Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: .неорганические соединения или композиции – C30B 29/10

Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано в физике конденсированного состояния, приборостроении, микроэлектронике, термоэлектричестве для получения тонкопленочных образцов твердого раствора висмут-сурьма с совершенной монокристаллической структурой. Сущность изобретения заключается в том, что для получения монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма используют зонную перекристаллизацию сформированных путем напыления в вакууме однородных по составу поликристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма под защитным покрытием, температура плавления которого больше температуры плавления получаемой пленки, при большей скорости движения зоны, чем при выращивании объемных монокристаллов (для пленок твердых растворов висмут-сурьма более 1 см/ч против 0,05 мм/ч для объемных кристаллов). Изобретение обеспечивает получение монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма с равномерным распределением компонентов по объему.

Изобретение относится к электронной технике, а именно - к материалам для изготовления полупроводниковых приборов с использованием эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Сущность изобретения заключается в использовании для выращивания эпитаксиальных слоев GaAs подложек из интерметаллических соединений, имеющих строго стехиометрический состав, а именно из лантанидов галлия GaLa₃ и Ga₃La₅, цирконидов галлия Ga₃Zr и Ga₃Zr₅, цирконида алюминия Al₃Zr, церида алюминия CeAl₂, бериллида палладия BePd, лантанида магния MgLa, лантанида алюминия Al ₂La, станнида платины Pt₃Sn, лантанида индия InLa, цирконида олова SnZr₄, плюмбида платины Pt ₃Pb. Предлагаемое изобретение позволяет существенно улучшить электрофизические параметры арсенида галлия за счет исключения диффузии компонентов подложки в эпитаксиальный слой. 1 табл.

Изобретение относится к технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов. Эпитаксиальные пленки твердого раствора (SiC)_1-x(AlN)_x, где компонента х больше нуля, но меньше единицы, получают путем осаждения твердого раствора на монокристаллическую подложку SiC-6H при температуре 1000°С магнетронным ионно-плазменным распылением, при этом распыление осуществляют в атмосфере аргона и азота из составной мишени, представляющей собой диск поликристаллического карбида кремния, заданная часть поверхности которого покрыта слоем химически чистого алюминия, причем концентрацию атомов Si, С, Al в осаждаемых пленках регулируют путем изменения площади слоя алюминия на поверхности мишени, а концентрацию азота - изменением соотношения давления азота к общему давлению в распылительной камере. Технический результат изобретения заключается в упрощении технологии получения, в улучшении совершенства получаемых пленок и возможности получения пленок широкозонного твердого раствора (SiC)_1-x(AlN) _x во всем интервале составов. 3 ил., 1 пр.

Изобретение относится к устройствам для получения твердых растворов карбида кремния с нитридом алюминия, используемых в производстве силовых, СВЧ- и оптоэлектронных приборов, работающих при высокой температуре и в агрессивных средах. Тигель включает графитовый корпус 1 с гранулированным поликристаллическим источником 7, 8, крышку 12, пьедестал 13 и подложки 11, 17. В полости графитового корпуса 1 помещен съемный графитовый контейнер 3 со сквозным цилиндрическим каналом 4 и радиальными отверстиями 5, над контейнером установлена матрица 9 с отверстиями 10 и подложками 11, а полость контейнера 3 герметизируется прокладкой 16, крышкой 12 с резьбовым отверстием и гайкой 2, причем в резьбовое отверстие крышки 12 вкручен пьедестал 13 с глухим отверстием и установленной на его поверхности подложкой 17. Для уменьшения утечки потока тепловой энергии из контейнера в окружающее пространство через крышку и дно корпуса, а также для герметизации внутренней полости тигля от утечки паров засыпки применены прокладки из графитовой фольги - графлекса. Остальные детали выполнены из высокоплотного графита, полученного методом изостатического прессования (например, из графита марки МПГ-9Н). Изобретение обеспечивает повышение производительности труда, экономию материала, более точный контроль температуры подложки, получение в одном технологическом цикле и монокристаллического слитка, и гетероструктур. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области материалов и элементов спиновой электроники и может быть использовано для создания элементов спинтронных устройств, сочетающих источник и приемник поляризованных спинов носителей заряда в гетероструктуре: ферромагнитный полупроводник/немагнитный полупроводник. В устройствах спиновой электроники спин используется в качестве активного элемента для хранения, обработки и передачи информации при создании магнитоэлектронных элементов и приборов. Ферромагнитная полупроводниковая гетероструктура для спинтроники включает ферромагнитную при температурах не менее 300 К пленку легированного полупроводникового диоксида титана на полупроводниковой подложке, при этом пленка диоксида титана легирована ванадием в количестве от 3 до 18 ат.% по отношению к титану, имеет кристаллическую структуру рутила и удельное электрическое сопротивление в диапазоне 0.01 до 0.1 Ом·см или в диапазоне от 2 до 20 кОм·см и эпитаксиально выращена на монокристаллической подложке диоксида титана в той же кристаллической модификации так, что гетероструктура отвечает формуле TiO₂:V/TiO₂. Гетероструктура предназначена для работы при комнатной и выше температурах и включает бескластерный ферромагнитный полупроводник с высокой намагниченностью, парамагнитный полупроводник и совершенный интерфейс между однородными материалами. Уникальное сочетание родственных ферромагнитного и полупроводникового слоев гетероструктуры на основе оксида титана, обеспечивающее высокое качество интерфейса, делает такие гетероструктуры перспективным продуктом для широкого практического использования в приборах спиновой электроники. 2 ил.

Изобретение относится к области оптических устройств, конкретно к созданию трехмерных фотонных кристаллов с полной фотонной запрещенной зоной, которые могут применяться в системах оптической связи и передачи информации. Способ включает осаждение пленки опала толщиной 5.0÷40.0 мкм из суспензии сферических частиц аморфного диоксида кремния в этиловом спирте со средним диаметром 880 нм, дисперсией диаметров частиц менее 1% и концентрацией 0.5÷2% об. на диэлектрическую подложку, сушку, осаждение в вакууме слоя аморфного кремния на внутреннюю поверхность пор пленки опала путем термического разложения смеси моносилана с аргоном с концентрацией 5% об. при давлении газовой смеси 50÷70 кПа, объемном расходе газовой смеси 0.02±0.01 см³ /мин, температуре 520÷540°C, продолжительности 5÷7 ч, травление пленки в водном растворе плавиковой кислоты для удаления сферических частиц аморфного диоксида кремния - инвертирование и повторные сушку и осаждение слоя аморфного кремния на внутреннюю поверхность пор пленки опала при тех же условиях. Способ решает задачу создания пленочного инвертированного композита опал-кремний с увеличенной шириной полной фотонной запрещенной зоны в спектральной области 1.5 мкм.

Изобретение относится к области получения оптических сред, включая среды с избирательным пропусканием, с высокой лучевой прочностью. Способ осуществляют путем гидролиза коллоидной суспензии из тетраэфира ортокремневой кислоты в органическом растворителе - этаноле в присутствии катализатора - аммиака, в котором тетраэфир ортокремневой кислоты предварительно прогревают в интервале температур 350-420 К в течение 150-240 минут при соотношении последнего и аммиака 25%-ной концентрации в интервале от 2:1 до 1,2:1. Технический результат изобретения заключается в повышение лучевой прочности оптической среды в области 120-600 ГВт/см. 2 ил.

Изобретение относится к способу получения биоактивных кальций-фосфатных покрытий и может быть использовано при изготовлении ортопедических и зубных протезов. Способ получения на подложке кальций-фосфатного покрытия включает высокочастотное магнетронное распыление мишени из гидроксиапатита Са₁₀(РO₄ )₆(ОН)₂ в течение 15-150 мин с использованием в качестве рабочего газа аргона при его давлении в рабочей камере 0,1 Па. При этом осаждение покрытия проводят на подложку, размещенную над кольцевой областью прикатодного пространства магнетрона, где силовыми линиями магнитного поля магнетрона локализована плазма высокочастотного разряда и воздействие заряженных частиц на подложку максимально, при удельной мощности высокочастотного разряда 50 Вт·см^-2, что обеспечивает формирование состава покрытия, соответствующего составу стехиометрического гидроксиапатита Са₁₀(РO₄)₆(ОН) ₂. При использовании способа происходит активизация кристаллизации покрытия в процессе его роста с образованием конечной фазы, соответствующей составу мишени. 6 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации. В качестве материала подложек для выращивания эпитаксиальных слоев нитрида галлия предложен ряд соединений - монокристаллы интерметаллидов, выбранные из группы, включающей силицид марганца (MnSi), силицид палладия (Pd₂Si), станнат марганца (Mn₃Sn), станнат железа (Fe₃ Sn), фосфид ванадия (VP), цирконид алюминия (Zr₃Al) с умеренными температурами плавления. Преимущества этого класса соединений в сравнении с известными заключаются в повышении качества выращиваемых на подложках из указанных соединений пленок нитрида галлия.

Изобретение относится к технологии получения новых композиционных материалов, которые могут быть использованы в квантовой оптоэлектронике и телекоммуникационной индустрии. Способ включает нагрев фотонных кристаллов из оксида кремния с модифицирующим агентом - кристаллофосфором йодидом цезия в вакууме при температуре не менее 800°С в течение не менее 15 час. Йодид цезия может быть активирован различными примесями (Na, Tl, In, СО₃ и др.), обеспечивающими более яркую, по сравнению с чистым CsJ, радиолюминесценцию на разных длинах волн видимого спектра. Использование в качестве наполнителя йодида цезия, являющегося сцинтиллятором, обеспечивает хорошую смачиваемость микросфер оксида кремния его расплавом под действием капиллярных сил без приложения внешнего давления, позволяя получать оптически инвертированный композит с примерно таким же оптическим контрастом (отношением коэффициентов преломления сред, заполняющих микросферы и поры между ними), как и у исходного оксида кремния. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов гексагидрата сульфата цезия-никеля Cs₂Ni(SO₄)₂ ·6H₂O, которые предназначены для применения в качестве фильтров ультрафиолетового излучения в приборах обнаружения источников высокотемпературного пламени. Монокристалл выращивают из маточного раствора методом охлаждения. Предварительно маточный раствор и кристаллизатор с заранее размещенным внутри него затравочным кристаллом перегревают на 8-9°С выше температуры насыщения раствора. Затем заливают раствор в кристаллизатор, понижают температуру раствора до температуры, меньшей температуры насыщения на 0.1-0.5°С, начинают перемешивание раствора, термостатируют раствор при указанной температуре в течение 20-28 часов, после чего производят поэтапное снижение температуры раствора, на первом этапе температуру раствора снижают на 0.5-2°С, а на втором этапе снижение температуры ведут со скоростью от 0.6°С до 4°С в сутки, по завершении второго этапа раствор сливают, снижают температуру внутри кристаллизатора до комнатной и затем извлекают монокристалл из кристаллизатора. Монокристалл сохраняет термостабильность неограниченное время вплоть до температуры 130°С, что повышает эксплуатационную надежность приборов, в которых он используется, и пропускает ультрафиолетовое излучение в диапазоне волн от 220 до 320 нм. Приведены параметры решетки кристалла, ( ): а=6.3576(8), b=12.7660(17), с=9.2550(10), =106.97(01)°, V=718.4 ³, Z=2, d_выч=2.887 г·см ^-3. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)_1-x(AlN)_x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC) _1-x(AlN)_x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия (GaN) на подложках карбида кремния (SiC). Эпитаксиальные пленки твердого раствора карбида кремния с нитридом алюминия (SiC)_1-x (AlN)_x, где 0<х<1, получают путем осаждения твердого раствора на монокристаллическую подложку SiC-6H при температуре 1000°С ионно-плазменным магнетронным распылением мишени из поликристаллического твердого раствора (SiC) _1-x(AlN)_x, где 0<х<1, при этом распыление мишени ведут при воздействии переменного тока с частотой 13,56 МГц. Изобретение позволяет получать монокристаллические пленки высокого совершенства во всем диапазоне изменения химического состава, а также увеличить эффективность распыления высокоомных мишеней. 3 ил.

Изобретение относится к изготовлению искусственно выращенных камней и может быть использовано в ювелирной промышленности и ювелирно-прикладном искусстве. Способ получения синтетического малахита заключается в том, что готовят исходный рабочий раствор путем растворения основной углекислой меди в растворе карбоната аммония, содержащем избыточную мольную концентрацию аммиака по отношению к мольному содержанию углекислоты. Объем исходного рабочего раствора разделяют на две части перегородкой, проницаемой для жидкой и газовой фазы, причем в верхней части находится зона растворения, куда помещают твердую основную углекислую медь, а в нижней части находится зона кристаллизации, куда предварительно устанавливают металлические или полимерные элементы будущих изделий и где осуществляют последующее выпаривание раствора при температуре 40-95°С. После выпаривания конденсируют образующуюся парогазовую смесь, а полученный конденсат в виде водного раствора карбоната аммония возвращают в зону растворения для осаждения из упаренного раствора кристаллов синтетического малахита на поверхности металлических или полимерных элементов, установленных в зоне кристаллизации. В зоне растворения поддерживают температуру на 20-30°С ниже, чем в зоне кристаллизации. Концентрацию меди (II) в исходном рабочем растворе устанавливают равной 45-60 г/л. Техническим результатом изобретения является улучшение художественно-декоративных характеристик синтетического малахита, заключающихся в получении малахита с любыми разновидностями текстуры, прежде всего, почковидной и плисовой текстуры с разнообразной цветовой гаммой материала и узором, заранее задаваемыми художниками-дизайнерами для изготовления будущих изделий. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием. В устройствах спинтроники электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнитооптоэлектронных приборов. Предлагается ферромагнитная полупроводниковая гетероструктура, включающая цинк, кремний, мышьяк и марганец, которая представляет собой тройное соединение арсенида цинка и кремния, легированное марганцем в количестве 1-6 мас.%, указанное соединение синтезировано на подложке монокристаллического кремния и отвечает формуле ZnSiAs ₂:Mn/Si, при этом гетероструктура получена путем напыления пленки марганца и диарсенида цинка на подложку кремния с последующей термической обработкой. Уникальное сочетание полупроводниковых и ферромагнитных свойств гетероструктуры с температурой Кюри значительно выше комнатной и совместимость с кремниевой технологией делает ее перспективным продуктом для широкого практического использования. 2 ил.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"Journal of Korean Physical Society. 46 (4), 2005, 977-980, (реферат [он-лайн] [найдено 26.10.2006]. STN International. Database. CA. AN 143: 237409.

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам германия и кадмия, которые могут найти применение в спинтронике, где электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнитооптоэлектронных приборов. Предлагается полупроводниковый материал, характеризующийся температурой Кюри 329-355 К, который включает германий, кадмий, мышьяк и марганец, представляет собой тройное соединение арсенида германия и кадмия, легированное марганцем в количестве 1-6 мас.%, и отвечает формуле CdGeAs2<Mn>, при этом в указанном тройном соединении атомами марганца замещаются как атомы кадмия, так и атомы германия. Изобретение позволяет получить материал с уникальным сочетанием полупроводниковых и ферромагнитных свойств, что делает его перспективным материалом для широкого практического использования. 1 табл., 2 ил.

Изобретение относится к получению монокристаллических материалов и пленок и может использоваться в технологии полупроводниковых материалов для изготовления солнечных элементов, интегральных схем, твердотельных СВЧ-приборов. В качестве материалов подложек для выращивания пленок GaAs ориентации (100) используются монокристаллы интерметаллических соединений, выполненные из одного из бинарных сплавов: NiAl, CoAl, AlTi, NiGa. Изобретение позволяет выращивать зеркальные эпитаксиальные пленки арсенида галлия в более широком диапазоне температур осаждения и пересыщения, обеспечивает упрощение технологии изготовления приборов и снижает их стоимость. 2 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов. Сущность изобретения: Способ получения эпитаксиальных слоев твердого раствора карбида кремния с нитридом алюминия SiC-AlN, включает осаждение твердого раствора на монокристаллическую подложку SiC-6Н при температуре 1000°С магнетронным ионно-плазменным распылением, осуществляемым из одной мишени поликристаллического твердого раствора SiC-AlN, изготовленной путем горячего прессования смеси порошков SiC и AlN. Технический результат изобретения заключается в упрощении технологии получения слоев, в улучшении их однородности и уменьшении энергетических затрат. 3 ил.