Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев: ..с растворителем, являющимся компонентом кристаллической композиции – C30B 19/04

МПК Раздел C C30 C30B C30B 19/00 C30B 19/04

Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ

C30 Выращивание кристаллов

C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей

C30B 19/00 Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев

C30B 19/04 ..с растворителем, являющимся компонентом кристаллической композиции

Патенты в данной категории

	МАТЕРИАЛ, СТОЙКИЙ К ПОТОКАМ -КВАНТОВ Изобретение относится к магнитной микроэлектронике, радиационной физике твердого тела и может быть использовано при конструировании элементов памяти и логики на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), применяющихся в полях g-излучений. Поставленная цель достигается тем, что в качестве материала для изготовления элементов памяти и логики на ЦМД, работающих в условиях интенсивного облучения g-квантами, используются эпитаксиальные пленки ферритов - гранатов (Ca, Ge) - системы, выращенные на подложках Gd₃Ga₅O₁₂ методом жидкофазной эпитаксии из стехиометрического раствора - расплава на основе PbO-B₂O₃. 4 табл., 2 ил.	2072005 патент выдан: опубликован: 20.01.1997
	СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для создания оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне 0,59-0,87 мкм. Изобретение обеспечивает повышение качества гетерограницы, расширение спектрального диапазона материала от 0,59 до 0,87 мкм и получение однородного по составу эпитаксиального слоя. Способ включает осаждение эпитаксиального слоя на подложку GaAs из раствора-расплава с подпиткой его из кристалла-источника, следующего состава ,ат. %: Аl - 1,0-17,0, Р - 0,5-41,0, As - 9,0- 49,5, Ga - остальное. Состав раствора-расплава, ат. %: Al - 0,0019 -0,0560; P-0,0130-2,0500; As - 3,580-22,300; In - 0,8660-92,4065; Ga - остальное. Процесс ведут в поле с температурным градиентом между источником и подложкой. Получены слои толщиной 62-96 мкм однородные по составу. 2 табл.	2064541 патент выдан: опубликован: 27.07.1996
	СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ШИРОКОЗОННОГО ОКНА В ЛАЗЕРНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ A³B⁵ И ИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Изобретение относится к технологии п/п приборов. Сущность изобретения - на лазерной гетероструктуре n-n-n-p-p готовят линейные зоны в маске из оксида кремния. Между подложкой из арсенида галлия и гетероструктурой формируют жидкую линейную зону на основе свинца или висмута и ведут зонную перекристаллизацию. Через 1,5 - 2 ч направление градиента температуры меняют. В области линейных зон происходит образование широкозонных участков. По ним скалыванием по плоскостям (011) формируют резонаторы Фабри-Перо с широкозонными окнами. 5 ил.	2032776 патент выдан: опубликован: 10.04.1995