Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния: .термической обработкой, например отжигом деформаций – C30B 1/02
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 1/00 Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния
C30B 1/02 .термической обработкой, например отжигом деформаций
Патенты в данной категории
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КАРБИД КРЕМНИЯ SIC И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ)
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для светоизлучающих диодов, рентгеновских оптических элементов, высокотемпературных полупроводников и т.д. Сущность изобретения: комплекс (М), сформированный путем выращивания пластины (4) из поликристаллического  -SiC способом термохимического осаждения из паровой фазы на поверхностях (2а) ориентации кристалла, которые объединены в одном направлении, многочисленных пластинчатых заготовок из монокристаллического SiC, уложенных в стопу и находящихся в плотном контакте, подвергают термообработке при температуре в диапазоне 1850-2400°С, за счет чего монокристалл, ориентированный в том же направлении, что и кристаллографические оси заготовок из монокристаллического SiC, выращивают от поверхностей ориентации кристалла в направлении к пластине из поликристаллического -SiC. В результате этого можно легко и эффективно получать монокристаллический SiC высокого качества, в котором на поверхности раздела не образуются зародыши кристаллизации, примеси, дефекты в виде микрораковин и т.д. 3 с. и 15 з.п.ф-лы, 9 ил.
|
2162902 патент выдан: опубликован: 10.02.2001 |
|
МОНОКРИСТАЛЛ SiC И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Выращен комплекс (M), который выполнен укладыванием в стопку поликристаллической  -SiC пластины на поверхности монокристаллического  -SiC базового материала с плотным контактом через отполированную поверхность или получен путем химического парового осаждения, затем подвергнут тепловой обработке при температуре в диапазоне от 1850 до 2400oC, посредством чего поликристаллы поликристаллической кубической -SiC пластины трансформированы в монокристалл, а монокристалл ориентирован в том же направлении, что и кристаллическая ось монокристаллического -SiC базового материала. В результате легко и продуктивно может быть получен большой монокристалл SiC высокого качества, не имеющий микроусадочных дефектов, дефектов решетки, образования шероховатых границ, вызванных примесями и т.п. 4 с. и 17 з.п. ф-лы, 8 ил.
|
2160329 патент выдан: опубликован: 10.12.2000 |
|
| МОНОКРИСТАЛЛ SiC И СПОСОБЫ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности при производстве диодов, усилителей и оптических элементов.Комплекс (M), который выполнен посредством выращивания поликристаллической -SiC пластины, имеющей толщину около 10 мкм или более, на поверхности монокристаллического -SiC базового материала посредством напыления высококачественным магнетроном или термохимическим паровым осаждением подвергнут тепловой обработке при температуре в пределах от 1650 до 2400oC, благодаря чему поликристаллы поликристаллической кубической -SiC пластины трансформированы в монокристалл и выращен монокристалл, ориентированный в том же направлении, как кристаллическая ось монокристаллического -SiC базового материала. В результате легко и продуктивно получается монокристалл SiC высокого качества, который, преимущественно, свободен от микроусадочных дефектов и дефектов, вызванных микроусадочными дефектами. 2 с. и 9 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
2160328 патент выдан: опубликован: 10.12.2000 |
|
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ SiC И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для производства светодиодов, оптических элементов и т.д. Поверхность монокристаллической -SiC подложки 1 обрабатывается так, чтобы иметь шероховатость поверхности, равную или меньше, чем среднеквадратическое отклонение  , и предпочтительно равную или меньше, чем среднеквадратическое отклонение  . На поверхности 1а монокристаллической -SiC подложки 1 термическим химическим осаждением из газовой фазы выращивается поликристаллическая -SiC пленка 2. После этого комплекс M помещается в пористый углеродный контейнер 3 и внешняя сторона углеродного контейнера 3 покрывается -SiC порошком 4. Комплекс M подвергается термообработке при высокой температуре, равной или меньшей, чем температура роста пленки, т.е. в диапазоне от 1900 до 2400oC, в потоке газа аргона, посредством чего интегрально выращивается монокристалл -SiC на монокристаллической -SiC подложке 1 на основе кристаллического роста и перекристаллизации поликристаллической -SiC пленки 2. Получают монокристалл -SiC большого размера, который имеет высокое качество и в котором не генерируются кристаллические зародыши. 2 с. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 табл.
|
2160327 патент выдан: опубликован: 10.12.2000 |
|