Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского: ...с использованием механических средств, например формонаправляющих приспособлений – C30B 15/24
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 15/00 Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского
C30B 15/24 ...с использованием механических средств, например формонаправляющих приспособлений
Патенты в данной категории
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЦИНТИЛЛЯЦИОННОГО МОНОКРИСТАЛЛА ЛЮТЕЦИЙ- ИТТРИЕВОГО АЛЮМИНАТА
Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов лютеций-иттриевого алюмината, и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений в медицинской диагностирующей аппаратуре. Способ получения монокристалла лютеций-иттриевого алюмината, активированного примесью Се, по методу Чохральского, заключается в выращивании монокристалла вытягиванием из расплава шихты, содержащей оксид алюминия Al2О3 на затравку из иридиевых тиглей при температуре расплава от 1900 до 2000 С, скорости вытягивания затравки из расплава от 0,1 до 8,0 мм/ч, скорости ее вращения от 2,5 до 30 мин-1 и скорости охлаждения монокристалла после окончания процесса выращивания от 50 до 500С/ч, при этом используют затравку из монокристалла алюмината иттрия либо монокристалла алюмината иттрия с содержанием примеси редкоземельных ионов не более 1 весового процента, в исходную шихту вводят оксид лютеция Lu2O3 и оксид иттрия Y2O3 в молярном отношении от 1 до 20 и в молярном отношении их суммарного содержания с упомянутым оксидом алюминия Al2O3 от 0,95 до 1,05 от стехиометрии и примеси оксида церия CeO2, в количестве, обеспечивающем в готовом кристалле содержание Се от 0,01 до 0,9 весовых процентов, а выращивание осуществляют в газовой среде, состоящей из инертных газов с содержанием кислорода в пределах от 10-6 до 1 объемных процентов. Предлагаемый способ обеспечивает существенное улучшение оптических свойств кристаллов и увеличение их световыхода. 5 табл.
|
2233916 патент выдан: опубликован: 10.08.2004 |
|
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ Изобретение относится к области выращивания тугоплавких кристаллов методом Чохральского. В основу технического решения положена задача создания устройства для выращивания кристаллов методом Чохральского, в котором за счет установки внутри расплава в тигле гидродинамической вставки, содержащей внешнюю и внутреннюю части, создания криволинейных каналов и наличия в их нижней части кольцевого зазора между этими частями, выполнены условия для поддержания естественной конвекции в тигле и ее превращения в вынужденную, что приводит к выравниванию температуры в тигле без увеличения скорости вращения кристалла, позволяет управлять формой фронта кристаллизации и также приводит к устранению возможности появления деформационных дефектов выращиваемого кристалла и к улучшению качества выращиваемого кристалла. 4 з.п. ф-лы, 5 ил. | 2191853 патент выдан: опубликован: 27.10.2002 |
|