Выращивание монокристаллов зонной плавкой, очистка зонной плавкой: .гомогенизация зонным выравниванием – C30B 13/04
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 13/00 Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой
C30B 13/04 .гомогенизация зонным выравниванием
Патенты в данной категории
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов методом направленной кристаллизации в замкнутом конвейере, в частности к выращиванию монокристаллов в условиях микрогравитации путем управления конвективными потоками в расплаве. Сущность изобретения: на наружной стенке замкнутого контейнера создают нестационарное неоднородное тепловое поле, отвечающее условию: T(![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
2182606 патент выдан: опубликован: 20.05.2002 |
|