Электролитические способы травления или полирования: ..полупроводниковых материалов – C25F 3/12

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности полупроводниковых пластин от органических загрязнений и получению пористой поверхности кремния при изготовлении различных структур. Очистку от органических загрязнений и получение пористой поверхности полупроводниковых пластин осуществляют совместно в одну стадию в растворах HBF ₄ или NH₄HF₂, активированных озоном высокой концентрации 17% и выше. Травление полупроводниковых пластин осуществляют в концентрированных, более 10%, растворах HBF₄ или NH₄HF₂. Применение предложенного способа очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин в растворах HBF₄ или NH ₄HF₂, активированных озоном высокой концентрации, позволит упростить технологию, понизить температуру процесса очистки, снизить энергоемкость, сократить число стадий и время обработки пластин, повысить экологическую безопасность очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил.

Изобретение относится к области изготовления селективных мембран для молекулярной фильтрации газовых смесей и может найти применение в компактных топливных элементах. Способ изготовления газопроницаемой мембраны включает нанесение вакуумным напылением на поверхность монокристаллической кремниевой пластины по замкнутому контуру металла, химически устойчивого в концентрированных растворах фтористо-водородной кислоты в условиях анодной поляризации, и последующее двустороннее электрохимическое травление ограниченного упомянутым контуром участка упомянутой пластины. Процесс травления ведут до момента его спонтанного прекращения, определяемого по излому на кривой временной зависимости анодного тока, на площади пластины, не закрытой напыленным металлом. Способ позволяет повысить однородность по толщине фильтрующего слоя сплошного монокристаллического кремния, осуществить механическое упрочнение мембраны и увеличить ее проницаемость по газу. 2 н. и 29 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области изготовления полупроницаемых мембран для молекулярной фильтрации газовых потоков и для разделения реакционных пространств в химических реакторах. Способ получения газопроницаемой мембраны включает двустороннее электрохимическое травление монокристаллической пластины из соединения А^III B^V n-типа проводимости или из полупроводника А ^IV с шириной запрещенной зоны Е 1,0 эВ и уровнем легирования 10¹⁷-10²⁰ 1/см³. Устанавливают режимы упомянутого травления, обеспечивающие формирование однородно пористых слоев, а процесс травления ведут до момента спонтанного прекращения электрохимического процесса и образования сплошного разделительного слоя стационарной толщины на заданной части площади пластины, определяемых по излому на кривой временной зависимости анодного тока. Газопроницаемая мембрана, полученная таким способом, обладает повышенной проницаемостью для молекул легких газов и повышенными показателями селективности при комнатной температуре. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 ил.