Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП): .характеризуемые способом покрытия – C23C 16/44

Группа изобретений относится к полупроводниковым материалам. Способ (вариант 1) включает обеспечение реакционной камеры, обеспечение полупроводниковой подложки, обеспечение прекурсорного газа или газов, выполнение эпитаксиального CVD выращивания легированного полупроводникового материала на подложке в реакционной камере для формирования первого слоя, продувку реакционной камеры газовой смесью, включающей водород и газ, содержащий галоген, с обеспечением уменьшения эффекта памяти легирующей примеси без удаления сопутствующего осажденного слоя из зоны реакции и выполнение эпитаксиального CVD выращивания легированного полупроводникового материала на указанной подложке в реакционной камере для формирования второго слоя. Полупроводниковое устройство содержит полупроводниковый материал, полученный упомянутым способом. Способ (вариант 2) включает введение новой полупроводниковой подложки в указанную реакционную камеру после выполнения указанного процесса продувки и выполнение эпитаксиального CVD выращивания легированного полупроводникового материала на указанной новой полупроводниковой подложке. Обеспечивается воспроизводимость электрических свойств при выращивании полупроводниковых материалов. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл., 1 пр.

Изобретение относится к получению покрытий методом химического осаждения из газовой фазы, а именно к получению защитных покрытий из хрома и его сплавов. Способ нанесения износостойкого металлического покрытия на основе хрома включает подачу парогазовой смеси, содержащей бис-ареновое соединение хрома и летучее соединение олова к поверхности нагретого изделия в вакууме, при этом в качестве летучего соединения олова используют 0,1-1,0% тетрахлорида олова, а процесс проводят при температуре нагретого изделия от 350 до 400^°С. Износостойкое металлическое покрытие на основе хрома содержит модифицирующую добавку олова, имеет многослойную структуру из последовательно расположенных слоев на основе хрома с модифицирующей добавкой олова, обогащенных и обедненных углеродом. В обедненных углеродом слоях содержится 0,5-5,0% углерода, а в обогащенных углеродом слоях - 6,0-12,0%. Обеспечивается повышенная износостойкость покрытий, что позволяет улучшить трибологические характеристики деталей двигателей. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 табл., 2 пр.

Изобретение относится к способу предварительной обработки вспомогательных поверхностей установки для нанесения покрытий. Вспомогательные поверхности установки для нанесения покрытий еще перед процессом нанесения покрытия подвергают предварительной обработке путем нанесения на вышеуказанные вспомогательные поверхности антиадгезионного слоя, в качестве которого используют суспензию графитового порошка в легколетучем растворителе. При последующем процессе нанесения покрытия сцепление материала покрытия на вспомогательных поверхностях существенно снижается по сравнению с его сцеплением без предварительной обработки. Технический результат - упрощение способа очистки установки для нанесения покрытий после процесса нанесения покрытия. 2 н. и 2 з. п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к получению поликристаллического кремния. Реактор для химического осаждения поликристаллического кремния включает реакционную камеру, содержащую по меньшей мере одну опорную плиту, закрепленную в реакционной камере, и кожух, соединенный с опорной плитой для формирования камеры осаждения, по меньшей мере один накальный элемент, прикрепленный к опорной плите, источник электрического тока для подведения тока к по меньшей мере одному накальному элементу, источник кремнийсодержащего газа, соединенный с реакционной камерой для создания потока кремнийсодержащего газа через реакционную камеру и вертикальную трубу, соединенную с источником кремнийсодержащего газа, для ввода потока кремнийсодержащего газа в реакционную камеру. Вертикальная труба выполнена с возможностью приема отложений поликристаллического кремния в реакционной камере. Обеспечивается улучшение течения газа во всем объеме реакционной камеры, что позволяет повысить выход поликристаллического кремния, улучшается качество поликристаллического кремния и снижается потребление энергии. 3 н. и 19 з.п. ф-лы, 4 ил.

Производственная установка и электрод для использования с производственной установкой предназначены для осаждения материала на несущую подложку. Несущая подложка имеет первый конец и второй конец, находящиеся на расстоянии друг от друга. На каждом конце несущей подложки расположено контактное гнездо. Производственная установка включает в себя корпус, который образует камеру. По меньшей мере один электрод расположен проходящим через корпус, причем этот электрод по меньшей мере частично расположен внутри камеры для соединения с контактным гнездом. Электрод имеет внешнюю поверхность, имеющую область контакта, которая приспособлена контактировать с контактным гнездом. На внешней поверхности электрода, вне области контакта, расположено внешнее покрытие. Внешнее покрытие имеет электропроводность по меньшей мере 9×10⁶ Сименс/метр и сопротивление коррозии большее, чем у серебра в ряду электродных потенциалов, который основан на использовании морской воды комнатной температуры в качестве электролита. Изобретение обеспечивает замедление зарастания электрода и увеличение его полезного срока службы. 2 н. и 26 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к производственной установке для осаждения материала на несущую подложку и к электроду для использования с такой производственной установкой. Несущая подложка имеет находящиеся на расстоянии друг от друга первый конец и второй конец. На каждом конце несущей подложки расположено контактное гнездо. Производственная установка включает в себя корпус, который образует камеру. По меньшей мере один электрод расположен проходящим через корпус, причем электрод по меньшей мере частично расположен внутри камеры для соединения с контактным гнездом. Электрод имеет внешнюю поверхность, имеющую область контакта, которая приспособлена контактировать с контактным гнездом. На области контакта внешней поверхности электрода расположено покрытие области контакта. Покрытие области контакта имеет электропроводность по меньшей мере 9×10⁶ Сименс/метр и сопротивление коррозии большее, чем у серебра в ряду электродных потенциалов, который основан на использовании морской воды комнатной температуры в качестве электролита. Изобретение позволяет уменьшить проблему зарастания электрода и увеличить производительность и срок службы электрода. 2 н. и 27 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано для получения нанопорошков плазмохимическим методом. Композиционный нанопорошок включает частицы, состоящие из ядра, состоящего из слоев карбонитрида титана и нитрида титана, и оболочки, состоящей из слоя никеля, при следующем соотношении слоев ядра и оболочки, мас.%: TiC_xN_y, где 0,28 x 0,70; 0,27 y 0,63; - 24-66; TiN₀,₆ - 30-67; Ni - 4-9. Способ включает подачу прекурсора, содержащего никелид титана и карбид титана, в камеру испарителя-реактора, обработку в потоке азотной плазмы при скорости потока плазмы 60-100 м/сек и при скорости подачи прекурсора 100-140 г/час, последующее охлаждение в потоке азота и улавливание продукта испарения на поверхности фильтра. Прекурсор содержит указанные компоненты при следующем соотношении TiNi:TiC=25-50:50-75. Получается нанокомпозиционный порошок, обеспечивающий получение твердых сплавов более высокой твердости. 2 н.п. ф-лы, 3 ил., 2 пр.

Изобретение относится к технологии получения покрытий из тугоплавких металлов методом химического осаждения из газовой фазы, а именно к методам получения защитных покрытий из иридия и родия, и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и устройств, а также для получения высокотемпературных защитных покрытий. Осуществляют контактирование прекурсора с поверхностью нагретого изделия, термическое разложение нанесенного на поверхность соединения и удаление летучих продуктов разложения. Получают покрытия из иридия или родия, при этом процесс термического разложения осуществляют при температуре 250-450°C и давлении 0,01-0,05 мм рт.ст., а в качестве прекурсора используют гидрид тетра-трифторфосфин иридия формулы HIr(PF₃)₄ или гидрид тетра-трифторфосфин родия формулы HRh(PF₃ )₄ соответственно. Обеспечивается получение беспористых мелкокристаллических покрытий с высокой адгезией к материалу подложки. 4 табл., 1 пр.

Изобретение относится к устройству для каталитического химического осаждения из паровой фазы и может быть использовано для формирования пленки на подложке. Устройство содержит реакционную камеру, установленное в реакционной камере средство поддержки, предназначенное для поддержки подложки, подлежащей обработке, источник введения газа, предназначенный для введения в реакционную камеру исходного газа, содержащего подлежащий нанесению элемент, проволочный катализатор, расположенный напротив указанной подложки и выполненный из танталовой проволоки со слоем борида тантала, который предварительно сформирован на поверхности танталовой проволоки перед введением исходного газа. Упомянутое устройство также содержит источник тепла, предназначенный для нагревания проволочного катализатора для осаждения на подложке продуктов разложения исходного газа, образованных катализом или реакцией термического разложения. Упомянутое устройство дополнительно содержит средство контроля для выполнения активирующего нагревания проволочного катализатора источником тепла посредством непрерывной подачи энергии. Обеспечивается продление срока службы проволочного катализатора за счет уменьшения термического расширения проволочного катализатора и увеличения его механической прочности. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 пр.

Изобретение относится к вакуумной камере для установок для нанесения покрытии. Камера включает в себя раму камеры. В раму механически разъемно и герметично вставлены вставные панели, причем некоторые из вставных панелей несут функциональные элементы. Рама камеры включает в себя, по меньшей мере, одну основную поверхность с консолями, вырезанную из отформованной цельной металлической панели. Консоли отогнуты в области присоединения к основной поверхности таким образом, что они образуют перемычки рамы камеры. За счет того, что боковая поверхность рамы образована из цельной металлической части, в которой вырезан материал с большой поверхностью, получают отверстия для вставных панелей, при этом там, где вставлены вставные панели, не требуются никакие сварные швы. 10 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к реакторной установке для эпитаксиального выращивания гидридов в паровой фазе. Реакторная установка содержит реакционную камеру с входным отверстием для введения технологических газов в реакционную камеру и выходным отверстием для остаточных газов и насос для откачивания остаточных газов из реакционной камеры через выходное отверстие для остаточного газа. Насос способен создавать и поддерживать в реакционной камере давление, равное или менее примерно 10 кПа (100 мбар). Кроме того, реакторная установка имеет средства подачи в насос растворяющей текучей среды для растворения возможных вредных отложений веществ из остаточных газов на внутренних поверхностях насоса, выполненные в виде контейнера для растворяющей текучей среды, гидравлически соединенного с всасывающим и с нагнетающим отверстиями насоса с формированием замкнутого контура для циркуляции растворяющей текущей среды. Обеспечивается возможность непрерывной эксплуатации реакторов для эпитаксиального выращивания гидридов в паровой фазе без перерывов, вызываемых засорением системы откачивания газа. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к способам уплотнения пористых матриц путем химической инфильтрации газовой фазы (CVI). По меньшей мере первое множество пачек пористых субстратов размещают в реакционной камере. При этом пачки пористых субстратов, расположенные по периферии реакционной камеры, представляют собой неуплотненные пористые субстраты, частично уплотненные пористые субстраты или сочетание неуплотненных и частично уплотненных пористых субстратов. Одна или более пачек частично уплотненных субстратов расположены в центральной части. Уплотнение по меньшей мере первого множества пачек пористых субстратов осуществляют при помощи способа химической инфильтрации газовой фазы. Расположение и чередование неуплотненных пористых субстратов и частично уплотненных пористых субстратов позволяет использовать термические характеристики частично уплотненных пористых субстратов для лучшего распределения потока тепла в объеме CVI печи. Способ позволяет улучшить качество уплотнения и производительность процесса. 9 з.п. ф-лы, 29 ил., 4 табл., 4 пр.

Изобретение относится к производству поликремния, а именно к реактору для химического осаждения поликремния из паровой фазы. Технический результат - повышение производительности производства поликремния. Реактор включает опорную систему, снабженную опорами для накальных элементов, и оболочку, прикрепляемую к упомянутой опорной системе с формированием осадительной камеры. Устройство также содержит по меньшей мере один кремниевый накальный элемент, расположенный в камере на опорах, и источник электрического тока, подключаемый к обоим концам накального элемента через электрические вводы, выполненные в опорной системе, для нагревания накального элемента. В опорной системе выполнено устройство для впуска газа, соединяемое с источником кремнийсодержащего газа, и устройство для выпуска газа. При этом накальный элемент выполнен U-образным и имеет по меньшей мере одну трубчатую секцию с наружным диаметром по меньшей мере 20 мм и отношением толщины стенки к наружному диаметру не более чем 1/4. 4 н. и 3 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области технологии тонких пленок и покрытий, в частности к получению тонких пленок и покрытий неорганических фторидов, которые могут быть использованы как оптические, изоляционные и буферные материалы со строго определенной кристаллографической ориентацией - ориентированные фторидные покрытия. Способ получения ориентированных фторидных покрытий методом химического осаждения из паровой фазы включает размещение подложки в зоне осаждения реактора химического осаждения при температуре 250-400°С, проведение осаждения фторидного покрытия на подложку путем смешения потока металлоорганических соединений, которые испаряют в температурном интервале 150-300°С и давлении 1-20 мбар, и фторидобразующего потока. В качестве металлоорганических соединений используют летучие металлорганические соединения, не содержащие фтор. Фторидобразующий поток генерируют из твердого прекурсора в результате его испарения непосредственно в реакторе химического осаждения при температуре 50-120°С из твердого прекурсора, в качестве которого используют кислый неорганический бифторид. Поток металлоорганических соединений и фторидобразующий поток подают в зону осаждения или противотоком, или коаксиальным введением потоков в потоке инертного газа. Расширяется спектр используемых подложек и металлоорганических реагентов, устраняется коррозия оборудования при осуществлении данного способа, обеспечивается защита полученных покрытий от окисления, снижается температура проведения процесса, а следовательно, и стоимость затрат получаемых покрытий. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к химическому газофазному способу нанесения покрытий и может быть использовано в микроэлектронике, медицине, химической, текстильной и других областях промышленности. В вакуумной камере реактора для испарения и пиролиза, содержащего один или более полимеров, размещают реактор для контролируемого испарения металла, содержащего один или более металлов, и подложку. Осуществляют одновременный нагрев реактора для испарения и пиролиза для разложения полимера до газа-прекурсора и реактора для контролируемого испарения металла. Формируют сверхзвуковую либо дозвуковую струю при прохождении газа-прекурсора через сопло реактора для испарения и пиролиза. Затем осуществляется натекание образовавшейся струи на нагретую проволочную сетку, установленную на сопле реактора для испарения и пиролиза, и подача образовавшейся струи на подложку. На подложке осуществляется полимеризация с образованием полимерного материала. Одновременно в нагретый реактор для контролируемого испарения металла подают несущий газ. Затем струю несущего газа вместе с парами одного или более металлов и/или их оксидов подают на подложку и осуществляют перемешивание паров одного или более металлов и/или их оксидов с образующимся полимером на вращающейся подложке с образованием металлополимерного материала. Процесс осуществляют при давлении в вакуумной камере 10^-2-10 ^-1 Торр. Получаются металлополимерные материалы с новыми уникальными свойствами, при этом упрощается конструкция и уменьшается стоимость установки для получения металлополимерных покрытий. 5 ил.

Изобретение относится к источнику твердого или жидкого материала для реакторов для осаждения из газовой фазы, устройству для установки источника в реакторе для осаждения из газовой фазы и способу установки источника в реакторе. Источник выполнен с возможностью установки, по меньшей мере, частично в фитинге, соединенном с реакционной емкостью реактора для осаждения из газовой фазы. Источник состоит из стержня (5), имеющего первый конец (11) и второй конец (9), камеры (1) для твердого или жидкого материала, расположенной на втором конце (9) или рядом с ним и имеющей по меньшей мере одну, по меньшей мере, частично открытую стенку и изолирующие средства в виде кожуха, выполненные с возможностью установки на стенке камеры (1) для изоляции камеры от окружающей среды. Изолирующие средства в виде кожуха и камера (1) выполнены с возможностью скольжения друг относительно друга для открытия и/или закрытия камеры (1) после установки источника в фитинге реактора. В результате достигается упрощение обслуживания и работы с источником и устройством. 4 н. и 26 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области химической технологии получения покрытий так называемых сверхпроводящих проводников второго поколения. Способ получения двухстороннего сверхпроводника второго поколения методом химического осаждения металлоорганических соединений из паровой фазы в трубчатом реакторе химического осаждения заключается в том, что сначала в трубчатом реакторе одновременно на две стороны движущейся длинномерной подложки осаждают из паров металлорганических соединений буферный слой при температуре 350-850°С, а затем, в указанном реакторе, одновременно на две стороны движущейся длинномерной подложки на нанесенный буферный слой осаждают из паров металлоорганических соединений сверхпроводящий слой при температуре 650-850°С, при этом нагрев трубчатого реактора осуществляют с помощью нагревательных элементов, расположенных вдоль внешней поверхности трубчатого реактора, давление в трубчатом реакторе поддерживают равным 0,1-100 Мбар, металлоорганические соединения предварительно испаряют в испарителе при температуре 150-300°С и газом-носителем подают в зону осаждения трубчатого реактора, движение подложки осуществляют со скоростью 1-10 м/час, а с двух противоположных сторон трубчатый реактор продувают газообразным потоком. Изобретение позволяет наносить буферный и сверхпроводящий слой одновременно на обе стороны длинномерной металлической ленты-носителя и тем самым удвоить величину критического тока единичного проводника, расширить выбор типов используемых подложек, снизить температуру осаждения при повышении качественных характеристик осаждаемых буферных и сверхпроводящих слоев, повысить давление проведения процесса. 12 з.п. ф-лы, 1 табл., 10 ил.

Изобретение относится к инструменту или предмету, который имеет покрытие. Режущий инструмент с покрытием, который содержит основную часть из, по существу, не содержащего углерода, термически упрочненного сплава на основе железа системы железо-кобальт-молибден/вольфрам-азот и покрытие, нанесенное способом PVD или CVD и имеющее однофазную кристаллическую структуру с кубической гранецентрированной решеткой. Получается инструмент с режущей частью, сохраняющей равные режущие способности при резке и обладающей высокой теплопроводностью, что обеспечивает увеличение срока службы инструмента. 11 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к устройству плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на пленке. Пленка (22) поддерживается между парой подвижных барабанов, расположенных на стороне входа и стороне выхода участка осаждения (25) по отношению к направлению перемещения пленки (22). Затем пленку (22) заставляют перемещаться линейно в место осаждения. Расстояние между решеткой для распыления (37) и пленкой (22) сохраняется постоянным, и качество слоя получается гомогенным. Пленку нагревают с помощью металлической ленты (40), одновременно перемещающейся на обратной стороне пленки. Подвижные барабаны поднимаются из положения осаждения в положение самоочистки, и пленка (22) может быть отделена от решетки для распыления (37). Самоочистка может быть проведена на пути осаждения на пленку, закрывая щель маски (51) заслонкой (65) и, таким образом, предотвращая рассеяние очищающего газа. Изобретение позволяет получить высокое качество слоя за счет подачи реакционного газа равномерно к площади осаждения пленки, и можно выполнять процесс самоочистки участка осаждения на пути осаждения на пленку. 18 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится системе и способу химического осаждения из паров (ХОП) для нанесения на деталь реактивного двигателя алюминидного покрытия и может найти применение при изготовлении и ремонте реактивных двигателей. Выполняют покрытие, состоящее из двух или большего числа примесных металлических компонентов. Алюминидное покрытие способно образовывать защитный сложный оксид при последующем нагреве в окислительной среде. По меньшей мере, один из примесных металлов в алюминидном покрытии доставляют в виде отдельного парофазного реагента из контейнера, соединенного закрытым ходом с реакционной камерой системы ХОП и свободного от газа-носителя. Алюминидное покрытие образуют посредством химического объединения парофазного реагента с другим парофазным реагентом, образованным либо на месте в реакционной камере, либо поданным газом-носителем к реакционной камере от источника исходного вещества. В результате получают качественное покрытие.2 н. и 35 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии, в частности к области тонкопленочного материаловедения, и может быть успешно использовано в современной технике, особенно в быстро развивающейся технологии интегральных схем. Для нанесения тонких стехиометрических пленок бинарного соединения CdTe проводят следующие технологические операции. Осуществляют последовательную обработку поверхности подложки при 210-390°С парами катион- и анионсодержащих реагентов-прекурсоров диметилкадмия и метилаллилтеллурида в смеси с газом носителем. Проводят промежуточное удаление теллура, избыточного при образовании стехиометрического соединения CdTe, с поверхности подложки путем ее обработки реагентом-прекурсором, образующим с теллуром летучее соединение. Получают качественные тонкие стехиометрические пленки бинарного соединения CdTe без геометрических и химических дефектов. 3 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к металлическим покрытиям, нанесенным путем химико-термического осаждения из паровой фазы, а также к продуктам и способам. Проводят транспортировку металлсодержащего предшественника в транспортной среде через камеру к основе при температуре в транспортном объеме меньшей температуры разложения металлсодержащего предшественника. Осаждение металлического слоя на основу проводят путем разложения на основе металлсодержащего предшественника. Температура у основы выше температуры разложения металлсодержащего предшественника. Температуру основы и температуру металлсодержащего предшественника в транспортном объеме измеряют напрямую. Скорость осаждения и качество указанного металлического слоя на указанной основе контролируют путем регулирования указанной температуры основы и температуры металлсодержащего предшественника в транспортном объеме при использовании транспортных сред, которые насыщены предшественником. Температуру регулируют между транспортными средами и основой и при поддержании для транспортных сред условий по меньшей мере близких к насыщению, при этом улучшается качество тонкой пленки из осажденного металла, а образование побочного продукта - металлической пыли - сильно снижено. 5 н. и 39 з.п. ф-лы, 2 табл., 10 ил.

Изобретение относится к процессу, например химической инфильтрации или химического осаждения из паровой фазы или цементации, осуществляемому в печи. Предложен способ мониторинга хода процесса, осуществляемого в печи и использующего газ-реагент, содержащий, по меньшей мере, один газообразный углеводород. Способ включает настройку рабочих параметров печи, введение в печь газа-реагента, содержащего, по меньшей мере, один газообразный углеводород, и выведение из печи отходящих газов, содержащих побочные продукты реакции газа-реагента. Отходящие газы подвергают промывке маслом, абсорбирующим смолы, содержащиеся в отходящих газах, а из измерения количества смол, абсорбированных маслом, получают информацию о ходе процесса. По полученной информации возможно изменение рабочих параметров печи, таких как температура, давление в печи, расход газа-реагента и состав газа-реагента. Изобретение направлено на создание способа мониторинга хода процесса, осуществляемого в печи, без необходимости использования особого устройства инфильтрационной печи. 4 н. и 10 з.п. ф-лы, 1 ил.

Областью применения изобретения является микроэлектроника, а именно технология изготовления интегральных схем. Предложенный способ включает загрузку полупроводниковых пластин в реактор с горячими стенками перпендикулярно газовому потоку, откачку реактора до предельного вакуума, напуск моносилана для осаждения слоев поликристаллического кремния, прекращение подачи моносилана, откачку реактора до предельного вакуума, напуск в реактор инертного газа до атмосферного давления, выгрузку полупроводниковых пластин из реактора. После напуска в реактор инертного газа проводят дополнительный термоотжиг слоев поликристаллического кремния при температуре, не меньшей 1323 К, затем выдерживают пластины при этой температуре в течение 40-60 мин в потоке инертного газа и снижают температуру до температуры роста слоев поликристаллического кремния. Техническим результатом изобретения является уменьшение неоднородности сопротивления слоев поликристаллического кремния. 1 ил., 2 табл.

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано при изготовлении печатных плат, применяемых при конструировании радиоэлектронной техники. Предложенный способ включает нанесение диэлектрического оксидного покрытия на термостойкую пластину и получение методом фотолитографии рисунка электропроводящей схемы, причем после нанесения диэлектрического оксидного покрытия наносят металлическое покрытие с удельным сопротивлением 1 Ом·см толщиной 15-25 мкм, затем наносят защитное хорошо паяющееся металлорезистивное никелевое или кобальтовое покрытие толщиной 4-5 мкм, при этом в качестве диэлектрического оксидного покрытия используют оксидо-хромовое покрытие черного цвета толщиной не менее 8 мкм с удельным сопротивлением 1×10 ⁹ Ом·см. В частных случаях осуществления способа нанесение диэлектрического оксидного, затем металлического с удельным сопротивлением 1 Ом·см и защитного металлорезистивного хорошо паяющегося покрытий осуществляют на обе стороны термостойкой пластины и внутреннюю поверхность технологических отверстий; в качестве термостойкой пластины используют титановые или медные, или алюминиевые пластины; в качестве металлического покрытия с удельным сопротивлением 1 Ом·см осаждают медь или алюминий, или молибден. Техническим результатом изобретения является изготовление печатных плат с хорошо паяющейся элетропроводящей схемой, устойчивой к окислению, имеющей сопротивление 1 Ом·см. 3 з.п. ф-лы.