быстродействующим сцинтилляционным детекторам, предназначенным для регистрации ионизирующих излучений: рентгеновских и гамма-квантов, и может быть использовано в медицине, промышленности, космической технике, научных исследованиях. Способ получения прозрачной керамики заключается в использовании оксида цинка либо оксида цинка с добавлением одного из элементов III группы: Ga, In или Al (в количестве 0,05-0,4 мас.%) в форме окислов или солей и их последующем прессовании при температуре 1150-1250°С и давлении 100-200 МПа. Сцинтиллятор включает рабочее тело, представляющее собой диск, одно из оснований которого служит окном для приема рентгеновского или гамма-излучения, а другое основание соединяют с окном фотоприемника. Рабочее тело выполнено из прозрачной керамики ZnO:Ga или ZnO:In, полученной вышеуказанным способом. Техническим результатом изобретения является достижение сверхкороткого времени высвечивания и высокого светового выхода сцинтиллятора. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 3 ил. |
2328755 патент выдан: опубликован: 10.07.2008 |
|
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ (ВАРИАНТЫ) Изобретение относится к керамическим материалам на основе окислов титана и может быть использовано в производстве многослойных высокочастотных термостабильных керамических конденсаторов с электродами на основе сплава, содержащего Ag и Pd, а также в производстве микроволновых фильтров. В основу настоящего изобретения положено решение задачи создания материала с низкой температурой спекания Тсп=1080-1120oС, достаточной для использования серебро-палладиевых электродов с содержанием серебра не менее 70%, имеющего диэлектрическую проницаемость е от 22 до 60, при обеспечении широкого диапазона возможных групп температурного коэффициента ТКЕ. Согласно первому объекту изобретения, высокочастотный керамический материал содержит оксиды при следующем соотношении компонентов, вес.%: оксид цинка 16,0-23,9, оксид ниобия 47,4-75,9, оксид титана (со структурой рутила) 0,9-35,9. Согласно второму объекту изобретения, высокочастотный керамический материал содержит оксид состава (Znx Nby Tiz) O2 в количестве 2-80 вес.%, где x равен 0,17, y равен 0,332, z равен 0,5, при этом в него дополнительно введен ниобат цинка ZnNb2O6 в количестве 20-98 вес.%. Низкая температура спекания Тсп=1080-1120°С полученных материалов позволяет применять электроды с содержанием Pd 30% и менее, что приводит к существенному снижению себестоимости, а также обеспечивает изготовление термостабильных керамических конденсаторов сравнительно малой емкости и термостабильных микроволновых фильтров. Низкие диэлектрические потери tg= (0,3-2,5)xl0-4, в том числе на 10 ГГц не более 2,0х10-4 для группы МПО, обеспечивают высокую добротность керамических конденсаторов и микроволновых фильтров, в т.ч. многослойных. 2 с.п. ф-лы, 4 табл. | 2170219 патент выдан: опубликован: 10.07.2001 |
|
КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ЦИНКЗАМЕЩЕННОГО НИОБАТА ВИСМУТА Изобретение относится к керамическим материалам на основе цинкзамещенного ниобата висмута и может быть использовано в производстве многослойных высокочастотных термостабильных керамических конденсаторов с электродами на основе сплава, содержащего Ag и Pd, а также в производстве многослойных микроволновых фильтров. В основу настоящего изобретения положено решение задачи создания керамического материала с низкой температурой спекания, имеющего оптимальную для создания широкой гаммы получаемых на основе этого материала изделий, диэлектрическую проницаемость и высокую термостабильность. Технология получения предложенного соединения заключается в следующем. Предварительно синтезируют цинкзамещенный ниобат висмута со структурой пирохлора, затем синтезируют ниобат цинка со структурой колумбита. Полученные таким образом компоненты смешивают и дополнительно мокрым помолом вводят стекло, высушивают и получают заявленный материал. Введение ниобата цинка в широких пределах позволяет расширить серию новых материалов с широким диапазоном ТКЕ (термостабильных и термокомпенсирующих групп), обеспечивает возможность производства широкой гаммы керамических конденсаторов, в том числе конденсаторов наиболее перспективной термостабильной группы МПО, с электродами с содержанием Pd менее 30%, что приводит к существенному снижению себестоимости, а также обеспечивает изготовление термостабильных керамических конденсаторов малой емкости и термостабильности микроволновых фильтров. 1 з.п. ф-лы, 2 табл. | 2167842 патент выдан: опубликован: 27.05.2001 |
|
РАДИОПОГЛОЩАЮЩИЙ МАТЕРИАЛ Радиопоглощающий материал на основе титаната стронция и дополнительного компонента BiMO3, где M выбирается из группы элементов, включающей хром, марганец, железо. Использование: в радиоэлектронной технике при получении материала с высокими значениями действительной части диэлектрической проницаемости и высокими диэлектрическими потерями в сверхвысокочастотном (СВЧ) диапазоне - радиопоглощающего материала. Технический результат: создание материалов с большим значением диэлектрических потерь в СВЧ-диапазоне в широком температурном и частотном интервалах. 3 табл. | 2167840 патент выдан: опубликован: 27.05.2001 |
|