Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП): ...с использованием разрядов постоянного или переменного тока – C23C 16/503
Патенты в данной категории
ПЛАЗМЕННЫЙ РЕАКТОР ДЛЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО ОСАЖДЕНИЯ АЛМАЗНЫХ ПЛЕНОК ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ
Изобретение относится к плазменному реактору и может найти применение для высокоскоростного осаждения алмазных пленок из газовой фазы в плазме СВЧ разряда. Плазменный реактор содержит СВЧ генератор, передающую линию, оканчивающуюся квазиоптической электродинамической системой, и реакционную камеру с установленной в ней подложкой для осаждения алмазной пленки. Передающая линия выполнена в виде единой волноводной системы, объединяющей выходной волновод СВЧ генератора с излучением на рабочей моде и делитель одного пучка на два одинаковых волновых пучка. Реакционная камера выполнена в виде сплошного замкнутого металлического экрана выпуклой формы с возможностью отражения к подложке рассеянного плазмой СВЧ излучения. Зеркала квазиоптической электродинамической системы крепятся внутри реакционной камеры к ее боковой стенке. В результате достигается существенное уменьшение потерь СВЧ энергии как при передаче ее от СВЧ генератора до реакционной камеры, так и в самой реакционной камере. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил. |
2416677 патент выдан: опубликован: 20.04.2011 |
|
ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ АЛМАЗНЫХ ПЛЕНОК ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ В ПЛАЗМЕ СВЧ-РАЗРЯДА И ПЛАЗМЕННЫЙ РЕАКТОР ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ Изобретение может быть использовано при получении поликристаллических алмазных пленок (пластин) для изготовления выходных окон мощных источников СВЧ-излучения. В реакционной камере активизируют газовую смесь водорода и углеводорода путем повышения концентрации электронов в плазме СВЧ-разряда. Образовавшиеся атомы углеродсодержащих радикалов осаждают на подложку, обеспечивая формирование поликристаллической алмазной пленки в результате поверхностных реакций. Активацию указанной газовой смеси осуществляют за счет создания в реакционной камере устойчивой неравновесной плазмы с помощью СВЧ-излучения с мощностью не менее 1 кВт и частотой, много большей обычно используемой частоты 2,45 ГГц. Для локализации плазмы вблизи подложки формируют стоячую волну, в пучностях которой генерируют и поддерживают плазменные слои с возможностью регулирования их размера. Изобретение обеспечивает высокую скорость осаждения алмазных пленок высокого качества на подложки, диаметром более 100 мм. 2 с. и 13 з.п. ф-лы, 1 табл., 8 ил. | 2215061 патент выдан: опубликован: 27.10.2003 |
|