Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: .элементы – C30B 29/02

Изобретение относится к области химической технологии, а именно к выращиванию кристаллов из парогазовой фазы. Способ включает низкотемпературную обработку порошка фуллерена С ₆₀ в динамическом вакууме 10^-4 Па при температуре 720 K в течение 3 часов, затем обработанный порошок подвергают сублимации в динамическом вакууме 10^-4 Па при температуре 880 K в течение 8 часов, из сублимированного порошка выращивают первичные кристаллы фуллерена С₆₀ в статическом вакууме 10^-4 Па в запаянных кварцевых ампулах при температуре 880 K с температурным градиентом между зоной испарения и зоной роста 5 K в течение 1-5 суток, а далее из первичных кристаллов выращивают финишные кристаллы фуллерена С₆₀ при условиях, аналогичных условиям выращивания первичных кристаллов. Изобретение позволяет получать кристаллы фуллерена С₆₀ высокого структурного совершенства, относительно больших размеров (4-8 мм в длину, 3-4 мм в ширину при толщине 1-2 мм) и практически не содержащих примесей. 3 ил.

Изобретение относится к области получения монокристаллических слоистых пленок графита на полупроводниковых подложках, представляющих интерес для использования в производстве приборов оптоэлектроники. Сущность способа состоит в том, что проводят термическое разложение метана на полированной пластине кремния при давлении 10-30 Торр и температуре 1200-1350°С. Нагрев осуществляется пропусканием электрического тока через две параллельные ленты из углеродной фольги, в зазоре между которыми размещается пластина кремния. Изобретение позволяет получать нанокристаллические слои графита высокого качества. 1 ил.

Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании бикристаллов переходных металлов и их сплавов. Способ выращивания бикристаллов переходных металлов электронно-лучевой зонной плавкой металла с использованием бикристаллической затравки с известной ориентировкой роста границы включает размещение обрабатываемого монокристалла металла и затравки с помощью держателя в вакуумной охлаждаемой плавильной камере, приваривание затравки к основанию держателя, установку на ней обрабатываемого монокристалла и приваривание его к затравке, приложение разности потенциалов между источником электронов и обрабатываемым монокристаллом металла, установление рабочего значения тока накала для создания равномерной зоны плавления, обработку монокристалла металла зонным переплавом путем воздействия электронным лучом на область контакта между затравкой и обрабатываемым монокристаллом с одновременным вращением выращиваемого бикристалла вокруг оси, проходящей через держатель, при перемещении источника электронов по всей высоте обрабатываемого монокристалла, при этом выращивание осуществляют на затравку высотой 5-10 мм. Технический результат изобретения заключается в получении бикристаллов переходных металлов с межзеренными границами, проходящими по всей высоте бикристаллов, повышении структурного качества и увеличении выхода годных бикристаллов. 2 ил.

Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании трубчатых кристаллов вольфрама электронно-лучевой вертикальной зонной плавкой с использованием кольцевого затравочного кристалла. Способ осуществляют следующим образом. Сначала обрабатываемую трубчатую заготовку 4 из вольфрама устанавливают на нижней опорной трубе 2 держателя, на верхней части трубчатой заготовки 4 устанавливают кольцевой затравочный кристалл 7 с известной ориентировкой оси роста, прикрепляют его к обрабатываемой трубчатой заготовке 4 и к верхней опорной трубе 8 держателя, затем трубчатую заготовку 4 с затравочным кристаллом 7 закрепляют в держателе с помощью центрального опорного стержня 3 и опорного вала 1 с кольцевой проточкой для ее центрирования, после чего обрабатываемую трубчатую заготовку 4 подвергают предварительному вакуумному отжигу при предплавильных температурах непосредственно в вакуумной плавильной камере. Далее осуществляют выращивание трубчатого кристалла 6 на кольцевой затравочный кристалл 7 высотой 10 мм путем обработки трубчатой заготовки зонным переплавом при воздействии электронным лучом на область контакта между кольцевым затравочным кристаллом и обрабатываемой трубчатой заготовкой с одновременным вращением обрабатываемой трубчатой заготовки вокруг оси, проходящей через держатель при перемещении источника электронов вдоль выращиваемого трубчатого кристалла 6 по всей длине обрабатываемой трубчатой заготовки 4. Изобретение позволяет получать массивные трубчатые кристаллы вольфрама с повышенным структурным качеством при увеличении выхода годных. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности для получения наночастиц Ga. Наночастицы Ga получают в кристаллической матрице моноселенида галлия путем плавления навески состава Ga 52±0,05% (мас.), Se 48±0,05% (мас.) и последующей кристаллизации при поступательном движении фронта кристаллизации с периодическими остановками. Периодичность остановок находится в диапазоне 6-18 мин, продолжительность каждой остановки составляет 0,003-0,005 сек. Преобладающий размер полученных частиц составляет 20 нм. 1 табл., 1 ил.