Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера: ...твердые или жидкие компоненты, например по методу Вернейля – C30B 11/10
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 11/00 Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера
C30B 11/10 ...твердые или жидкие компоненты, например по методу Вернейля
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЗВЕЗДЧАТЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКИСЛОВ ПО МЕТОДУ ВЕРНЕЙЛЯ Использование: изобретение относится к области производства кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма по методу Вернейля. Изобретение обеспечивает повышение оптических качеств кристалла: прозрачность, насыщенность цветовой окраски, повышение эффекта астеризма. Процесс выращивания кристаллов включает подачу шихты, состоящей из оксида алюминия, диоксида титана и окрашивающей добавки, а камеру кристаллизации через центральный канал двухканальной сопловой горелки с коаксиальным расположением каналов, подачу водорода и кислорода, плавление шихты в зоне фронта кристаллизации и роста затравочного кристалла и последующий отжиг полученного кристалла. При этом через периферийный канал горелки подают гремучую смесь водорода и кислорода при процентном их содержании, равном 100 : 50, а по центральному каналу дополнительно под избыточным давлением по отношению к гремучей смеси подают кислород с обеспечением окислительной атмосферы в зоне плавления шихты. Общее соотношение водорода и кислорода равно от 100:51 до 100:60. Причем шихта содержит диоксид титана в расчете на оксид алюминия в количестве равном: ТiО2 = 0,4-1,0 мас.%. Выращивание монокристалла осуществляют при температуре 2030 - 2100oC с перепадом температуры между фронтом кристаллизации и внутренней стенкой камеры кристаллизации, не превышающем 100oC, а скорость роста кристалла задают из диапазона 0,7 - 2,0 мм/ч, с об- ратной зависимостью от концентрации диоксида титана. 2 з.п. ф-лы. | 2124077 патент выдан: опубликован: 27.12.1998 |
|
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА Изобретение относится к кристаллографии, конкретнее к устройствам для выращивания монокристаллов из расплава, и может быть использовано, в частности, для получения монокристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации в вакууме. Цель: повышение возможности автоматизации работы устройства и уменьшение расхода воды на его охлаждение. Сущность изобретения: устройство для выращивания монокристаллов из расплава, содержащее кристаллизационную камеру, установленный в ней нагреватель, систему управления напряжением нагревателя, систему вакуумирования кристаллизационной камеры с блоком управления и систему водяного охлаждения, дополнительно снабжено блоками контроля температуры и расхода воды в системе охлаждения. Выходы блоков управления системой вакуумирования и контроля температуры воды и один из выходов блока контроля расхода воды соединены с соответствующими входами системы управления напряжением нагревателя, другой выход блока расхода воды подключен ко входу блока управления системой вакуумирования. Отличие состоит также в том, что система водяного охлаждения выполнена в виде независимо регулируемых контуров охлаждения кристаллизационной камеры, системы вакуумирования и системы управления напряжением нагревателя, и каждый контур снабжен блоками контроля температуры и расхода воды. Наилучший результат достигается тогда, когда контур водяного охлаждения системы управления напряжением нагревателя выполнен в виде по меньшей мере двух независимых магистралей. 2 з.п. ф-лы, 1 ил. | 2085625 патент выдан: опубликован: 27.07.1997 |
|
| ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА ФИОЛЕТОВОЙ ГАММЫ Изобретение относится к выращиванию монокристаллов корунда сине-фиолетовой гаммы окраски и может быть использовано в ювелирной промышленности. Шихта на основе оксида алюминия содержит окрашивающие добавки титана, железа, хрома, кобальта, ванадия, никеля и меди, а также в качестве минерализаторов добавки марганца, кальция, цинка и магния при следующем соотношении компонентов, мас. в расчете на оксид алюминия: титан 0,030 0,0070; железо 0,0001 0,7000; хром 0,0001 - 0,7000; кобальт 0,0001 0,7000; ванадий 0,0001 0,7000; никель 0,0001 0,7000; медь 0,0001 0,7000; марганец 0,0001 0,0500; кальций 0,0001 0,0030; магний 0,0001 0,0040; цинк 0,0001 - 0,0030; оксид алюминия остальное. Кристаллы выращивают методом Вернейля, после чего отжигают в вакууме. 1 табл. | 2049832 патент выдан: опубликован: 10.12.1995 |
|