Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев: .с использованием расплавленных растворителей, например флюсов – C30B 19/02
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 19/00 Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев
C30B 19/02 .с использованием расплавленных растворителей, например флюсов
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения монокристаллов нитрида галлия, а также твердых растворов на его основе. Способ включает нагрев и выдержку при заданной температуре либо нагрев и медленное охлаждение от заданной температуры в контейнере при поддержании градиента температуры между верхней и нижней частями контейнера под давлением азотсодержащего газа шихты, содержащей источник галлия и компоненты флюса. Флюс в качестве основных компонентов содержит цианиды, или цианамиды, или дицианамиды щелочных и/или щелочноземельных металлов и модифицирующие добавки, повышающие растворимость нитрида галлия и/или увеличивающие скорость роста и/или позволяющие управлять физическими свойствами получаемых кристаллов. За счет состава флюса, химического инертного по отношению к материалу контейнера, снижается скорость коррозии последнего, при этом также повышается качество получаемых монокристаллов. 15 з.п. ф-лы, 2 табл. |
2477766 патент выдан: опубликован: 20.03.2013 |
|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ (ВАРИАНТЫ), СТРУКТУРА КАРБИДА КРЕМНИЯ (ВАРИАНТЫ) Использование: изобретение относится к способу попучения эпитаксиальных слоев карбида кремния, которые являются по существу свободными от дефектов в виде микротрубочек. Способ включает рост эпитаксиального слоя карбида кремния на подложке из карбида кремния путем жидкофазной эпитаксии из расплава карбида кремния в кремнии и в элементе, который увеличивает растворимость карбида кремния в расплаве. Атомный процент этого элемента доминирует над атомным процентом кремния в расплаве. Дефекты в виде микротрубочек, распространяемые подложкой в эпитаксиальный слой, закрываются с помощью продолжения роста эпитаксиального споя при соответствующих условиях до тех пор, пока эпитаксиальный слой не будет иметь толщину, при которой дефекты в виде микротрубочек, присутствующие в подложке, не будут по существу далее воспроизводиться в эпитаксиальном слое. Изобретение позволяет существенно уменьшить число дефектов в виде микротрубочек в эпитаксиальном слое. 5 с. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил. | 2142027 патент выдан: опубликован: 27.11.1999 |
|
| ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ ФЕРРИТ-ГРАНАТОВАЯ СТРУКТУРА Использование: при разработке и изготовлении малогабаритных планарных СВЧ приборов на поверхностных магнитостатических волнах (ПМСВ). Сущность изобретения: эпитаксиальная феррит-гранатовая структура (ЭФГС), содержащая подложку из гадолиний-галлиевого граната (ГГГ) ориентации (100), включает пленку на основе железо-иттриевого граната (ЖИГ) с содержанием Ga, L a и/или Se и разориентирована от плоскости (100) к плоскости (110) на угол 0 - 15o. Предлагаемая структура обеспечивает термостабильность частот возбуждения ПМСВ в интервале от -70 до +85oС. 2 ил. | 2061112 патент выдан: опубликован: 27.05.1996 |
|
СПОСОБ ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ РАБОЧЕЙ ЧАСТОТЫ УСТРОЙСТВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ
Использование: при конструировании и разработке устройств аналоговой обработки информации СВЧ диапазона. Сущность изобретения: кристаллографическая ориентация плоскости пленки ЖИГ, используемой в качестве волноведущего элемента, разориентирована на 0 15° от плоскостей (100) или (210) или (110) или (211), в качестве постоянного магнита используют магнит из сплава с неотрицательным температурным коэффициентом напряженности магнитного поля, затем магнит и пленку соединяют, при этом ПМСВ направляют под таким углом и выбранной в плоскости пленки кристаллографической оси, для которого температурный коэффициент частоты ПМСВ в пленке  F относится к температурному коэффициенту напряженности магнитного поля H, как F/H= H/F (dF/dН), где Н напряженность магнитного поля; F частота ПМСВ. Предлагаемый способ позволяют обеспечить термостабильность рабочей частоты устройства аналоговой обработки СВЧ сигналов в более расширенном интервале температур (от -60 до +85°С). 1 з. п. ф-лы, 3 ил. 1 табл.
|
2051209 патент выдан: опубликован: 27.12.1995 |
|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАГНИТООПТИЧЕСКИХ СТРУКТУР Использование: в магнитооптике при создании управляемых транспорантов, изоляторов и т.д. Сущность изобретения: структуру получают путем жидкофазного осаждения висмутсодержащей эпитаксиальной пленки из переохлажденного раствора-расплава на подложку из кальций-ниобий-галлиевого граната. Предварительно на подложку напыляют слой кремня толщиной 0,1 - 0,2 мкм с последующим отжигом ее при 900 - 910°С в течение 5 - 6 ч. Такая обработка обеспечивает повышение качества поверхности подложки и пленки. Улучшение морфологии поверхности подложки повышает коэффициент вхождения висмута в пленку и тем самым обеспечивает увеличение фарадеевского вращения. 1 табл. | 2038432 патент выдан: опубликован: 27.06.1995 |
|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение в промышленности при изготовлении ряда дискретных полупроводниковых приборов (например, тензодатчиков, полевых транзисторов, переключателей, датчиков малых перемещений и других приборов). Предложенный способ включает создание композиции из пластины-подложки и пластины-источника, ориентированных в направлении 100 и скомпонованных с зазором между ними 10 - 40 мкм и углах разориентации плоскостей, перпендикулярных их рабочим поверхностям, равным 1 - 20°, формирование в зазоре жидкой зоны, создание градиента температуры и последующую локальную перекристаллизацию пластины - источника путем сканирования лазерного пучка до выхода на ее поверхность фрагментированной зоны. Перед сканированием лазерного пучка вблизи поверхности пластины - источника со стороны подводимого пучка располагают фильтр из иртрана, представляющий собой круглую пластинку диаметром, равным диаметру пластины - источника, на эффективной поверхности фильтра, равной площади квадрата, вписанного в окружности фильтра, изготавливают сквозные щели. | 2026895 патент выдан: опубликован: 20.01.1995 |
|