Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП): ..характеризуемые способом, используемым для введения газов в реакционную камеру или для модифицирования газовых потоков в реакционной камере – C23C 16/455

Группа изобретений относится к способу нанесения покрытия на бритвенное лезвие, бритвенному лезвию (варианты) и способу нанесения покрытия на деталь бритвенного прибора. Способ нанесения покрытия на бритвенное лезвие включает нанесение в вакуумной камере на по меньшей мере одно лезвие бритвы по меньшей мере одного покрытия из по меньшей мере одного материала с использованием процесса атомно-слоевого осаждения. Причем упомянутым по меньшей мере одним покрытием покрывают полностью поверхность по меньшей мере одной боковой стороны режущей части лезвия и по меньшей мере часть поверхности тела лезвия упомянутого по меньшей мере одного лезвия. Затем производят направленное травление упомянутого по меньшей мере одного покрытия. Изобретение обеспечивает получение конформного равномерного покрытия бритвенного лезвия. Для улучшения характеристик бритья покрытие на бритвенном лезвии может быть подвергнуто травлению во время процесса осаждения, после него или и во время процесса осаждения, и после него. 5 н. и 20 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано в авиационном и энергетическом турбостроении. Осуществляют последовательное осаждение слоев хрома и алюминия с последующим высокотемпературным отжигом в вакууме при температуре 1050±5°С, остаточном давлении 1,3(10^-1-10 ^-3) Па в течение 2-5 часов. Осаждение из газовой фазы слоев хрома выполняют при термическом разложении гексакарбонила хрома Cr(СО)₆, а слоев алюминия - при термическом разложении триметилалюминия Al(СН₃)₃. При осаждении хрома гексакарбонил хрома Cr(CO)₆ нагревают до температуры 110-120°С, в зоне осаждения устанавливают температуру 400-450°С, слой хрома формируют в течение не менее 2-3 часов. При осаждении алюминия триметилалюминий Al(CH₃)₃ нагревают до температуры 100-110°С, в зоне осаждения устанавливают температуру 300-350°С, слой алюминия формируют в течение не менее 5-6 часов. Указанное устройство содержит реакционную камеру, установленную внутри вакуумной камеры и разделенную теплоизолирующей вакуумноплотной перегородкой на предварительную зону и зону осаждения, имеющие разные температурные поля. Нагреваемые контейнеры для размещения упомянутых источников материала покрытия установлены вне вакуумной камеры и соединены с помощью прогреваемых транспортных систем и прогреваемых клапанов с входом в предварительную зону реакционной камеры. Для создания температурного поля использованы нагревательная система и формирующие температурное поле экраны, размещенные в зоне осаждения реакционной камеры.Обеспечивается повышение качества покрытия в отношении прочности и сцепления с материалом турбинной лопатки при повышенных параметрах эксплуатации газотурбинного двигателя. 2 н.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к устройству и способу для химического осаждения материала последовательными поверхностными реакциями насыщения (варианты). Источник исходного продукта выполнен с возможностью осаждения материала на нагретую подложку в реакторе осаждения последовательными насыщающимися поверхностными реакциями. Линия подачи предназначена для подачи пара исходного продукта из источника исходного продукта в реакционную камеру. Устройство отвода тепла от нагревателя реакционной камеры предназначено для предотвращения конденсации пара исходного продукта в жидкую или твердую фазу между источником исходного продукта и реакционной камерой. 4 н. и 12 з.п. ф-лы, 22 ил., 3 пр.

Изобретение относится к производству стержней поликристаллического кремния. Способ осуществляют в реакторе, содержащем донную плиту, образующую нижнюю часть реактора и колоколообразный вакуумный колпак, прикрепленный с возможностью снятия к донной плите, в котором на донной плите расположено множество газоподводящих отверстий для подачи сырьевого газа снизу вверх в реактор, и газовыводящих отверстий для выпуска отработанного газа после реакции, и в котором множество газоподводящих отверстий расположено концентрически по всей площади, охватывающей верхнюю поверхность донной плиты, в которой устанавливают множество кремниевых затравочных стержней, причем кремниевые затравочные стержни нагревают, и поликристаллический кремний осаждают из сырьевого газа на поверхностях кремниевых затравочных стержней, при этом прекращают подачу сырьевого газа из газоподводящих отверстий вблизи центра реактора в течение заданного времени, в то время как подают сырьевой газ из других газоподводящих отверстий на ранней стадии реакции, и обеспечивают путь для нисходящего газового потока после столкновения с потолком вакуумного колпака. Изобретение позволяет эффективно производить высококачественный поликристаллический кремний. 7 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к технологии получения стержней из поликристаллического кремния. Способ включает нагрев множества кремниевых стержней-затравок, помещенных в реакционную печь, с последующим осаждением на поверхностях кремниевых стержней-затравок поликристаллического кремния с помощью сырьевого газа, испускаемого из газовыпускных отверстий, расположенных во внутренней нижней части реакционной печи. Способ включает этап стабилизации осадка, на котором скорость испускания сырьевого газа из газовыпускных отверстий плавно повышают на первой стадии осаждения поликристаллического кремния, при этом 5-15% газовыпускных отверстий закрыто; этап придания формы, на котором первую скорость испускания повышают при скорости повышения более высокой, чем скорость повышения на этапе стабилизации, а затем скорость испускания плавно повышают при скорости, более низкой, чем скорость повышения; при этом длительность, требуемая для этапа придания формы, соответствует 20-35% от общей продолжительности осаждения поликристаллического кремния и 30-55% газовыпускных отверстий закрыто; и этап роста, на котором после этапа придания формы скорость испускания сырьевого газа снижают за счет уменьшения количества закрытых газовыпускных отверстий по сравнению с этапом придания формы. Изобретение позволяет получать большее количество высококачественного поликристаллического кремния, имеющего гладкую морфологию поверхности путем эффективного предохранения поверхности кремниевых стержней от деформации. 3 з.п. ф-лы, 1 табл., 7 ил., 8 пр.

Изобретение касается конструкции источника устройства для нанесения покрытия методом парофазной эпитаксии (VPE). Источник содержит резервуар 2, содержащий жидкий или твердый исходный материал 1 и имеющий по направлению вверх отверстие, подающую линию 3 для реактивного газа 4, который вступает в реакцию с исходным материалом 1 для образования содержащего исходный материал технологического газа 5, крышку 6, находящуюся непосредственно на исходном материале 1, причем крышка 6 образует между собой и поверхностью 7 исходного материала 1 объем 8 для прохождения реактивного газа 4 параллельно поверхности 7, в который входит подающая линия 3, и плавает на исходном материале 1 с помощью поплавков 9, выступающих снизу крышки 6, при этом поплавки 9 образованы полыми телами цилиндрической формы, открытыми по направлению вверх. Изобретение обеспечивает стабилизацию реакции в источнике по времени. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к телам, покрытым твердыми материалами, а также к способу их производства и может быть использовано для инструментов, таких как сверла, фрезы и неперетачиваемые режущие пластинки. Покрытое твердым материалом тело из стали, твердых металлов, керметов или керамики с однослойной или многослойной системой слоев содержит как минимум один твердый слой Ti _1-XAl_XN, полученный химическим осаждением из газовой фазы. Твердый слой представляет собой или однофазный слой кубической NaCl-структуры и стехиометрическим коэффициентом х>0,75 до х=0,93, и постоянной решетки a_fCC между 0,412 нм и 0,405 нм, или многофазный слой, основная фаза которого состоит из Ti_1-XAl_XN с кубической NaCl-структурой, со стехиометрическим коэффициентом х>0,75 до х=0,93, и постоянной решетки a_fCC между 0,412 нм и 0,405 нм. Помимо основной фазы в слое содержатся остальные фазы из Ti_1-XAl _XN с вюртцитовой структурой, и/или из TiN_X с NaCl-структурой, причем содержание хлора твердого слоя Ti _1-XAl_XN лежит в диапазоне от 0,05 до 0,9 атомарных %. Тела из стали, твердых металлов, керметов или керамики покрывают одноуровневой или многоуровневой системой слоев, которая содержит по меньшей мере один твердый слой Ti_1-XAl_X N. На тела наносят покрытие в реакторе при температурах в диапазоне от 700 до 900°С при помощи химического осаждения, в качестве прекурсоров используют галогениды титана, галогениды алюминия, и реактивные азотсодержащие соединения, которые смешивают при повышенных температурах. Получаются тела с покрытиями, обладающие улучшенными характеристиками износоустойчивости и устойчивости к окислению. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к реактору для послойного атомного осаждения. Реактор содержит вакуумную камеру (1), имеющую первую торцевую стенку (2) с монтажным люком, вторую торцевую стенку (3) с задним фланцем, боковые стенки/корпус (4), соединяющие первую и вторую торцевые стенки (2, 3), и по меньшей мере один фитинг (5) материала источника для подачи материалов источника в вакуумную камеру (1) реактора. По меньшей мере один из фитингов (5) материала источника расположен в боковой стенке/корпусе (4) вакуумной камеры (1) реактора. В реакторе обеспечен визуальный контроль, упрощена конструкция реактора. 15 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к химическому нанесению покрытий осаждением паров металлических соединений, используемых в микроэлектронике. Способ получения пленки диоксида кремния включает введение в реакционную зону тетраметоксисилана и кислорода в потоке инертного газа при объемном соотношении тетраметоксисилана к кислороду, равном 1:5-10. Разложение паров тетраметоксисилана в присутствии кислорода и осаждение пленки диоксида кремния на пластинах при температуре 380-500°С при атмосферном давлении в течение 10-30 минут. Осаждение проводят на кварцевых или кремниевых пластинах. Получается однородная пленка диоксида кремния, полученная с малыми затратами энергии и без применения токсичных веществ. 2 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к источнику твердого или жидкого материала для реакторов для осаждения из газовой фазы, устройству для установки источника в реакторе для осаждения из газовой фазы и способу установки источника в реакторе. Источник выполнен с возможностью установки, по меньшей мере, частично в фитинге, соединенном с реакционной емкостью реактора для осаждения из газовой фазы. Источник состоит из стержня (5), имеющего первый конец (11) и второй конец (9), камеры (1) для твердого или жидкого материала, расположенной на втором конце (9) или рядом с ним и имеющей по меньшей мере одну, по меньшей мере, частично открытую стенку и изолирующие средства в виде кожуха, выполненные с возможностью установки на стенке камеры (1) для изоляции камеры от окружающей среды. Изолирующие средства в виде кожуха и камера (1) выполнены с возможностью скольжения друг относительно друга для открытия и/или закрытия камеры (1) после установки источника в фитинге реактора. В результате достигается упрощение обслуживания и работы с источником и устройством. 4 н. и 26 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технологии производства гетероэпитаксиальных структур карбида кремния на кремнии, которые могут быть использованы в качестве подложек при изготовлении элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур. Реактор для синтеза гетероэпитаксальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке путем химического осаждения из газовой фазы включает кварцевую трубу с размещенным в ней контейнером 5 с подложкой 1, нагреватели 6 с резистивным или индукционным типом нагрева и средства подачи в зону синтеза компонентов пленки и водорода, при этом средство подачи водорода содержит активный водород и выполнено в виде трубок 9, расположенных в верхней и нижней стенках контейнера 5 и содержащих отверстия, направленные по нормали к подложке 1, а средство подачи компонентов пленки размещено в испарителе 10 с газораспределительным кольцом с отверстиями, через которые данные компоненты вводятся в зону синтеза параллельно подложке, при этом указанные средства подачи размещены отдельно друг от друга. Отличительная особенность реактора заключается в том, что нагреватели и подложки располагаются параллельно, образуя сэндвич. Данная конструкция позволяет более эффективно использовать излучение от каждого нагревателя. Синтез пленки карбида кремния осуществляют в условиях пониженного давления от 5·10² до 5·10^-2 Па на поверхности как минимум двух кремниевых подложек, имеющих температуру от 800 до 1380°С, и при температуре водорода выше температуры подложки и компонентов пленки как минимум на 100°С. Изобретение позволяет синтезировать высококачественные гетероэпитаксиальные монокристаллические пленки карбида кремния на кремнии при температурах до 1400°С. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к способам и устройствам для получения тонких пленок координационных соединений. Способ включает перевод исходных соединений в газовую фазу в пространственно изолированных зонах, их раздельную транспортировку в зону проведения газофазной реакции посредством газа-носителя и осаждение тонкой пленки. При этом одно из исходных соединении подают в зону реакции, предварительно заполненную вторым исходным соединением в направлении, перпендикулярном направлению подложки, а смешение исходных соединений осуществляют в непосредственной близости от подложки. Установка для осуществления способа включает три связанные между собой, раздельно термостатируемые зоны - (1) и (2) для перевода исходных соединений в газовую фазу и (3) для проведения газофазной реакции. Кроме того, устройство содержит подложкодержатель (4), установленный в зоне (3), вводы (6) и (7) для подачи газа-носителя соответственно в зоны (1) и (2) и вывод (8) для вывода газа-носителя из установки, размещенный в зоне (3) позади подложкодержателя (4). При этом зоны (1) и (3) соединены с возможностью подачи газа-носителя из зоны (1) в зону (3) через вывод (5), площадь сечения которого меньше площади сечения зоны (3) и конец которого расположен ближе к подложкодержателю (4), чем место соединения зон (2) и (3). Технический результат - получение пленок заданного состава и с необходимыми характеристиками. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к получению изделий сложной конфигурации, в частности крупногабаритных тиглей из вольфрама. В реакционной камере проводят восстановление водородом вольфрама из гексафторида вольфрама. Вольфрам осаждают на наружной поверхности медной подложки, нагретой до температуры 500-650°С, при атмосферном давлении в реакционной камере. На первом этапе осуществляют подачу газовой смеси гексафторида вольфрама и водорода в реакционную камеру снизу вверх перпендикулярно поверхности формируемого дна тигля при первоначальном содержании гексафторида вольфрама в газовой смеси 45-50 мол.%, которое постепенно снижают до 30 мол.%. На втором этапе смесь гексафторида вольфрама и водорода подают в камеру сверху вниз параллельно формируемым стенкам тигля при содержании гексафторида вольфрама в смеси 28-30 мол.%. Первый этап проводят до достижения веса осадка вольфрама P₁, определенного для заданных геометрических размеров тигля в соответствии с выражением: Р₁ /2×(s₁-s₂)×(D² ₁/2+hD₂)× _w, где P₁ - вес осадка вольфрама, получаемого на первом этапе процесса при подаче газовой смеси снизу вверх; s₁ - заданная толщина слоя вольфрама на дне тигля; s₂ - заданная толщина слоя вольфрама на верхней кромке боковой стенки тигля; D₁ - средний диаметр осадка на дне тигля, формируемого на первом этапе процесса, равный диаметру подложки на дне плюс удвоенная разность (s₁-s₂); D₂ - средний диаметр подложки на боковой стенке, равный половине суммы диаметров подожки на дне и на верхней кромке тигля; h - заданная высота тигля; _w - плотность вольфрама, составляющая 19,3 г/см ³. Медную подложку удаляют растворением в азотной кислоте. Затем проводят механическую обработку заготовки тигля. Получены крупногабаритные тигли из вольфрама, обладающие высокой плотностью и прочностью. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии, к области тонкопленочного материаловедения, а именно к устройствам для нанесения тонких пленок и диэлектриков. Устройство содержит камеру с рабочей частью внутреннего пространства в форме цилиндра, внутри которой расположены основание, подложка для нанесения пленок, система напуска реагентов и буферных газов, нагревательные элементы и двигатель с валом. При этом основание и подложка выполнены с плоскими и гладкими рабочими поверхностями и установлены с возможностью образования регулируемого зазора между ними за счет изменения в нем давления буферного газа, противодействующего весу груза, размещенного на подложке для регулирования величины зазора между подложкой и основанием. Вал двигателя закреплен нежестко и на нем установлена подвижная муфта для передачи вращения подложке относительно неподвижного основания. В рабочей поверхности основания выполнены углубления, длина которых не превышает радиуса рабочей поверхности основания и в которых расположены отверстия для напуска реагентов в зазор. Технический результат состоит в существенном увеличении скорости наращивания тонких пленок. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области уплотнения пористых субстратов путем инфильтрации газовой фазой. Проводят загрузку уплотняемых субстратов в зону загрузки печи; нагревают субстраты в печи до доведения их до температуры, при которой из газообразного источника или источников, содержащихся в газе-реагенте, образуется требуемый материал матрицы. Затем вводят с одной стороны печи газ-реагент и нагревают его после введения в печь вследствие прохождения через зону нагревания газа, расположенную в направлении прохождения газа-реагента через печь перед зоной загрузки. Газ-реагент подвергают предварительному нагреву перед введением в печь для достижения к моменту введения в печь температуры, промежуточной между температурой окружающей среды и температурой нагрева субстратов. Установка содержит печь, зону загрузки субстратов в печь, средства нагрева субстратов в зоне загрузки, по меньшей мере, одно отверстие ввода в печь газа-реагента и, по меньшей мере, одну зону нагрева газа-реагента, расположенную в печи между отверстием ввода газа-реагента и зоной загрузки. Установка также содержит, по меньшей мере, одно устройство предварительного нагрева газа, расположенное вне печи, соединенное, по меньшей мере, с одним отверстием ввода газа-реагента в печь и обеспечивающее предварительное нагревание газа-реагента перед его вводом в печь. Данный способ и устройство позволяют значительно уменьшить градиент температуры во всей зоне загрузки без больших затрат объема зоны нагрева газа-реагента. 2 н. и 22 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к технологии химической инфильтрации в газовой фазе и может быть использовано для уплотнения пористых подложек, преимущественно для изготовления изделий из композитных материалов посредством уплотнения волокнистых подложек веществом-матрицей. Подложки загружают в загрузочную зону камеры, нагревают внутренний объем камеры и подают газ-реагент в камеру через входное отверстие, расположенное на одном конце камеры. Газ-реагент предварительно нагревают, по меньшей мере, частично посредством его пропускания по трубопроводу, соединенному с входным отверстием для газа-реагента и проходящему через загрузочную зону, до температуры внутренней камеры. Предварительно нагретый газ-реагент распределяют по загрузочной зоне через одно или более отверстий, выполненных в боковой стенке трубопровода по его длине. Изобретение позволяет улучшить распределение и предварительный нагрев газа-реагента и снизить градиенты уплотнения между подложками, расположенными в разных местах загрузочной зоны без снижения емкости загрузки. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 9 ил.