Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП): ...путем активирования реакционноспособных газовых струй перед вхождением в реакционную камеру, например путем ионизации или добавления реакционноспособных частиц – C23C 16/452

Изобретение относится к способу выращивания пленки нитрида металла группы (III) химическим осаждением из газовой фазы с удаленной плазмой, устройству для осуществления способа и пленке нитрида металла группы (III) и может найти применение при изготовлении светоизлучающих диодов, лазерных светодиодов и других сверхвысокочастотных транзисторных приборов высокой мощности. Способ включает нагревание объекта, выбранного из группы, включающей в себя подложку и подложку, имеющую буферный слой, в камере для выращивания до температуры в интервале от примерно 400°С до примерно 750°С, образование активных нейтральных азотных компонентов в азотной плазме, расположенной на удалении от камеры для выращивания, и перемещение активных нейтральных азотных компонентов в камеру для выращивания. Реакционную смесь образуют в камере для выращивания, данная реакционная смесь содержит компонент металла группы (III), способный к реакционному взаимодействию с азотным компонентом таким образом, чтобы сформировать пленку нитрида металла группы (III), и пленку нитрида металла группы (III) формируют на нагретом объекте при условиях, обеспечивающих пригодность пленки для использования в приборах. Пленка нитрида металла группы (III) имеет концентрацию кислорода менее 1,6 атомных %. 3 н. и 23 з.п. ф-лы, 3 табл., 21 ил.