Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП): ..устройства, специально приспособленные для непрерывного покрытия – C23C 16/54

Изобретение относится к устройству для осаждения атомного слоя и к способу загрузки этого устройства. Устройство содержит реакторы ALD, каждый из которых выполнен с возможностью приема партии подложек для ALD-обработки и включает реакционную камеру с верхней загрузкой, систему крышек, подъемное устройство для подъема системы крышек для загрузки реакционной камеры, и загрузочный робот. Загрузочный робот включает захватную часть и устройство перемещения, при этом загрузочный робот выполнен с возможностью осуществления нескольких операций загрузки для загрузки каждого из реакторов ALD. Каждая операция загрузки включает подхват захватной частью в зоне или на полке складирования держателя подложек c партией подложек, перемещение устройством перемещения держателя подложек с партией подложек в реакционную камеру соответствующего реактора ALD и опускание упомянутого держателя подложек вертикально сверху в соответствующую реакционную камеру. Повышается автоматизация устройства и его производительность. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области высоковольтной техники, к силовым полупроводниковым устройствам и, в частности, к способу и устройству для одностадийного двустороннего нанесения слоя покрытия из аморфного гидрогенизированного углерода на поверхность кремниевой пластины, а также к держателю подложки для поддержки кремниевой пластины. Используют кремниевую пластину (4), содержащую первую большую сторону с первым скосом по кромке первой большой стороны и вторую большую сторону с центральным участком и вторым скосом по кромке второй большой стороны, окружающей центральный участок, причем вторая большая сторона противоположна первой большой стороне, помещают кремниевую пластину (4) на опору (31) для подложки держателя (3) подложки, причем опору (31) для подложки выполняют с возможностью обеспечения контакта лишь центрального участка второй большой стороны пластины (4) с опорой (31) для подложки. Затем помещают держатель подложки с пластиной (4) в реакционную камеру (8) плазменного реактора, в которой на первый и второй скосы одновременно воздействуют плазмой (6), для получения осажденного слоя (7) из аморфного гидрогенизированного углерода. Обеспечивается возможность одностадийного двухстороннего нанесения пассивирующего слоя, обеспечивающего электрическую неактивность участка полупроводниковой пластины. 3 н. и 14 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к способу и устройству нанесения тонкопленочных покрытий на подложки и может быть использовано для нанесений тонкопленочных покрытий с заданными оптическими, электрическими и другими характеристиками. Технический результат заключается в обеспечении возможности обработки как гибких крупноформатных подложек, так и подложек небольшого размера с высокой степенью равномерности покрытия. Подложки располагают на вращающихся барабанах, которые последовательно перемещают вдоль зон обработки технологической линии с одинаковой постоянной линейной и угловой скоростью. При этом соотношение линейной и угловой скоростей барабана выбирается таким образом, чтобы каждая точка поверхности барабана совершала не менее двух полных оборотов при прохождении зоны обработки. В технологической линии содержатся шлюзовые, буферные камеры и по крайней мере одна технологическая камера с технологическим устройством, держатели подложек и транспортная система. Держатели расположены на каретках, установленных с возможностью последовательного прохождения камер. Каждый держатель подложек выполнен в виде вращающегося барабана. Каретки выполнены с возможностью перемещения с постоянной линейной скоростью. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к технологии вакуумной обработки подложек большой площади путем осаждения пленок из паровой или газовой фазы, используемых, в частности, при изготовлении тонкопленочных солнечных элементов. Установка содержит по меньшей мере одну загрузочную шлюзовую камеру (2), по меньшей мере две следующие за ней камеры (4, 5) осаждения, по меньшей мере одну разгрузочную шлюзовую камеру (10) и средства перемещения подложек, последующей обработки подложек и/или транспортировки подложек через различные камеры и внутри них. Камеры осаждения предназначены для работы при по существу одинаковых параметрах нанесения покрытия, включая расход газа, давление, продолжительность обработки и используемые химические вещества. Камеры установлены с образованием цепи камер осаждения, в каждой из которых выполняют часть осаждения. Обеспечиваются равномерные свойства осажденного на подложки слоя, а также повышается производительность. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к устройству для плазменного химического парофазного осаждения пленки на поверхности полосообразной подложки и может найти применение при изготовлении дисплеев. Барабаны для осаждения (2 и 3) устройства расположены напротив, параллельно друг другу, таким образом, чтобы подложка S, намотанная на них, была обращена к каждому. Элементы 12 и 13, генерирующие магнитное поле, которое сводит плазму к поверхности барабана, обращенного к зазору 5 между барабанами, расположены в каждом барабане 2 и 3 для осаждения. В устройстве имеется источник питания плазмы 14, полярность которого переменно реверсируется между одним электродом и другим электродом. Труба для подачи газа 8 предназначена для подачи газа, формирующего пленку, в зазор 5. Средство для вакуумирования предназначено для вакуумирования зазора. Один электрод источника 14 питания плазмы соединен с одним барабаном 2 для осаждения, а другой его электрод соединен с другим барабаном 3 для осаждения. В результате устройство позволяет снизить осаждение пленки на внутренней части вакуумной камеры и предотвратить отслоение пленки. 4 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к реактору для послойного атомного осаждения. Реактор содержит вакуумную камеру (1), имеющую первую торцевую стенку (2) с монтажным люком, вторую торцевую стенку (3) с задним фланцем, боковые стенки/корпус (4), соединяющие первую и вторую торцевые стенки (2, 3), и по меньшей мере один фитинг (5) материала источника для подачи материалов источника в вакуумную камеру (1) реактора. По меньшей мере один из фитингов (5) материала источника расположен в боковой стенке/корпусе (4) вакуумной камеры (1) реактора. В реакторе обеспечен визуальный контроль, упрощена конструкция реактора. 15 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к источнику твердого или жидкого материала для реакторов для осаждения из газовой фазы, устройству для установки источника в реакторе для осаждения из газовой фазы и способу установки источника в реакторе. Источник выполнен с возможностью установки, по меньшей мере, частично в фитинге, соединенном с реакционной емкостью реактора для осаждения из газовой фазы. Источник состоит из стержня (5), имеющего первый конец (11) и второй конец (9), камеры (1) для твердого или жидкого материала, расположенной на втором конце (9) или рядом с ним и имеющей по меньшей мере одну, по меньшей мере, частично открытую стенку и изолирующие средства в виде кожуха, выполненные с возможностью установки на стенке камеры (1) для изоляции камеры от окружающей среды. Изолирующие средства в виде кожуха и камера (1) выполнены с возможностью скольжения друг относительно друга для открытия и/или закрытия камеры (1) после установки источника в фитинге реактора. В результате достигается упрощение обслуживания и работы с источником и устройством. 4 н. и 26 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к устройству плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на пленке. Пленка (22) поддерживается между парой подвижных барабанов, расположенных на стороне входа и стороне выхода участка осаждения (25) по отношению к направлению перемещения пленки (22). Затем пленку (22) заставляют перемещаться линейно в место осаждения. Расстояние между решеткой для распыления (37) и пленкой (22) сохраняется постоянным, и качество слоя получается гомогенным. Пленку нагревают с помощью металлической ленты (40), одновременно перемещающейся на обратной стороне пленки. Подвижные барабаны поднимаются из положения осаждения в положение самоочистки, и пленка (22) может быть отделена от решетки для распыления (37). Самоочистка может быть проведена на пути осаждения на пленку, закрывая щель маски (51) заслонкой (65) и, таким образом, предотвращая рассеяние очищающего газа. Изобретение позволяет получить высокое качество слоя за счет подачи реакционного газа равномерно к площади осаждения пленки, и можно выполнять процесс самоочистки участка осаждения на пути осаждения на пленку. 18 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится системе и способу химического осаждения из паров (ХОП) для нанесения на деталь реактивного двигателя алюминидного покрытия и может найти применение при изготовлении и ремонте реактивных двигателей. Выполняют покрытие, состоящее из двух или большего числа примесных металлических компонентов. Алюминидное покрытие способно образовывать защитный сложный оксид при последующем нагреве в окислительной среде. По меньшей мере, один из примесных металлов в алюминидном покрытии доставляют в виде отдельного парофазного реагента из контейнера, соединенного закрытым ходом с реакционной камерой системы ХОП и свободного от газа-носителя. Алюминидное покрытие образуют посредством химического объединения парофазного реагента с другим парофазным реагентом, образованным либо на месте в реакционной камере, либо поданным газом-носителем к реакционной камере от источника исходного вещества. В результате получают качественное покрытие.2 н. и 35 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к устройству и способу для нанесения покрытия методом химического осаждения из газовой фазы (CVD) и может найти использование при изготовлении пластмассовых контейнеров с защитным покрытием. Устройство содержит транспортерное средство, по меньшей мере одну станцию для нанесения покрытия на по меньшей мере две обрабатываемые детали, по меньшей мере одно средство вакуумирования и средства для генерации плазмы по меньшей мере в одном подрайоне станции нанесения покрытия. Имеется устройство для соединения средства для генерации электромагнитных волн с по меньшей мере одной станцией для нанесения покрытия. Транспортерное средство выполнено с возможностью перемещения по меньшей мере одной станции нанесения покрытия. Изобретение позволяет осуществить более экономически выгодное нанесение CVD покрытия в процессе его длительного нанесения. 2 н. и 26 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к устройству и способу вакуумного осаждения для образования осажденных в вакууме пленок на несущей пленке и может найти использование в различных отраслях машиностроения. Устройство содержит подающий валик для подачи несущей пленки, подающий направляющий валик для направления несущей пленки в вакуум, покрывающий валик для прохождения вокруг него несущей пленки и осаждения на ней в вакууме слоя с образованием пленки с покрытием, приемный валик для наматывания на него пленки с покрытием и приемный направляющий валик для удерживания осажденной в вакууме пленки со слоем покрытия, направляемой с покрывающего валика. Средство синхронизации устройства выполнено с возможностью уравнивания периферийной скорости V1 покрывающего валика и периферийной скорости V2 отводящего направляющего валика, так что V1=V2. В результате приемный направляющий валик не будет тереться об осажденный в вакууме слой, расположенный на поверхности пленки, что позволяет устранить вероятность царапания осажденного в вакууме слоя. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 16 ил.

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способу эксплуатации вакуумной установки с изменениями давления между рабочим и окружающим пространством. Вакуумная камера содержит встроенные детали (12, 13, 13а, 24), например, электронные элементы, трансформаторы, моторы, подшипники качения и направляющие валки, снабженные вентилируемыми оболочками. Направляющие валки (12) снабжены подшипниками (24) качения, удерживаемыми внутри оболочек на опорных телах (7, 8). Для того чтобы эти встроенные детали (13, 13а), включая направляющие валки (12) и их подшипники качения, при заполнении вакуумной камеры (V) защитить от проникновения пыли и других частиц, перед заполнением вакуумной камеры (V) в оболочки впускают газ, посредством которого твердые тела, такие как пыль и частицы, выдувают из оболочек и предотвращают проникновение твердых тел в оболочки. Газ пропускают во время всего процесса заполнения вакуумной камеры (V) через оболочки с регулированием. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.