Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП): .характеризуемые осаждением неорганического материала иного, чем металлический – C23C 16/22

Изобретение относится к скользящему элементу, в частности поршневому кольцу с покрытием по меньшей мере на одной поверхности скольжения, которое в направлении изнутри наружу содержит адгезионный слой (10), металлосодержащий, предпочтительно содержащий вольфрам, DLC-слой (12) и не содержащий металла DLC-слой (14). Толщина не содержащего металла DLC-слоя имеет отношение от 0,7 до 1,5 к толщине металлосодержащего DLC-слоя и/или отношение от 0,4 до 0,6 к полной толщине покрытия, при этом полная толщина покрытия составляет от 5 мкм до 40 мкм. Обеспечивается улучшенный скользящий элемент в отношении комбинации коэффициента трения и характеристик износа. 7 з.п. ф-лы, 3 ил., 3 пр.

Изобретение относится к получению поликристаллического кремния. Реактор для химического осаждения поликристаллического кремния включает реакционную камеру, содержащую по меньшей мере одну опорную плиту, закрепленную в реакционной камере, и кожух, соединенный с опорной плитой для формирования камеры осаждения, по меньшей мере один накальный элемент, прикрепленный к опорной плите, источник электрического тока для подведения тока к по меньшей мере одному накальному элементу, источник кремнийсодержащего газа, соединенный с реакционной камерой для создания потока кремнийсодержащего газа через реакционную камеру и вертикальную трубу, соединенную с источником кремнийсодержащего газа, для ввода потока кремнийсодержащего газа в реакционную камеру. Вертикальная труба выполнена с возможностью приема отложений поликристаллического кремния в реакционной камере. Обеспечивается улучшение течения газа во всем объеме реакционной камеры, что позволяет повысить выход поликристаллического кремния, улучшается качество поликристаллического кремния и снижается потребление энергии. 3 н. и 19 з.п. ф-лы, 4 ил.

Предметом изобретения является способ плазменно-химического осаждения из газовой фазы. Способ плазменно-химической обработки из газовой фазы для нанесения покрытия или удаления материала с внутренней поверхности полого изделия (42), в особенности из неметаллического материала, имеющего протяженность в длину и одно отверстие (43), имеет следующие стадии. Полое изделие устанавливают в середину вакуумной камеры (40) с заземленной внутренней стороной так, что минимальное расстояние между внешней стенкой полого изделия и внутренней стенкой вакуумной камеры составляет 15 см. Внутри вакуумной камеры расположен высокочастотный электрод (41). Вводят газовую трубку (44), состоящую из трубы с внутренним диаметром в 0,001-10 мм, максимальным внешним диаметром в 12 мм, и концевое сопло с диаметром отверстия на конце в 0,002-6 мм через отверстие в полом изделии. Установка газовой трубки в полом изделии осуществлена так, что газовая трубка расположена посередине относительно поперечного сечения полого изделия, а сопло газовой трубки расположено на расстоянии, составляющем две трети длины полого изделия, от отверстия полого изделия. Герметизация вакуумной камеры и откачивание воздуха из нее осуществляется до остаточного давления 0,001-20 Па. Введение инертного рабочего газа, а также одного или нескольких реакционных газов через устройство для подачи газа и газовую трубку в полое изделие и зажигание плазмы полого пространства (45) изделия при образовании на наконечнике газовой трубки плазмы осуществляется посредством создания высокочастотного электрического поля на ВЧ-электроде. Достигаются улучшенная очистка полых изделий, улучшенная защита от коррозии поверхностей с нанесенным покрытием, снижение коэффициента трения внутренней поверхности и улучшение теплоотдачи. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к трибологии в масляной среде и используется в автомобильных двигателях. Деталь, работающая в скользящем контакте в режиме смазки, покрыта тонкой пленкой с трибологической функцией. Тонкую пленку наносят на поверхность, содержащую шероховатые профили. Шероховатость профиля и их средние периоды заданы для улучшения трибологических показателей таким образом, что соотношение А значений квадрата среднего периода профиля (P_SM), выраженного в мкм, к шероховатости профиля (Р_a), выраженной в мкм, как определено французским стандартом ISO 4288, превышает или равно

Изобретение относится к печам для обработки, в которые газ реагент вводится как часть этапа обработки газовой фазы, в частности к печам для процесса химической инфильтрации газовой фазы. Техническим результатом изобретения является обеспечение полной герметизации печи. Для достижения технического результата печь содержит корпус, в котором размещена реакционная камера (16), и газовую трубу (12) для подачи газа в печь, расположенную между наружной частью печи и внутренней частью печи и заканчивающуюся на одном конце, по меньшей мере, вблизи газовпускного прохода (14) в реакционной камере (16). Трубчатое уплотнительное устройство (32) расположено радиально снаружи относительно газовой трубы (12), причем трубчатое уплотнительное устройство прикреплено газонепроницаемым образом к первому концу газовой трубы (12) на участке внутренней поверхности печи вблизи участка, на котором газовая труба входит в печь, и проходит по направлению к участку вблизи газовпускного прохода (14), к которому указанное уплотнительное устройство прикреплено герметично, при этом трубчатое уплотнительное устройство (32) выполнено в виде обладающей поперечной и/или осевой гибкостью трубчатой оболочки, размещенной вокруг перехода между трубой (12) и проходом (14) и содержащей осевую часть (32а), выполненную гибкой, и осевую часть (32b), выполненную относительно жесткой. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области технологии тонких пленок и покрытий, в частности к получению тонких пленок и покрытий неорганических фторидов, которые могут быть использованы как оптические, изоляционные и буферные материалы со строго определенной кристаллографической ориентацией - ориентированные фторидные покрытия. Способ получения ориентированных фторидных покрытий методом химического осаждения из паровой фазы включает размещение подложки в зоне осаждения реактора химического осаждения при температуре 250-400°С, проведение осаждения фторидного покрытия на подложку путем смешения потока металлоорганических соединений, которые испаряют в температурном интервале 150-300°С и давлении 1-20 мбар, и фторидобразующего потока. В качестве металлоорганических соединений используют летучие металлорганические соединения, не содержащие фтор. Фторидобразующий поток генерируют из твердого прекурсора в результате его испарения непосредственно в реакторе химического осаждения при температуре 50-120°С из твердого прекурсора, в качестве которого используют кислый неорганический бифторид. Поток металлоорганических соединений и фторидобразующий поток подают в зону осаждения или противотоком, или коаксиальным введением потоков в потоке инертного газа. Расширяется спектр используемых подложек и металлоорганических реагентов, устраняется коррозия оборудования при осуществлении данного способа, обеспечивается защита полученных покрытий от окисления, снижается температура проведения процесса, а следовательно, и стоимость затрат получаемых покрытий. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к способу изготовления поглощающей кислород частицы и может найти применение при изготовлении упаковочных материалов. Поглощающая кислород частица содержит, по меньшей мере, один окисляемый компонент и, по меньшей мере, один активирующий компонент. Способ включает в себя осуществление контакта окисляемого компонента с газом, содержащим пары активирующего компонента, и осаждение активирующего компонента из газа на окисляемый компонент либо в жидкой, либо в твердой форме. Активирующий компонент представляет собой гидролизующееся в протонных растворителях галогенидное соединение, а поглощающей кислород частицей является восстановленный металл. 2 н. и 67 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 табл.

Изобретение относится к способу и устройству плазменного осаждения полимерных покрытий. Обрабатываемые образцы помещают в вакуумную камеру. Заполняют вакуумную камеру реакционным газом, содержащим, по меньшей мере, один способный к плазменной полимеризации газ-мономер. Генерируют плазму посредством зажигания и поддержания двухступенчатого тлеющего разряда в двух пространственно разделенных разрядных объемах и осаждают полимерное покрытие на поверхность обрабатываемого образца. Первый разрядный объем отделяют от второго разрядного объема с помощью перфорированного электрода, размер отверстий в котором превышает 0,1 мм. Обрабатываемый образец устанавливают на электроде, который размещают во втором разрядном объеме напротив перфорированного электрода. На электрод, служащий держателем обрабатываемого образца, подают потенциал смещения относительно перфорированного электрода. В первом разрядном объеме могут использоваться различные виды газового разряда: индукционный высокочастотный разряд, емкостный высокочастотный разряд, разряд постоянного тока. Разряд может поддерживаться в импульсной форме. В процессе плазменной полимеризации регулируют расстояние между перфорированным электродом и электродом, служащим держателем обрабатываемого образца. Изобретение позволяет обеспечить независимое регулирование скорости осаждения полимерного покрытия, структуры и свойств осаждаемого покрытия при высокой производительности технологического процесса. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к устройству плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на пленке. Пленка (22) поддерживается между парой подвижных барабанов, расположенных на стороне входа и стороне выхода участка осаждения (25) по отношению к направлению перемещения пленки (22). Затем пленку (22) заставляют перемещаться линейно в место осаждения. Расстояние между решеткой для распыления (37) и пленкой (22) сохраняется постоянным, и качество слоя получается гомогенным. Пленку нагревают с помощью металлической ленты (40), одновременно перемещающейся на обратной стороне пленки. Подвижные барабаны поднимаются из положения осаждения в положение самоочистки, и пленка (22) может быть отделена от решетки для распыления (37). Самоочистка может быть проведена на пути осаждения на пленку, закрывая щель маски (51) заслонкой (65) и, таким образом, предотвращая рассеяние очищающего газа. Изобретение позволяет получить высокое качество слоя за счет подачи реакционного газа равномерно к площади осаждения пленки, и можно выполнять процесс самоочистки участка осаждения на пути осаждения на пленку. 18 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области материалов для микроэлектроники. Изготавливают пленку, содержащую в качестве основных элементов С, Si, О, Н, легированную молибденом, пропускают через пленку переменный ток в виде серии импульсов, подвергают пленку электротермовоздействию с использованием различных внешних источников питания на различных участках снимаемой в процессе тренировки N-образной вольтамперной характеристики и с периодическим отключением тока после каждого установленного значения амплитуды тока, обеспечивая охлаждение пленки до температуры ниже 400°С. Полученная пленка имеет термостабильную микроструктуру, высокую механическую прочность, а способ обеспечивает низкий процент брака. 4 з.п. ф-лы, 6 ил.