Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП): ..из галогенидов металлов – C23C 16/08

Изобретение относится к технологии получения покрытий из тугоплавких металлов методом химического осаждения из газовой фазы, а именно к методам получения защитных покрытий из иридия и родия, и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и устройств, а также для получения высокотемпературных защитных покрытий. Осуществляют контактирование прекурсора с поверхностью нагретого изделия, термическое разложение нанесенного на поверхность соединения и удаление летучих продуктов разложения. Получают покрытия из иридия или родия, при этом процесс термического разложения осуществляют при температуре 250-450°C и давлении 0,01-0,05 мм рт.ст., а в качестве прекурсора используют гидрид тетра-трифторфосфин иридия формулы HIr(PF₃)₄ или гидрид тетра-трифторфосфин родия формулы HRh(PF₃ )₄ соответственно. Обеспечивается получение беспористых мелкокристаллических покрытий с высокой адгезией к материалу подложки. 4 табл., 1 пр.

Способ может быть использован при нанесении защитного покрытия на детали турбомашин. Деталь и цемент на основе алюминиевого сплава приводят в контакт при температуре обработки с атмосферой, содержащей активный газ. Активный газ реагирует с цементом с образованием газообразного галогенида алюминия, который разлагается при контакте с деталью с осаждением на ней металлического алюминия. Активный газ содержит ZrOCl₂, который образован при испарении гранул ZrOCl₂, твердых при температуре окружающей среды, и который разлагается при контакте с деталью с осаждением на ней металлического циркония. Деталь, цемент и гранулы ZrOCl ₂ постепенно нагревают в камере от температуры окружающей среды до температуры обработки, с выдержкой при 400°С±200°С. Способ позволяет управлять концентрацией циркония в защитном покрытии. 11 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к термохимии и электрохимии, а именно к улучшению электролитических и карбонильных методов осаждения непрерывной полосы фольги чистых металлов из группы железа и к устройствам для их осуществления. Проводят рафинирование при разложении возгоняемого галогенида ферромагнитного материала или испаряемого карбонила ферромагнитного материала, или растворяемого соединения ферромагнитного материала с осаждением или на титановом барабане, или на титановом барабанном катоде. Одновременно с указанным рафинированием осуществляют рафинирование с использованием постоянного магнитного поля, которое создают внутри титанового барабана путем размещения магнитной системы, содержащей либо последовательно соединенные в магнитную цепь постоянные магниты, ферромагнитные трубы и ферромагнитные диски, либо последовательно соединенные в магнитную цепь ферромагнитную трубу и ферромагнитные диски. Ферромагнитная труба охвачена обмотками возбуждения постоянного магнитного поля с высокотемпературной электрической изоляцией, при этом постоянное магнитное поле магнитной системы замыкается по поверхности из оксида титана, образованного на титановом барабане или на титановом барабанном катоде. Обеспечивается возможность высокопроизводительного изготовления непрерывной полосы тонкой и многослойной фольги из чистого ферромагнитного металла при повышении химической чистоты, магнитной проницаемости, индукции насыщения и усиление направленности магнитной текстуры материала. 5 н. и 4 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления макро- и микроизделий - эмиттеров электронов с пониженной работой выхода электронов и с большим ресурсом работы, предназначенных для термоэмиссионных элементов электродуговых катодов генераторов плазмы и термоэмиссионных катодов электровакуумных или газонаполненных приборов, являющихся источником электронов. Способ изготовления эмиттера электронов из вольфрама с легирующими добавками заключается в том, что вводят в вакуумную камеру смесь гексафторида вольфрама, водорода и летучего фторида или иодида легирующей добавки в соотношении, соответствующему заданному составу эмиттера, воздействуют на указанную смесь лазерным лучом и отводят продукты реакции из камеры, при этом формируют эмиттер осаждением восстановленных вольфрама и легирующей добавки на подложку, выполненную из вольфрама, и размещенную по центру лазерного луча на держателе, перемещая при этом подложку относительно лазера со скоростью, равной скорости осаждения вольфрама и легирующей добавки. Техническим результатом является повышение ресурса работы вольфрамовых эмиттеров электронов за счет гомогенного распределения легирующих добавок с более низкой, чем у вольфрама, работой выхода электронов, снижение эрозии эмиттера за счет исключения окисления, повышение и возможность регулирования концентрации легирующих добавок, регулирование структуры вольфрама, снижение расхода материалов. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл., 3 пр.