Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП): ..характеризуемые способом, используемым для нагрева подложки – C23C 16/46

Изобретение относится к способу осаждения одного или нескольких тонких слоев. Осуществляют введение органического материала для осаждения компонентов светоизлучающих диодов в виде газа или образующего полимер технологического газа вместе с газом-носителем с помощью газовпускного устройства (3) в осадительную камеру (8), чтобы на поверхности (7 ) субстрата (7), размещенного на несущей поверхности (4 ) держателя подложки, который расположен напротив газовпускного устройства (3), осадить тонкий слой из компонентов светоизлучающих диодов или в виде полимера. Перед введением в осадительную камеру (8) упомянутых материалов осуществляют термостатирование газовпускного устройства (3) и/или несущей поверхности (4 ) держателя подложки так, что температура (TS) несущей поверхности (4 ) держателя подложки ниже температуры (TG) газовпускного устройства (3). Проводят стабилизацию температуры субстрата (7) при давлении (Р1) более 100 Па в осадительной камере (8) путем отведения теплоты к держателю (4) подложки до температуры (TD) субстрата, которая выше температуры (TS) несущей поверхности (4 ) держателя подложки, но ниже температуры (TG) газовпускного устройства (3). Затем давление (Р1) в осадительной камере (8) снижают до рабочего давления (Р2). При достижении рабочего давления (Р2) в осадительную камеру (8) подают органический материал для осаждения компонентов светоизлучающих диодов в виде газа или образующий полимер технологический газ, транспортируемый посредством газа носителя. Обеспечивается нанесение покрытия при температуре субстрата, превышающей температуру несущей поверхности держателя подложки. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр.

Изобретение относится к устройствам для получения борных волокон. Устройство для получения борных волокон содержит сборный корпус, состоящий из стеклянных неразборных камер. Каждая камера содержит два ртутных и два газовых штуцера, выполненных в виде стеклянных трубок. Внутри каждой камеры расположены стеклянные усеченные конусообразные элементы, впаянные между газовым штуцером для подвода паров борсодержащих соединений и газовым штуцером для вывода реакционных газов с образованием резервуара для ртути и сужающиеся по направлению движения керна в виде вольфрамовой проволоки, на которую осаждается бор. В узкой части усеченных конусообразных элементов размещены вставки из абразивного материала с отверстиями. Повышается производительность и надежность устройства, облегчается его обслуживание, а также увеличивается техногенная безопасность. 1 ил.

Изобретение относится к устройствам для получения пиролизом монофиламентных карбидокремниевых волокон. Устройство для получения карбидокремниевых волокон состоит из одной или более камер. Каждая камера выполнена в виде стеклянной трубки с двумя штуцерами для подачи газовой смеси алкилхлорсиланов с водородом, с двумя ртутными штуцерами и двумя сливными штуцерами с возможностью удаления из одной или более камер жидких продуктов, образующихся при получении карбидокремниевых волокон. Внутри каждой камеры расположены усеченные конусообразные стеклянные элементы с отверстиями в вершинах, сужающиеся по направлению движения керна для осаждения карбида кремния и впаянные между штуцерами подвода газа с образованием резервуара для ртути. Керн выполнен в виде вольфрамовой проволоки или углеродного волокна, а в сужающейся части усеченных конусообразных стеклянных элементов расположены вставки из абразивостойкого материала с отверстиями. Повышается надежность и производительность предложенного устройства, снижается количество используемой ртути, облегчается обслуживание этого устройства. 1 ил.

Изобретение относится к устройству и способу управления температурой поверхности, по меньшей мере, одной подложки, лежащей в технологической камере реактора CVD. Подложка размещена в опорной выемке (20) опоры держателей подложки на удерживаемом образованной газовым потоком динамической газовой подушкой (8) держателе подложки (9). Подвод тепла к подложке (9) осуществляют, по меньшей мере, частично с помощью теплопроводности через газовую подушку. Для уменьшения боковых отклонений температуры поверхности подложки от среднего значения образующий газовую подушку (8) газовый поток создают из двух или более газов с различно высокой удельной теплопроводностью и состав газов изменяют в зависимости от измеренных температур подложки. В результате достигается эффективное уменьшение боковых отклонений температуры поверхности подложки от среднего значения и соответственно повышается качество получаемого покрытия. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к способу выращивания пленки нитрида металла группы (III) химическим осаждением из газовой фазы с удаленной плазмой, устройству для осуществления способа и пленке нитрида металла группы (III) и может найти применение при изготовлении светоизлучающих диодов, лазерных светодиодов и других сверхвысокочастотных транзисторных приборов высокой мощности. Способ включает нагревание объекта, выбранного из группы, включающей в себя подложку и подложку, имеющую буферный слой, в камере для выращивания до температуры в интервале от примерно 400°С до примерно 750°С, образование активных нейтральных азотных компонентов в азотной плазме, расположенной на удалении от камеры для выращивания, и перемещение активных нейтральных азотных компонентов в камеру для выращивания. Реакционную смесь образуют в камере для выращивания, данная реакционная смесь содержит компонент металла группы (III), способный к реакционному взаимодействию с азотным компонентом таким образом, чтобы сформировать пленку нитрида металла группы (III), и пленку нитрида металла группы (III) формируют на нагретом объекте при условиях, обеспечивающих пригодность пленки для использования в приборах. Пленка нитрида металла группы (III) имеет концентрацию кислорода менее 1,6 атомных %. 3 н. и 23 з.п. ф-лы, 3 табл., 21 ил.

Изобретение относится к аппаратурному оформлению процесса осаждения из газовой фазы кристаллических слоев на кристаллическую подложку. Устройство для осаждения, в частности, кристаллических слоев на, по меньшей мере, одну, в частности, кристаллическую подложку с образованной несколькими стеновыми частями 1, 2, 3, 4 технологической камерой 5, стеновые части 1, 2, 3, 4 которой электропроводны и стыкуются друг с другом с образованием контактов 2', 2'', 3', 3'' касания, с заключающим в себе стеновые части 1, 2, 3, 4 технологической камеры, состоящим из неэлектропроводного материала корпусом 6 реактора и с окружающей стеновые части 1, 2, 3, 4 технологической камеры нагревательной катушкой 7 высокой частоты, содержит расположенную между корпусом 6 реактора и стенками 1, 2, 3, 4 технологической камеры, выполненную в виде одной детали, массивную экранирующую нагревательную трубку 8, материал которой является электропроводным в такой степени, что она нагревается от вихревых токов, индуцированных созданным посредством катушки 7 высокой частоты высокочастотным полем, в значительном объеме подавляет высокочастотное поле и окружает технологическую камеру 5 таким образом, что стеновые части 1, 2, 3, 4 технологической камеры нагреваются с помощью теплового излучения. Изобретение позволяет предотвратить локальное нагревание в области зон касания отдельных стеновых частей технологической камеры, что обеспечивает внутри нее равномерный температурный профиль. 13 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение касается устройства для выполнения процесса плазменного химического осаждения из газовой фазы (PCVD), способа изготовления заготовки (варианты), способа изготовления оптического волокна (варианты) и печи для поддержания температуры подложки в процессе PCVD. Один или более легированных или нелегированных слоев наносят на внутреннюю поверхность стеклянной трубки подложки способом PCVD. Устройство содержит аппликатор, имеющий внутреннюю и внешнюю стенки, и волновод, который открывается в аппликатор. Аппликатор продолжается вокруг цилиндрической оси, и он имеет проход, примыкающий к внутренней стенке, через который могут выходить микроволны. По его цилиндрической оси помещают трубку подложки. В аппликаторе имеется, по меньшей мере, одна дроссельная канавка кольцеобразной формы, имеющая длину l и ширину b, которая центрирована вокруг цилиндрической оси внутри аппликатора. Технический результат заключается в повышении производительности процесса плазменного химического осаждения из газовой фазы и уменьшении утечки высокочастотной энергии из аппликатора в процессе PCVD. 7 н. и 24 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к системе токоприемника для устройства обработки подложек и/или пластин, снабженной камерой обработки, ограниченной, по меньшей мере, двумя стенками и, по меньшей мере, одним нагревательным соленоидом. Система токоприемника содержит, по меньшей мере, один токоприемный элемент, ограниченный наружной поверхностью и выполненный из электрически проводящего материала, подходящего для нагревания посредством электромагнитной индукции; токоприемный элемент является полым. Первая часть наружной поверхности токоприемного элемента пригодна для образования стенки камеры обработки. Вторая часть наружной поверхности токоприемного элемента пригодна для расположения вблизи нагревательного соленоида. Технический результат заключается в достижении равномерности нагрева камеры. 2 н. и 23 з.п. ф-лы, 6 ил.

Данное изобретение относится к системе токоприемника для устройства, выполненного с возможностью обработки подложек и/или пластин. Система токоприемника имеет полость (1), которая служит камерой для обработки подложек и/или пластин и которая проходит в продольном направлении и ограничена верхней стенкой (2), нижней стенкой (3), правой боковой стенкой (4), и левой боковой стенкой (5). Верхняя стенка (2) образована, по меньшей мере, одной деталью из электрически проводящего материала, подходящего для нагревания посредством электромагнитной индукции. Нижняя стенка (3) образована, по меньшей мере, одной деталью из электрически проводящего материала, подходящего для нагревания посредством электромагнитной индукции. Правая боковая стенка (4) образована, по меньшей мере, одной деталью из инертного, отражательного и электрически изолирующего материала, левая боковая стенка (5) образована, по меньшей мере, одной деталью из инертного, отражательного и электрически изолирующего материала. Каждая деталь верхней стенки (2) электрически хорошо изолирована от каждой детали нижней стенки (3). Технический результат заключается в обеспечении равномерного нагрева камеры, что позволяет получать качественные покрытия, а также заключается в простоте конструкции системы токоприемника и устройства для обработки подложек и/или пластин. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 5 ил.