Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского: .вытягивание вниз – C30B 15/08
Патенты в данной категории
СЦИНТИЛЛЯТОР ДЛЯ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ НЕЙТРОНОВ И НЕЙТРОННЫЙ ДЕТЕКТОР
Изобретение может быть использовано в медицинских томографах, при неразрушающем контроле в промышленности, для обеспечения безопасности при осмотре личного имущества, в физике высоких энергий. Сцинтиллятор для детектирования нейтронов содержит кристалл фторида металла из ряда, включающего LiCaAlF6 , LiSrAlF6, LiYF4, служащий в качестве матрицы, в котором содержание атомов 6Li в единице объема (атом/нм3) от 1,1 до 20. Кристалл имеет эффективный атомный номер от 10 до 40 и содержит, по меньшей мере, один вид лантаноида, выбранного из группы, состоящей из церия, празеодима и европия. Нейтронный детектор содержит указанный сцинтиллятор и фотодетектор. Для получения кристалла фторида металла расплавляют смесь, составленную из фторида лития, фторида указанного металла, имеющего валентность 2 или выше, и фторида лантаноида, и выращивают монокристалл из расплава. Сцинтиллятор по изобретению имеет высокую чувствительность к нейтронному излучению и пониженный фоновый шум, связанный с |
2494416 патент выдан: опубликован: 27.09.2013 |
|
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МЕТОДОМ ОТФ Cd1-XZnXTe, ГДЕ 0![]() ![]() Изобретение относится к технологии получения монокристаллов Cd1-xZnxTe (CZT), где 0 |
2434976 патент выдан: опубликован: 27.11.2011 |
|
УСТАНОВКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ
Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации из расплава и может быть использовано для получения крупных монокристаллов. Установка для получения монокристаллов методом вытягивания вниз включает средство подачи порошкообразного сырья 2, шахтную многозонную вакуумную печь 4 с контролируемой атмосферой и средство поддержания соответствующего температурного градиентного поля 5 в ней, установленный в печи 4 тигель 7 для приема расплавленного сырья, затравочный кристалл 9, установленный на штанге 10 с возможностью вращения и возвратно-поступательного вертикального перемещения, средство откачки летучих примесей, а также зону отжига и охлаждения 12 монокристалла 1 в печи 4, расположенную ниже тигля 7. Согласно изобретению установка дополнительно содержит контейнер 13, контактирующий с зоной отжига и охлаждения 12 монокристалла 1 в печи 4 с возможностью сообщения с ней посредством разъемного двойного вакуумного шлюза 14, который размещен на его верхнем торце, а нижний торец контейнера 13 выполнен в виде съемной крышки 15, при этом контейнер 13 оснащен средствами поддержания в нем соответствующего температурного градиентного поля 16 и состава контролируемой атмосферы печи, а разъемный двойной вакуумный шлюз 14 выполнен как с возможностью вращения и возвратно-поступательного вертикального перемещения в нем штанги 10, так и с возможностью замены контейнера 13 с выращенным монокристаллом 1 на другой взаимозаменяемый контейнер с затравочным кристаллом на штанге. Кроме того, взаимозаменяемые контейнеры смонтированы в моноблок карусельного типа с центральной вертикальной осью вращения, при этом моноблок установлен с возможностью поочередного сообщения контейнеров с зоной отжига и охлаждения 12 монокристалла 1 в печи 4. Технический результат: практическое удвоение производительности оборудования. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. |
2418109 патент выдан: опубликован: 10.05.2011 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА
Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации из расплава и может быть использовано для получения крупных монокристаллов оксидов металлов. Способ получения монокристаллов методом вытягивания вниз включает создание и поддержание в шахтной вакуумной многозонной печи соответствующего температурного градиентного поля, ввод порошкообразного сырья в печь из внешнего питателя на электропроводящее средство получения расплава сырья, поддержание температуры средства получения расплава и тигля не ниже точки плавления сырья, а также затравливание, формирование, отжиг и охлаждение монокристалла. Сырье перед вводом в печь предварительно электризуют, а на средство получения расплава подают потенциал, противоположный знаку заряда сырья, при этом ввод сырья в печь осуществляют от внешнего питателя центробежного типа. Кроме того, допустима подача на средство получения расплава сырья наноразмерных фракций, а также допустимо осуществление разогрева сырья и средства получения расплава светолучевым обогревателем некогерентного излучения; выполнение средства получения расплава в виде цилиндра с коническим торцем в сторону тигля и осуществление его вращения или возвратно-поступательного вертикального движения с возможностью вращения; осуществление сканирования средства получения расплава сфокусированным лучом светолучевого обогревателя. Технический результат изобретения заключается в увеличении производительности процесса, уменьшении себестоимости производства исходного сырья до 28%; сокращении суммарных удельных массовых энергозатрат. 4 з.п. ф-лы, 3 ил. |
2418108 патент выдан: опубликован: 10.05.2011 |
|
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА (ВАРИАНТЫ), СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА (ВАРИАНТЫ) И МОНОКРИСТАЛЛ (ВАРИАНТЫ) Изобретение относится к технологии получения монокристаллов. Сущность изобретения: в устройстве для получения монокристалла, использующем способ вытягивания вниз, расплав 5m сырья непрерывно загружают в тигель 2 с целью выращивания кристалла 18 путем загрузки порошкообразного сырья 5р на расположенную до зоны расплава пластину 3 внутри электрической печи 10 с помощью устройства 20 загрузки порошкообразного сырья, плавления порошкообразного сырья 5р на расположенной до зоны расплава пластине 3 с образованием расплава 5m сырья и перетекания его внутрь тигля 2. Для предотвращения увлажнения порошка 5р сырья в него внутри бункера 6 порошкообразного сырья вводят осушенный воздух. Транспортную трубу 9 для переноса сырья 5m охлаждают для предотвращения заполнения ее расплавом порошкообразного сырья 5р. Указанные особенности делают возможным получение монокристалла, имеющего стабильный химический состав, больший диаметр и большую длину при низкой стоимости. 7 c. и 13 з.п. ф-лы, 9 ил. | 2215070 патент выдан: опубликован: 27.10.2003 |
|