Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП): ..путем использования электрических разрядов – C23C 16/50

Изобретение относится к пленкообразующему устройству, согласующему блоку упомянутого устройства и способу управления импедансом и может найти применение при изготовлении изделий с пленочным покрытием, полученным плазмохимическим осаждением из газовой фазы. Изобретение обеспечивает управление импедансом, чтобы избежать гашения плазмы, вызванного резким изменением импеданса нагрузки, что может произойти сразу после возникновения плазмы. Пленкообразующее устройство содержит источник питания, согласующую цепь, управляющую секцию, электрод, выполненный с возможностью приема электроэнергии от источника питания через согласующую цепь и генерирования плазмы на основе электроэнергии внутри пленкообразующей камеры. В камере размещена мишень для образования пленки. Управляющая секция выполнена с возможностью управлять импедансом согласующей цепи. Управляющая секция поддерживает импеданс согласующей цепи постоянным в течение периода остановки согласования, начинающегося в первый момент времени, когда источник питания начинает подавать электроэнергию на электрод, и управляет импедансом согласующей цепи на основе мощности волны, отраженной от электрода, в течение периода автоматического согласования, начинающегося во второй момент времени, когда заканчивается период остановки согласования. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к способу и устройству плазменного осаждения полимерных покрытий. Обрабатываемые образцы помещают в вакуумную камеру. Заполняют вакуумную камеру реакционным газом, содержащим, по меньшей мере, один способный к плазменной полимеризации газ-мономер. Генерируют плазму посредством зажигания и поддержания двухступенчатого тлеющего разряда в двух пространственно разделенных разрядных объемах и осаждают полимерное покрытие на поверхность обрабатываемого образца. Первый разрядный объем отделяют от второго разрядного объема с помощью перфорированного электрода, размер отверстий в котором превышает 0,1 мм. Обрабатываемый образец устанавливают на электроде, который размещают во втором разрядном объеме напротив перфорированного электрода. На электрод, служащий держателем обрабатываемого образца, подают потенциал смещения относительно перфорированного электрода. В первом разрядном объеме могут использоваться различные виды газового разряда: индукционный высокочастотный разряд, емкостный высокочастотный разряд, разряд постоянного тока. Разряд может поддерживаться в импульсной форме. В процессе плазменной полимеризации регулируют расстояние между перфорированным электродом и электродом, служащим держателем обрабатываемого образца. Изобретение позволяет обеспечить независимое регулирование скорости осаждения полимерного покрытия, структуры и свойств осаждаемого покрытия при высокой производительности технологического процесса. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технологии получения изделий из поликристаллического алмаза, получаемого из смеси метана и водорода в плазме разряда. Проводят подготовку подложки прорезанием на ней канавок с образованием площадки, соответствующей конфигурации готового изделия. Канавки выполняют шириной, составляющей удвоенную толщину пленки готового изделия, и глубиной, превышающей ширину. Выращивают на подложке алмазную пленку из смеси метана и водорода в разряде и отделяют ее от подложки в виде готового изделия. Упрощается получение готовых изделий из поликристаллического алмаза.

Изобретение относится к технологии получения электропроводящих полимерных пленок, покрытий (слоев) и может быть использовано в электротехнике, электронной технике, оптоэлектронике. Предложенный термостабильный электропроводящий полимерный слой содержит допированный иодом полимерный слой на основе 1-амино-9,10-антрахинона и имеет электропроводность от 10^-2 до 10² Ом ^-1 см^-1. Указанный слой получают полимеризацией паров 1-амино-9,10-антрахинона при пониженном давлении в разряде постоянного тока на катоде при температуре преимущественно от 150 до 300°С, обеспечивающей необходимое давление паров, в течение времени преимущественно от 5 до 30 мин, достаточного для достижения необходимой толщины слоя при любых сочетаниях параметров процесса полимеризации. Затем полученный слой допируют парами иода. Величина тока разряда составляет от 5 до 100 мА, преимущественно от 15 до 30 мА. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 1 табл.