Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП): ...карбиды – C23C 16/32
Патенты в данной категории
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ SiC/Si И Diamond/SiC/Si, А ТАКЖЕ СПОСОБЫ ИХ СИНТЕЗА
Изобретение относится к сфере производства гетероэпитаксиальных структур, которые могут быть использованы в технологии изготовления элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур. Гетероэпитаксиальную полупроводниковую пленку на монокристаллической подложке кремния выращивают методом химического осаждения из газовой фазы. Проводят синтез гетероструктуры SiC/Si на монокристаллической подложке кремния в горизонтальном реакторе с горячими стенками путем формирования переходного слоя между подложкой и пленкой карбида кремния со скоростью не более 100 нм/ч при нагреве упомянутой подложки до температуры от 700 до 1050°C с использованием газовой смеси, содержащей 95-99% водорода и в качестве источников кремния и углерода SiH4, C2H6, С3 Н8, (CH3)3SiCl, (CH3 )2SiCl2, при этом C/Si 2, и формирования монокристаллической пленки карбида кремния с помощью подачи в реактор парогазовой смеси водорода и CH 3SiCl3 при поддержании в реакторе абсолютного давления в диапазоне от 50 до 100 мм рт.ст. В качестве подложки кремния используют пластину, имеющую угол наклона относительно кристаллографического направления (111) в направлении (110) от 1 до 30 угловых градусов и в направлении (101) от 1 до 30 угловых градусов. Обеспечивается улучшение совместимости двух материалов слоя карбида кремния и подложки кремния с различным периодом кристаллических решеток, при этом понижаются механические напряжения в гетероструктуре и получаются более низкие плотности дефектов в слое карбида кремния. 6 н.п. ф-лы, 4 ил., 3 пр. |
2499324 патент выдан: опубликован: 20.11.2013 |
|
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ КАРБИДОКРЕМНИЕВЫХ ВОЛОКОН
Изобретение относится к устройствам для получения пиролизом монофиламентных карбидокремниевых волокон. Устройство для получения карбидокремниевых волокон состоит из одной или более камер. Каждая камера выполнена в виде стеклянной трубки с двумя штуцерами для подачи газовой смеси алкилхлорсиланов с водородом, с двумя ртутными штуцерами и двумя сливными штуцерами с возможностью удаления из одной или более камер жидких продуктов, образующихся при получении карбидокремниевых волокон. Внутри каждой камеры расположены усеченные конусообразные стеклянные элементы с отверстиями в вершинах, сужающиеся по направлению движения керна для осаждения карбида кремния и впаянные между штуцерами подвода газа с образованием резервуара для ртути. Керн выполнен в виде вольфрамовой проволоки или углеродного волокна, а в сужающейся части усеченных конусообразных стеклянных элементов расположены вставки из абразивостойкого материала с отверстиями. Повышается надежность и производительность предложенного устройства, снижается количество используемой ртути, облегчается обслуживание этого устройства. 1 ил. |
2471885 патент выдан: опубликован: 10.01.2013 |
|
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ ИЗ ОКСИДА АЛЮМИНИЯ НА ПОДЛОЖКУ, ПОКРЫТУЮ КАРБИДОМ КРЕМНИЯ
Изобретение относится к способу нанесения покрытия из оксида алюминия на деталь, имеющую поверхность из карбида кремния (SiC) и используемую в высокотемпературных областях техники. На SiC-ю поверхность детали, образованную подложкой (10), покрытой слоем (12) карбида кремния (SiC), нанесенным химическим осаждением из паровой фазы, наносят вакуумным плазменным напылением адгезионный подслой кремния (20). На подслой (20) атмосферным термическим напылением наносят покрытие (30) из оксида алюминия. Размещают тензометрический датчик (40) со свободной нитью на покрытии (30), причем этот датчик удерживается на имеющей отверстия опоре. Через упомянутые отверстия на тензометрический датчик (40) и на покрытие (30) атмосферным термическим напылением наносят второе покрытие (50) из оксида алюминия с последующим удалением опоры. Наносят атмосферным термическим напылением на первое покрытие (30), второе покрытие (50) и тензометрический датчик (40) третье покрытие (60) из оксида алюминия с образованием устройства для измерения деформации в виде блока из слоев покрытия (30, 50, 60) оксида алюминия с встроенным в него тензометрическим датчиком. Улучшается стойкость границы раздела между поверхностью детали и покрытием, а также минимизируются механические напряжения на границе раздела при тепловых нагрузках. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 3 ил. |
2468361 патент выдан: опубликован: 27.11.2012 |
|
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ИЗНОСОСТОЙКОГО ПОКРЫТИЯ НА ТИТАНОВЫЕ СПЛАВЫ
Изобретение относится к нанесению износостойких покрытий и может найти применение в авиастроении и машиностроении. Проводят диффузионную электрохимическую обработку титанового сплава в электролите следующего химического состава, г/л: ортофосфорная кислота - 1100-1200, сегнетова соль или молочная кислота - 20-50, вода - до 1 л. Осаждают карбид хрома из паровой фазы бисаренхроморганического соединения. Диффузионную электрохимическую обработку проводят в течение 1-2 ч при плотности тока 5-10 А/дм2 и температуре 50-60°С. Перед осаждением карбида хрома из паровой фазы бисаренхроморганического соединения в соединение вводят 2-5 мас.% дибензилового эфира. Процесс осаждения карбида хрома из паровой фазы бисаренхроморганического соединения проводят в вакууме или токе инертного газа при давлении 100 Па. Увеличивается ресурс и надежность деталей из титановых сплавов, работающих в условиях воздействия агрессивных сред, износа и высоких температур. 3 з.п. ф-лы, 1 табл., 4 пр. |
2449053 патент выдан: опубликован: 27.04.2012 |
|
ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ МНОГОСЛОЙНАЯ СТРУКТУРА, КОМПОНЕНТ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ТАКУЮ СТРУКТУРУ, И СПОСОБ ЕЕ ОСАЖДЕНИЯ
Изобретение относится к коррозионно-стойкой тонкопленочной многослойной структуре и коррозионно-стойкому компоненту, обладающим низкой скоростью изнашивания и низким коэффициентом трения, и способу осаждения покрытия упомянутых пленок. Коррозионно-стойкая структура включает от 1 до 1000 групп, причем одна группа включает от 2 до 100 слоев (А, В) на основе углерода, кремния и водорода и, необязательно, функциональный поверхностный слой (FSL). Компонент включает такую тонкопленочную многослойную структуру. Способ включает создание в камере первичного вакуума и затем вторичного вакуума. Выполняют травление основы в активной зоне. Формируют связующий слой путем введения в активную зону камеры предварительно обработанного газа и, продолжая нагревать основу и поддерживать регулируемую температуру, формируют многослойную структуру путем введения в активную зону химически активного газа. Химически активный газ содержит единственное соединение с тетраэдрической кремниевой структурой или кремнийсодержащую смесь. В результате получают покрытие, обладающее высокими трибологическими и адгезионными свойствами, высокой механической прочностью покрытия и высокой термостойкостью. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 2 ил., 4 табл. |
2418883 патент выдан: опубликован: 20.05.2011 |
|
ЛЕГИРОВАННЫЙ ВОЛЬФРАМ, ПОЛУЧЕННЫЙ ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ
Изобретение относится к композиции металлических сплавов, а именно к износо-, эрозионно- и химически стойкому материалу на основе вольфрама, легированному углеродом, причем углерод в пересчете на полный вес материала составляет от 0.01 вес.% до 0.97 вес.%. Материал содержит матрицу вольфрама с диспергированными наночастицами карбида вольфрама, имеющими размер не более 50 нм, преимущественно не более 10 нм. Материал получают химическим осаждением из газовой фазы на подложку. Подложку размещают в реакторе химического осаждения из газовой фазы. Нагрев подложки проводят в смеси газов, содержащей гексафторид вольфрама, водород, газ, содержащий углерод, и необязательно инертный газ, причем газ, содержащий углерод, заранее термически активируют за счет нагревания до температуры 500-850°С. Затем осуществляют выдержку подложки до образования на ней слоя, состоящего из вольфрама, легированного углеродом и фтором. Получается материал, обладающий высокой твердостью и ударной вязкостью. 11 н. и 26 з.п. ф-лы, 10 ил., 1 табл. |
2402625 патент выдан: опубликован: 27.10.2010 |
|
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОКРЫТИЙ ИЗ КАРБИДА ВОЛЬФРАМА
Изобретение относится к области порошковой металлургии, в частности к получению композиционных материалов. Способ направлен на получение порошкообразных материалов с покрытием их монокарбидом вольфрама. Указанные материалы могут быть использованы для получения режущего абразивного инструмента, например для получения композиций алмаз - карбид вольфрама, расширяющих применение алмазного инструмента. Указанное покрытие предлагается наносить в два этапа: вначале формировать покрытие из кубического карбида вольфрама с минимальным содержанием углерода, а затем полученное покрытие насыщать углеродом из газовой среды до образования монокарбидного слоя. Для снижения доли углерода в покрытии из кубического карбида вольфрама предлагается проводить перед карбидизацией промежуточную термообработку в атмосфере воздуха, обеспечивается расширение спектра получаемых композиционных материалов за счет снижения температуры карбидизации. 1 з.п. ф-лы, 1 табл. |
2280098 патент выдан: опубликован: 20.07.2006 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО МАТЕРИАЛА
Изобретение относится к получению композиционных материалов, обладающих высокой термической и противоокислительной стойкостью. Может использоваться в теплонагруженных узлах авиационной и ракетно-космической техники и др. Предложен способ получения композиционного материала. Из газовой фазы проводят осаждение кремнийорганических продуктов на подложку. Процесс осуществляют в герметичной камере с принудительной циркуляцией. В качестве исходного реагента используют метилсилан. Температура подложки составляет 200-550°С. Техническим результатом является получение равномерного по толщине и структуре покрытия. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
2241068 патент выдан: опубликован: 27.11.2004 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УГЛЕРОДОСОДЕРЖАЩИХ ПОКРЫТИЙ Способ может быть использован при получении композиционных материалов, применяемых для технологической оснастки в процессах получения особо чистых элементов и веществ. Исходные компоненты очищают и подают в реактор парогазовую смесь соединений углерода и водорода. Разлагают смесь на нагретой поверхности. Удаляют образовавшиеся продукты разложения и непрореагировавшие вещества. Проводят их разделение фракционной конденсацией и рециркуляцию исходных компонентов. При этом покрытия получают последовательным чередованием процессов осаждения слоев пироуглерода и карбида кремния. Осаждение осуществляют на поверхности изделий в одном аппарате при одной и той же температуре поверхности осаждения. Изделия, полученные данным способом, имеют высокие технико-эксплуатационные показатели и качество покрытия, в т.ч. высокую плотность и чистоту. 4 з.п. ф-лы, 3 табл. | 2199608 патент выдан: опубликован: 27.02.2003 |
|
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ПИРОЛИТИЧЕСКИХ КАРБИДОХРОМОВЫХ НА ПОВЕРХНОСТЬ ЧУГУННЫХ ДЕТАЛЕЙ Изобретение относится к способам нанесения карбидохромовых покрытий термическим разложением бис-ареновых соединений хрома и найдет применение в различных областях, как например нефтедобывающей и нефтехимической промышленности, в которых используется оборудование с защитными коррозионно- и износостойкими поверхностями металлических деталей, в том числе из чугуна. Техническим результатом изобретения является получение адгезионно прочного, со значениями адгезии до 320 МПа и твердости до 25 ГПа, коррозионно- и износостойкого покрытия на чугунных деталях устройств, работающих в особо агрессивных средах. Способ нанесения пиролитического карбидохромового покрытия включает помещение бис-ареновых соединений хрома. Обрабатываемую поверхность предварительно перед нанесением покрытия отжигают в вакууме в течение 8 часов при температуре 550oС при статочном давлении 10-15 Па. После отжига осуществляют травление в 36% HCl в течение 1 ч с последующим удалением шлама моющим средством на основе оксида магния. 7 табл. | 2188877 патент выдан: опубликован: 10.09.2002 |
|
СПОСОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ И РЕАКТОР ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Изобретение может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов, способных работать при высоких температурах. Сущность изобретения: способ эпитаксиального выращивания объемных монокристаллов карбида кремния путем химического осаждения из паровой фазы на ростовой поверхности подложки (10) в реакторе горизонтального типа включает подачу в камеру реактора с установленной в ней, по меньшей мере, одной подложкой (10) газообразных реагентов, содержащих кремний и углерод, нагрев стенок камеры до температуры в пределах интервала 1800- 2500°С и нагрев подложки (10). Реагенты подают в камеру раздельно, реагент, содержащий кремний, - по каналу (7) вдоль камеры, а реагент, содержащий углерод, - с двух боковых сторон по каналам (14). Смешение реагентов происходит непосредственно в зоне ростовой поверхности подложки (10). Изобретение позволяет получать объемные монокристаллы SiC высокого качества и большой толщины с низкими производственными затратами и высокой производительностью. 2 с. и 9 з.п.ф-лы, 2 ил. | 2162117 патент выдан: опубликован: 20.01.2001 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО МАТЕРИАЛА Изобретение относится к производству высокотемпературных материалов и может быть использовано в качестве теплонагруженных узлов ракетно-космической техники, в автомобиле- и тракторостроении для изготовления узлов очистки выхлопных газов, подшипников скольжения, торцевых уплотнений и пр. Способ включает осаждение карбида кремния из газовой фазы, содержащей метилсилан CH3SiH3, на пористый каркас. Способ позволяет увеличить однородность композита по составу и физико-механическим характеристикам, обеспечить экологически чистый процесс и снизить температуру получения композита. 3 з. п. ф-лы. | 2130509 патент выдан: опубликован: 20.05.1999 |
|
КЕРАМИЧЕСКИЕ НИТИ С ПОКРЫТИЕМ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЯ Керамическая нить состоит из вольфрамового ядра, расположенного на нем слоя карбида титана и слоя карбида кремния. Заявлена также керамическая нить, состоящая из вольфрамового ядра и расположенного на нем покрытия из карбида титана. Заявлен также способ осаждения покрытия из карбида титана на вольфрамовую нить, включающий нагревание нити и пропускание ее через камеру осаждения, содержащую газы, которые при контактировании с горячей нитью осаждают покрытие, в состав газа входят углерод и галогенированный титан, причем галогенированный титан контактирует с вольфрамовой нитью до углеводорода. 3 с. и 6 з.п. ф-лы, 5 ил. | 2114932 патент выдан: опубликован: 10.07.1998 |
|
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ Изобретение относится к устройствам для осаждения из газовой фазы слоев композиционных материалов и может быть использовано для получения слоев и изделий из карбида кремния, характеризующихся теоретической плотностью, стехиометрическим составом, а также высокой производительностью и выходом годного. Устройство для осаждения слоев карбида кремния из газовой фазы содержит водоохлаждаемый вертикальный реактор круглого сечения, установленный на водоохлаждаемом основании, патрубки для ввода и вывода парогазовой смеси, оправку, внутри которой коаксиально расположен нагреватель. Оправка и нагреватель установлены на опорных элементах, нагреватель выполнен в виде внешнего цилиндра из углеродного материала и размещенного внутри него токоведущего стержня, опорный элемент выполнен в виде двух плит, установленных одна над другой с центральным отверстием в верхней плите для токоведущего стержня, оправка и цилиндр нагревателя герметично установлены на верхней плите, токоведущий стержень укреплен на нижней опорной плите с зазором в центральном отверстии верхней плиты, в которой установлена втулка из изолирующего материала, при этом соотношение диаметра оправки и диаметра реактора, высоты оправки и высоты реактора 1 : (3 - 4) и 1 : (1,3 - 2,0) соответственно; оправка выполнена из инертного композиционного материала с коэффициентом термического расширения КТР КТР карбида кремния, например из карбида кремния или силицированного графита, имеет форму цилиндра или многогранника или выполнена многослойной с наружным слоем из графитовой ткани и/или графитового войлока. Нагреватель выполнен из материала, работающего в диапазоне температур 2500oС. Реактор выполнен со смотровыми окнами, расположенными по высоте оправки. 7 з. п. ф-лы, 1 ил. | 2060299 патент выдан: опубликован: 20.05.1996 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЯ ИЗ КАРБИДА БОРА Использование: при нанесении покрытий путем термического разложения химических соединений на нагретой поверхности, например для нанесения покрытий на части конструкций, подвергающихся действию агрессивных сред и высоких теаператур, а также для производства композиционных материалов с алюминиевой и никелевой матрицами, армированными неорганическими волокнами. Сущность изобретения: покрытия из карбида бора получают путем термического разложения на нагретой до 900 - 1500°С поверхности соединения, содержащего бор и углерод, при этом в качестве источника бора и углерода используют карборан B10C2H12. 1 табл. | 2031974 патент выдан: опубликован: 27.03.1995 |
|