Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала: ..конденсацией ионизированных паров – C30B 23/08
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 23/00 Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала
C30B 23/08 ..конденсацией ионизированных паров
Патенты в данной категории
| ОТЖИГ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ АЛМАЗОВ, ПОЛУЧЕННЫХ ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ
Изобретение относится к отжигу алмаза, а именно к отжигу монокристаллического CVD-алмаза. Способ включает увеличение температуры CVD-алмаза до температуры отжига, составляющей по меньшей мере 1500°С при давлении по меньшей мере 4,0 ГПа в пределах стабильной фазы графита или только в пределах стабильной фазы алмаза. В частных случаях выполнения изобретения после достижения CVD-алмазом температуры отжига проводят понижение температуры монокристаллического CVD-алмаза до температуры окружающей среды при сохранении давления на монокристаллическом CVD-алмазе. Перед отжигом может быть проведена первоначальная стадия выращивания монокристаллического коричневого алмаза при температуре примерно 1400-1460°С в атмосфере, содержащей 4-5% N2/CH4. Получают осветленный или бесцветный монокристаллический алмаз с улучшенными оптическими свойствами, в котором устранены дефекты. 8 з.п. ф-лы. |
2324764 патент выдан: опубликован: 20.05.2008 |
|
| УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖКАХ Использование: оборудование для производства элементов полупроводниковой техники. Сущность изобретения: установка для выращивания эпитаксиальных полупроводниковых структур на монокристаллических подложках включает вакуумную камеру, в которой размещены исполнительный орган манипулятора в виде поворотной относительно ее продольной оси штанги со съемным подложкодержателем, нагреватель, содержащий корпус с размещенным в нем нагревательным элементом и тепловой экран с полостями в его стенках для подачи охлаждающей жидкости. Нагреватель установлен на свободном конце поворотной штанги, а съемный подложкодержатель размещен на корпусе нагревателя с зазором относительно нагревательного элемента. Тепловой экран нагревателя с полостями в его стенках выполнен в виде двух стаканов, охватывающих со всех сторон нагреватель с подложкодержателем и снабженных стержнями, поворотными относительно осей, перпендикулярных продольной оси штанги манипулятора. В стержнях выполнены каналы для подачи и отвода охлаждающей жидкости, которые сообщены с полостями в стенках стаканов теплового экрана, при этом в днище стакана, расположенного со стороны подложкодержателя, выполнено окно, сообщающее подложку с вакуумной камерой. Техническим результатом изобретения является повышение качества полупроводниковых соединений за счет уменьшения разложения аммиака в вакуумной камере. 3 ил. | 2158986 патент выдан: опубликован: 10.11.2000 |
|
ИСПАРИТЕЛЬНЫЙ ТИГЕЛЬ
Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах. Сущность изобретения: в испарительном тигле, содержащем объем для испаряемого вещества и закрепленный на его горловине сепарирующий элемент, сепарирующий элемент выполнен в виде вставки с винтовым каналом. Использование изобретения позволяет снизить вероятности попадания остаточных паров вакуумного объема в тигель молекулярного источника без значительного уменьшения проводимости тигля и значительно снизить плотность дефектов в эпитаксиальных структурах. Использование изобретения позволило снизить плотность дефектов в пленке теллурида кадмия с величины 2  103 см-2 до величины, меньшей чем 1 102 см-2. 2 ил.
|
2133308 патент выдан: опубликован: 20.07.1999 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НИТРИДОВ ЭЛЕМЕНТОВ ГРУППЫ A3
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения. Сущность изобретения: способ получения эпитаксиальных структур нитридов элементов группы А3 на кристаллических подложках включает создание в вакуумной камере в бесстолкновительном режиме одного или нескольких молекулярных потоков, содержащих элементы группы А3, и молекулярного потока аммиака посредством подачи его в вакуумную камеру из газового источника; отношение плотности  молекулярного потока амиака к суммарной плотности  молекулярных потоков элементов группы А3 лежит в пределах 100 - 10000. Изобретение позволяет повысить качество эпитаксиальных структур, а также скорость их роста. 1 ил.
|
2132890 патент выдан: опубликован: 10.07.1999 |
|
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ Использование: устройство для молекулярно-лучевой эпитаксии относится к вакуумной технике и может быть использовано в технологии получения тонкопленочных многослойных покрытий. Устройство содержит вакуумную технологическую камеру, размещенные в ней напротив подложки кольцевые рассеиватели, системы подачи паров материалов, соединяющие рассеиватели с источниками паров материалов, манипулятор для перемещения подложек и охлаждаемые экраны. Кольцевые рассеиватели установлены в технологической камере в виде пакета друг относительно друга, источники паров вынесены за пределы технологической камеры и снабжены системами подачи газовых металлоорганических соединений, а в камере кольцевого рассеивателя установлена дросселирующая решетка, разделяющая ее на две кольцевые камеры. К технологической камере присоединены шлюзовые камеры, в которых размещены системы загрузки испаряемых материалов, включающие в себя источники паров твердых материалов, снабженные запорными устройствами, узлами стыковки с паропроводами или кольцевыми рассеивателями и связанные со шлюзовой камерой вакуумными вводами движения с приводами, обеспечивающими перемещение источников для стыковки с паропроводами или кольцевыми источниками. 12 з.п. ф-лы, 8 ил. | 2111291 патент выдан: опубликован: 20.05.1998 |
|
| ИСТОЧНИК МОЛЕКУЛЯРНОГО ПОТОКА Изобретение относится к оборудованию для получения материалов и многослойных структур полупроводниковых соединений. Источник молекулярного потока рабочего вещества содержит испаритель вещества с нагревателем, формирователь потока с нагревателем, управляющий элемент и привод управляющего элемента. Управляющий элемент выполнен в виде заслонки и расположен внутри канала, соединяющего испаритель и формирователь потока, поверхность перекрытия канала заслонкой выполнена под острым углом к оси канала, а конфигурация внешней поверхности заслонки согласована с формой внутренней поверхности канала в месте расположения заслонки. Кроме того, кинематические пары, обеспечивающие перемещение заслонки, и связь с приводом, выполнены гибкими связями. Использование изобретения позволяет регулировать интенсивность и перекрывать молекулярный поток вне зависимости от конфигурации и используемого формирователя потока при различных расходах и режимах течения молекул паров рабочего вещества без переналадки источника и искажения диаграммы направленности исходящего из формирователя потока в процессе регулирования. Расширяется диапазон температурных режимов работы источника и используемых для испарения веществ, упрощается конструкция при одновременном исключении конденсации рабочего вещества на регулирующем элементе и других элементах конструкции контактирующих с потоком. 1 с.п. ф-лы, 5 ил. | 2064980 патент выдан: опубликован: 10.08.1996 |
|
ТИГЕЛЬ ИЗ НИТРИДА БОРА И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ
Изобретение относится к усовершенствованному тиглю из нитрида бора и способу его получения. Тигель из нитрида бора имеет закрытый и открытый конец и наружную поверхность, часть которой, близкая к открытому концу тигля, имеет двухслойное покрытие, содержащее нижележащий слой пиролитического графита и верхний слой пиролитического нитрида бора, полностью перекрывающий нижележащий слой. Слои осаждают на матрицу, имеющую форму получаемого тигля. Слой из пиролитического графита получают толщиной от 0,254  10-6 до 0,254 10-4 мкм путем разложения углеводородного газа. Слой из пиролитического нитрида бора получают толщиной от 0,508 10-6 до 0,0254 10-4 мкм путем взаимодействия галогенидов бора с аммиаком. 2 с. и 4 з. п. ф-лы, 2 ил.
|
2059025 патент выдан: опубликован: 27.04.1996 |
|