Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы: ...с подложкой из того же материала, что эпитаксиальный слой – C30B 25/20

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического алмазного материала для электроники и ювелирного производства. Способ включает выращивание монокристаллического алмазного материала методом химического осаждения из паровой или газовой фазы (CVD) на главной поверхности (001) алмазной подложки, которая ограничена по меньшей мере одним ребром <100>, длина упомянутого по меньшей мере одного ребра <100> превышает наиболее длинное измерение поверхности, которое является ортогональным упомянутому по меньшей мере одному ребру <100>, в соотношении по меньшей мере 1,3:1, при этом монокристаллический алмазный материал растет как по нормали к главной поверхности (001), так и вбок от нее, и во время процесса CVD значение составляет от 1,4 до 2,6, где =( 3×скорость роста в <001>) ÷ скорость роста в <111>. Изобретение позволяет получать имеющие большую площадь алмазные материалы с низкой плотностью дислокаций. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 8 ил., 3 пр.

Изобретение относится к технологии получения легированных бором монокристаллических алмазных слоев методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), которые могут быть использованы в электронике, а также в качестве ювелирного камня. Сущность изобретения: в указанном слое суммарная концентрация бора однородна. Слой образуется в одном секторе роста, или толщина слоя превышает 100 мкм, или объем слоя превышает 1 мм³ , или слой характеризуется комбинацией указанных характеристик. Способ получения слоя монокристаллического алмаза, легированного бором, включает стадию получения алмазной подложки, которая имеет поверхность, по существу не содержащую дефектов кристаллической решетки, стадию получения исходного газа, который включает источник бора, стадию разложения исходного газа и стадию гомоэпитаксиального роста алмаза на указанной поверхности, по существу не содержащей дефектов кристаллической решетки. Изобретение позволяет получать толстые монокристаллические алмазные слои высокой чистоты с однородными и полезными электронными свойствами. 4 н. и 42 з.п. ф-лы, 5 табл.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"Characterization of conducting diamond films. "Vacuum", v.36, № 1-3, 1986, p.p.99-102. LAGRANGE J.-P. et al. Activation energy in low compensated homoepitaxial boron-doped diamond 1 films. "Diamond and Related Materials", v.7, № 9, 1998, p.p.1390-1393. EP 386726 A1, 12.09.1990.

Изобретение относится к технологии получения слоя декоративно окрашенного монокристаллического алмаза химическим осаждением из газовой фазы (ХОГФ), который может быть использован, например, для изготовления украшений. Способ получения слоя окрашенного монокристаллического алмаза включает стадию подготовки алмазной подложки, имеющей поверхность, которая, по существу, не содержит дефектов кристалличности, стадию подготовки исходного газа, стадию разложения исходного газа с получением атмосферы для синтеза, которая содержит от 0,5 до 500 част./млн. азота в расчете на молекулярный азот, и стадию гомоэпитаксиального роста алмаза на поверхности, по существу, свободной от дефектов кристаллической решетки. Изобретение позволяет получить слой алмаза значительной толщины (более 1 мм) с однородными характеристиками по всей толщине слоя, при этом необходимая окраска не ослабляется и не исчезает из-за наличия дефектов кристалличности. Для получения окраски нет необходимости в проведении последующей обработки после роста алмазного слоя. В дополнение, следствием свойств, формирующихся в процессе роста монокристаллического алмаза в условиях метода ХОГФ, является наличие полос поглощения при ˜350 нм и при ˜510 нм. Это важно для окончательно получаемой окраски, поскольку таких центров, определяющих окраску, нет в природных или других синтетических алмазах, что говорит об уникальности получаемой данным методом окраски. 5 н. и 35 з.п. ф-лы, 9 ил.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"diamond grown with added nitrogen: film characterization and gas-phase composition studies. "Diamond and Related Materials", v.7, N 7, 1998, p.p.1033-1038.

Изобретение относится к технологии получения алмазных слоев. Сущность изобретения: химическим осаждением из газовой фазы получен слой монокристаллического алмаза (ХОГ-алмаз), имеющий толщину более 2 мм. Способ включает гомоэпитаксиальный рост слоя алмаза на поверхности подложки с низким уровнем дефектов в атмосфере, содержащей азот в концентрации менее 300 млрд ч. азота. Полученные слои алмаза большой толщины имеют высокое качество и из них могут быть изготовлены драгоценные камни. 4 н. и 32 з.п. ф-лы, 10 ил., 1 табл.