Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского: .держатели затравочных кристаллов, например зажимные патроны – C30B 15/32

Изобретение относится к области выращивания высококачественных, чистых монокристаллических материалов, прежде всего - полупроводниковых и может быть использовано, в частности, при получении бездислокационных монокристаллов кремния разного диаметра и длины методом бестигельной зонной плавки. Узел крепления нагретого тела на штоке 4 в герметичной камере включает держатель 1 нагретого тела и расположенный между ним и штоком 4 теплопередающий стержень 3, на верхнем торце 7 которого закреплен держатель 1 нагретого тела, при этом узел дополнительно содержит наружную теплопроводящую трубу 2, внутри которой с зазором коаксиально расположен стержень 3 с держателем 1 нагретого тела, причем верхний торец 5 наружной трубы 2 расположен ниже держателя 1, а нижний торец 6 соединен со штоком 4, кроме того, внутри наружной теплопроводящей трубы 2 закреплена заглушка 9, на которой сверху закреплен нижний торец 8 стержня 3. Узел также может содержать дополнительную внутреннюю теплопроводящую трубу, вставленную коаксиально с зазором в наружную теплопроводящую трубу, причем внутренняя теплопроводящая труба короче внешней, трубы соединены между собой по верхним торцам, образуя в плоскости осевого сечения меандр. Узел также может содержать несколько дополнительных внутренних теплопроводящих труб, вставленных с зазором коаксиально одна в другую, соединенных между собой попарно, образуя в плоскости осевого сечения меандр, при этом внутренние трубы короче наружной, а заглушка закреплена на нижнем торце ближайшей к стержню внутренней трубе. Технический результат изобретения заключается в максимальном снижении тепловых нагрузок на шток путем уменьшения отвода тепла в аксиальном направлении, за счет увеличения теплового сопротивления между нагретым телом и штоком и излучения части тепла в окружающее пространство с поверхностей теплопередающих элементов, что позволяет увеличить срок бесперебойной работы установки с герметичной технологической камерой за счет повышения надежности работы уплотнений ввода движений штоков при минимальных размерах технологической камеры. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области выращивания высококачественных чистых монокристаллических материалов, прежде всего полупроводниковых, и может быть использовано, в частности, в установках для получения бездислокационных монокристаллов кремния разного диаметра и длины методами бестигельной зонной плавки (БЗП), Чохральского и другими. Узел крепления нагретого тела на штоке 1 в герметичной камере, включающий держатель 2 нагретого тела и теплопередающую втулку 3 для осесимметричного крепления держателя 2 на штоке 1, дополнительно содержит последовательно закрепленные на верхнем торце втулки 3, по меньшей мере, три параллельных друг другу и перпендикулярных оси втулки диска, нечетные 5, 7 из которых имеют расположенные по одной окружности дугообразные вырезы, а четный диск 6 - радиальные, в форме овальных или прямоугольных секторов вырезы, образующие ламели, количество которых в два раза больше числа вырезов на нечетных дисках, при этом диски взаимно расположены так, что против каждого выреза нечетного диска расположены две ламели четного диска, кроме того, диски скреплены попарно между собой, по меньшей мере, тремя расположенными равномерно по окружности перемычками, причем перемычки между последовательными парами дисков смещены относительно друг друга в угловом направлении. Ламели четного диска могут иметь конусную форму. Технический результат заключается в максимальном снижении тепловых нагрузок на шток путем уменьшения отвода тепла в аксиальном направлении за счет увеличения теплового сопротивления между нагретым телом и штоком и излучения большей части тепла в окружающее пространство с поверхности теплопередающих элементов, что обеспечивает увеличение срока бесперебойной работы установок с герметичными технологическими камерами за счет повышения надежности работы уплотнений ввода движений штоков. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов методом Чохральского. Выращивание легированных кристаллов ниобата лития состава, близкого к стехиометрическому, осуществляют на затравочный кристалл из расплава шихты ниобата лития конгруэнтного состава с отношением Li/Nb, равным 0,938-0,946, и содержащим 9-13 мол. % K₂O и 0,5-2,5 мол. % MgO или ZnO, в условиях приложенного электрического поля плотностью тока 0,2-40 А/м ². Приведено устройство для осуществления способа, содержащее корпус с камерой роста и камерой охлаждения, тигель 1, размещенный в камере роста, индукционный нагреватель, верхний металлический нагревательный экран 4, установленный над тиглем 1, механизм перемещения кристалла со штоком, стержень с держателем 3 затравочного кристалла 2. Устройство дополнительно снабжено стабилизированным источником постоянного тока 10 с электродами; над затравочным кристаллом 2 установлен дополнительный груз из электропроводящего материала, отделенный от стенок держателя непроводящим электрический ток материалом, при этом один из электродов подключен к тиглю 1, а второй электрод подключен к грузу. Изобретение позволяет выращивать крупногабаритные оптически однородные кристаллы ниобата лития состава, близкого к стехиометрическому Li/Nb>0,994, дополнительно легированных MgO или ZnO, состав которых в верхней и нижней части кристалла практически одинаков, без разрушения затравочного кристалла. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 2 ил.