Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского: ..с использованием прямого нагрева сопротивлением в дополнение к другим методам нагрева, например с использованием эффекта Пельтье – C30B 15/18

МПК Раздел C C30 C30B C30B 15/00 C30B 15/18

Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ

C30 Выращивание кристаллов

C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей

C30B 15/00 Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского

C30B 15/18 ..с использованием прямого нагрева сопротивлением в дополнение к другим методам нагрева, например с использованием эффекта Пельтье

Патенты в данной категории

	ОКРАШЕННЫЙ МОНОКРИСТАЛЛ Изобретение относится к области выращивания монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий. Цель изобретения - расширение гаммы окраски монокристалла. Монокристалл имеет химическую формулу A_xMe_y-M_uGa_tO₁₂, где A - двухвалентный ион, Me - по крайней мере, один элемент с валентностью, отличной от трех, M - окрашивающая примесь, x3,05, y3,0, u1,2, 1,9t5;0, 0,15. Монокристалл также может содержать дополнительную примесь с валентностью, отличной от валентности окрашивающей примеси. 21 з.п. ф-лы.	2026897 патент выдан: опубликован: 20.01.1995