Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев: .нагревание реакционной камеры или подложки – C30B 19/08
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 19/00 Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев
C30B 19/08 .нагревание реакционной камеры или подложки
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ ГРАДИЕНТОМ ТЕМПЕРАТУРЫ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЕВЫХ ЗОН Использование: изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение при изготовлении интегральных схем и полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ включает перекристаллизацию в нестационарных тепловых полях двух - пяти градиентных нагревателей путем последовательного перемещения пластин кремния от одного нагревателя к другому без их выключения, причем первые один - два нагревателя поднимают температуру до 700 - 1200oС, а остальные - снижают до 1000oС, смену пластин проводят на смежных нагревателях при равенстве их температур, восстановление температуры нагревателей осуществляют в отсутствие пластин кремния, продолжительность цикла работы каждого нагревателя определяют по математической зависимости. 2 табл., 5 ил. | 2107117 патент выдан: опубликован: 20.03.1998 |
|