Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: ..галогениды – C30B 29/12

МПКРаздел CC30C30BC30B 29/00C30B 29/12
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 29/00 Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой
C30B 29/12 ..галогениды

Патенты в данной категории

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГАЛОГЕНИДОВ ТАЛЛИЯ

Изобретение относится к области получения материалов, прозрачных в инфракрасной области спектра, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов, прозрачных в области длин волн от 0,4 до 25 мкм, неохлаждаемых детекторов - и - излучений для ядерно-физических методов диагностики и контроля, а также изготовления волоконных световодов ИК-диапазона. Способ получения кристаллов галогенидов таллия включает синтез соли галогенида таллия путем барботирования смеси инертного газа с парами галогена через расплав металлического таллия, очистку соли вакуумной дистилляцией расплава в контейнере и выращивание кристалла, при этом вакуумную дистилляцию проводят в контейнере, установленном под углом 30-50 град относительно горизонтальной плоскости, при вращении контейнера вокруг его продольной оси со скоростью 60-100 об/мин. Изобретение обеспечивает повышение производительности и упрощение процесса получения кристаллов. 2 пр.

2522621
патент выдан:
опубликован: 20.07.2014
КРИСТАЛЛЫ НА ОСНОВЕ БРОМИДА ТАЛЛИЯ ДЛЯ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к области получения материалов детекторов для регистрации ионизирующего излучения, которые могут быть использованы для инфракрасной оптики, лазерной техники, акустооптики. Кристалл на основе бромида таллия дополнительно содержит бромид кальция при следующем соотношении компонентов, мас.%: бромид таллия - 99,9972-99,99993, бромид кальция - 0,0028-0,00007 . Техническим результатом изобретения является повышение детекторных характеристик материала: подвижность носителей заряда µ е до 7,3·10-4 см2 /В, µ h до 1,5·10-4 см2 /В для электронов и дырок, соответственно, удельное сопротивление до 3,5·1011 Ом·см, и обеспечение стабильности свойств в процессе эксплуатации.

2506352
патент выдан:
опубликован: 10.02.2014
СЦИНТИЛЛЯТОР ДЛЯ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ НЕЙТРОНОВ И НЕЙТРОННЫЙ ДЕТЕКТОР

Изобретение может быть использовано в медицинских томографах, при неразрушающем контроле в промышленности, для обеспечения безопасности при осмотре личного имущества, в физике высоких энергий. Сцинтиллятор для детектирования нейтронов содержит кристалл фторида металла из ряда, включающего LiCaAlF6 , LiSrAlF6, LiYF4, служащий в качестве матрицы, в котором содержание атомов 6Li в единице объема (атом/нм3) от 1,1 до 20. Кристалл имеет эффективный атомный номер от 10 до 40 и содержит, по меньшей мере, один вид лантаноида, выбранного из группы, состоящей из церия, празеодима и европия. Нейтронный детектор содержит указанный сцинтиллятор и фотодетектор. Для получения кристалла фторида металла расплавляют смесь, составленную из фторида лития, фторида указанного металла, имеющего валентность 2 или выше, и фторида лантаноида, и выращивают монокристалл из расплава. Сцинтиллятор по изобретению имеет высокую чувствительность к нейтронному излучению и пониженный фоновый шум, связанный с -лучами. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 4 ил., 3 табл.

2494416
патент выдан:
опубликован: 27.09.2013
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА И ТАЛЛИЯ

Изобретение относится к области получения материалов, прозрачных в инфракрасной области спектра, а именно кристаллов галогенидов серебра и таллия, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов, прозрачных в области длин волн от 0,4 до 25 мкм, а также для изготовления волоконных световодов ИК-диапазона. Способ выращивания кристаллов галогенидов серебра и таллия включает загрузку материала на основе твердого раствора галогенидов серебра или таллия в контейнер из термостойкого стекла, расплавление, фильтрацию расплава через отверстие в контейнере в приемную ампулу и направленную кристаллизацию расплава перемещением в температурном градиенте, при этом перед фильтрацией расплав охлаждают до температуры на 1-2 градуса ниже температуры плавления соответствующего твердого раствора галогенидов, выдерживают 1,5-2,0 часа, затем расплав перегревают на 40-50 градусов выше температуры плавления твердого раствора, а фильтрацию проводят со скоростью 0,1-2,0 л в минуту. Технический результат изобретения состоит в уменьшении содержания примесей в кристаллах за один процесс выращивания, что упрощает процесс и способствует снижению поглощения лазерного излучения на длине волны 10,6 мкм. 2 пр.

2487202
патент выдан:
опубликован: 10.07.2013
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЗАГОТОВОК ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА ДЛЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ

Изобретение относится к области получения материалов прозрачных в инфракрасной области спектра, а именно кристаллов галогенидов серебра, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов прозрачных в области длин волн от 0,4 до 15 мкм, а также для изготовления волоконных световодов среднего ИК диапазона. Способ включает загрузку исходных индивидуальных солей хлорида и бромида серебра в контейнер из термостойкого стекла, их сплавление до заданного состава твердого раствора, выращивание монокристалла в галогенирующей атмосфере путем перемещения контейнера в температурном градиенте, охлаждение выращенного кристалла до комнатной температуры и извлечение кристалла из контейнера, затем монокристалл нагревают со скоростью 50-60°С в час до температуры 250-270°С, выдерживают при данной температуре 1-2 часа, охлаждают со скоростью 20-25°С в час до температуры 100-150°С, затем охлаждают со скоростью 30-40°С в час до комнатной температуры. Технический результат изобретения заключается в снижении внутренних напряжений в кристаллической заготовке, улучшении оптической однородности и снижении оптических потерь на длине волны 10,6 мкм. 2 пр.

2486297
патент выдан:
опубликован: 27.06.2013
ЛАЗЕРНАЯ ФТОРИДНАЯ НАНОКЕРАМИКА И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к технологии получения оптических поликристаллических материалов, а именно фторидной керамики, имеющей наноразмерную структуру и усовершенствованные оптические, лазерные и генерационные характеристики. Фторидную нанокерамику получают термомеханической обработкой исходного кристаллического материала, выполненного из CaF2-YbF3, при температуре пластической деформации до получения заготовки в виде поликристаллического микроструктурированного вещества, характеризующегося размером зерен кристаллов 3-100 мкм и наноструктурой внутри зерен, путем отжига на воздухе при температуре не менее 0,5 от температуры плавления с уплотнением полученной заготовки в вакууме при давлении 1-3 тс/см2 до окончания процесса деформации, после чего отжигают в активной среде тетрафторида углерода при давлении 800-1200 мм рт.ст. В качестве исходного кристаллического материала могут быть использованы мелкодисперсный порошок, прошедший термообработку в тетрафториде углерода, или отформованная заготовку кристаллического материала, полученная из порошка и термообработанная в тетрафториде углерода. Изобретение позволяет получать фторидную нанокерамику высокой степени чистоты с повышенной однородностью структуры данного оптического материала. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 пр., 1 табл.

2484187
патент выдан:
опубликован: 10.06.2013
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФТОРИДНОЙ НАНОКЕРАМИКИ

Изобретение относится к технологии получения оптических поликристаллических материалов, а именно фторидной керамики, имеющей наноразмерную структуру и усовершенствованные оптические, лазерные и генерационные характеристики. Способ включает термомеханическую обработку исходного кристаллического материала, выполненного из галогенидов металлов, при температуре пластической деформации, получение поликристаллического микроструктурированного вещества, характеризующегося размером зерен кристаллов 3-100 мкм и наноструктурой внутри зерен, причем термомеханическую обработку исходного кристаллического материала проводят в вакууме 10-4 мм рт.ст., достигая степени деформации исходного кристаллического материала на величину от 150 до 1000%, в результате чего получают поликристаллический наноструктурированный материал, который уплотняют при давлении 1-3 тс/см2 до достижения теоретической плотности, после чего отжигают в активной среде фторирующего газа. Решение проблемы получения материала высокого оптического качества для широкого класса соединений фторидной керамики на основе фторидов щелочных, щелочноземельных и редкоземельных элементов, характеризующейся наноструктурой, осуществляется за счет оптимального выбора технологических параметров процесса получения нанокерамики, который включает в себя термическую обработку продукта в условиях, позволяющих увеличить чистоту среды и в результате достичь высоких оптических параметров лазерного материала. 2 з.п. ф-лы.

2436877
патент выдан:
опубликован: 20.12.2011
НЕОРГАНИЧЕСКИЙ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ, КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ СЦИНТИЛЛЯТОР И ДЕТЕКТОР ИЗЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к новым неорганическим сцинтилляционным материалам, к новому сцинтиллятору кристаллического типа, особенно в форме монокристалла, и может быть использовано для регистрации ионизирующего излучения в виде электромагнитных волн низких энергий, гамма-излучения, рентгеновского излучения, космических лучей и частиц в фундаментальной физике, устройствах компьютерной томографии, РЕТ-томографах, в томографах нового поколения, гамма-спектрометрах, в карго-сканерах, в системах каротажа скважин, в системах радиационного контроля и др. Сцинтилляционный материал типа галогенида имеет формулу Ln(1-m-n)HfnCemA (3+n), где А - либо Br, либо Cl, либо I, либо смесь, по меньшей мере, двух галогенов из этой группы, Ln - элемент из группы: La, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Lu, Y; m - мольная доля замещения Ln церием, n - мольная доля замещения Ln гафнием, m и n - числа больше 0, но меньше 1, сумма (m+n) меньше 1. Кристаллический сцинтиллятор имеет формулу Ln(1-m-n)Cem A3:n·Hf4+, где Ln(1-m)Ce mA3 - формула матрицы материала, А - либо Br, либо Cl, либо I, либо смесь, по меньшей мере, двух галогенов из этой группы, Ln - элемент из группы: La, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Lu, Y; Hf4+ - легирующая добавка, m - число больше 0, но меньше или равно 0,3, n - содержание легирующей добавки Hf4+ (% мол.), составляет предпочтительно от 0,05% мол. до 1,5% мол. Детектор излучения включает сцинтилляционный элемент на основе нового неорганического сцинтилляционного материала. Сцинтилляционный материал, кристаллический сцинтиллятор и детектор излучения обладают превосходными сцинтилляционными свойствами, в частности небольшим временем высвечивания, хорошим разрешением по энергии и характеризуются очень низкой гигроскопичностью. 3 н. и 21 з.п. ф-лы, 2 табл.

2426694
патент выдан:
опубликован: 20.08.2011
СПОСОБ ОТЖИГА КРИСТАЛЛОВ ФТОРИДОВ МЕТАЛЛОВ ГРУППЫ IIA

Изобретение относится к области изготовления оптических монокристаллов фторидов металлов, в частности к способу их вторичного отжига. Способ заключается в том, что выращенный и закаленный, т.е. первично отожженный кристалл, подвергают вторичному отжигу, который проводят путем помещения кристалла в графитовую форму, внутренний объем которой превышает размеры кристалла по диаметру и высоте, и в образованное пространство между внутренней поверхностью графитовой формы и поверхностью кристалла засыпают предварительно подготовленную крошку из материала такого же кристалла, графитовую форму помещают в установку для отжига, которую вакуумируют до давления не более 5·10-6 мм рт.ст., вводят в ее рабочее пространство газ CF4 до образования давления в 600-780 мм рт.ст., затем установку для отжига разогревают поэтапно, регулируя повышение температуры в диапазоне от комнатной до 600°С предпочтительно со скоростью 10-20°С/час, от 600 до 900°С предпочтительно со скоростью 5-15°С/час, в диапазоне от 900 до 1200°С предпочтительно со скоростью 15-30°С/час, а затем со скоростью 30-40°С/час доводят до максимальной температуры отжига в зависимости от вида конкретного кристалла фторида металла, которую выбирают на 50-300°С ниже температуры плавления материала при выращивании конкретного кристалла, после чего проводят выдержку от 15 до 30 часов и медленное охлаждение до 100°С, для чего производят поэтапное регулирование снижения температуры, а затем инерционно охлаждают до комнатной температуры. Технический результат заключается в повышении качества изготовления монокристаллов фторидов металлов за счет повышения их однородности при максимальном снижении дефектов выращенных кристаллов, что позволит обеспечить выход годного материала с высокими оптическими характеристиками. Применение особого режима подготовки и проведение вторичного отжига первично выращенных и закаленных кристаллов фторидов металлов способствуют устранению микронеоднородностей и малоугловой разориентации кристаллов.

2421552
патент выдан:
опубликован: 20.06.2011
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ФТОРИДОВ КАЛЬЦИЯ И БАРИЯ

Изобретение относится к области выращивания из расплава монокристаллов оптических фторидов щелочноземельных металлов путем их охлаждения при температурном градиенте с использованием затравочного кристалла. Способ включает кристаллизацию из расплава методом Стокбаргера с последующим отжигом кристаллов путем непрерывного перемещения тигля с расплавом из верхней зоны кристаллизации в нижнюю зону отжига при независимом регулировании температуры обеих зон, разделенных диафрагмой, при этом перемещение тигля с расплавом из зоны кристаллизации в зону отжига осуществляют со скоростью 0,5-5 мм/час, увеличивают перепад температур между зонами путем изменения температуры в зоне отжига пропорционально времени перемещения тигля от начала кристаллизации и до ее окончания, для чего, при сохранении в верхней зоне кристаллизации предпочтительно температуры 1450-1550°С, в нижней зоне отжига в начале процесса кристаллизации поддерживают в течение 30-70 часов температуру 1100-1300°С, обеспечивая тем самым вначале перепад температур между зонами до 450°С, а затем снижают температуру зоны отжига до 500-600°С пропорционально скорости перемещения тигля с растущим кристаллом, затем вновь поднимают температуру в зоне отжига до 1100-1300°С со скоростью 20-50°С/час, выдерживают 18-30 часов, после чего охлаждают до 950-900°С со скоростью 2-4°С/час, далее со скоростью 5-8°С/час охлаждают до 300°С и последующее охлаждение до комнатной температуры производят инерционно. Технический результат заключается в повышении выхода годных высококачественных оптических монокристаллов для изготовления оптических элементов фотолитографии. Выход годных монокристаллов фторидов кальция и бария с ориентацией по осям <111> и <001> высокого качества по прозрачности, однородности, показателю преломления, двулучепреломлению составляет не менее 50%.

2400573
патент выдан:
опубликован: 27.09.2010
Pr-СОДЕРЖАЩИЙ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ МОНОКРИСТАЛЛ, СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ, ДЕТЕКТОР ИЗЛУЧЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОБСЛЕДОВАНИЯ

Изобретение относится к оксидным сцинтилляционным монокристаллам, предназначенным для приборов рентгеновской компьютерной томографии (РКТ) и обследования просвечиванием излучением. Предложены Pr-содержащий монокристалл на основе фторидов, в частности Pr-содержащий монокристалл оксида типа граната, Pr-содержащий монокристалл оксида типа перовскита и Pr-содержащий монокристалл типа силикат-оксида, а также Pr-содержащий монокристалл редкоземельного оксида. Указанные сцинтилляционные монокристаллы обладают высокой плотностью, большим уровнем световой эмиссии, коротким временем жизни и низкой стоимостью получения. 14 н. и 25 з.п. ф-лы, 43 ил.

2389835
патент выдан:
опубликован: 20.05.2010
ЛАЗЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО

Изобретение относится к области материалов электронной техники и может найти применение при создании новых устройств фотоники, квантовой электроники и оптики УФ-диапазона спектра. В лазерное вещество на основе кристалла фторида бария и иттрия, активированное трехвалентными ионами церия BaY2F 8:Ce3+, дополнительно введены ионы иттербия и лютеция в концентрации 0,5-5,0 ат.% и 1-5 ат.%, соответственно. Это позволяет уменьшить коэффициент потерь (коэффициент поглощения центров окраски) в области длин волн 300-400 нм, наведенных излучением накачки, в 1,5-2,7 раза, а также реализовать эффект лазерной генерации на межконфигурационных 5d-4f переходах ионов Ce 3+ в кристаллах BaY2F8. 2 ил.

2369670
патент выдан:
опубликован: 10.10.2009
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ ДВОЙНЫХ ФТОРИДОВ

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано при создании активированных кристаллических материалов с прогнозируемыми свойствами для нужд фотоники, квантовой электроники и оптики. Оптический материал на основе кристаллов двойных фторидов структуры шеелита получают путем выращивания кристаллов из расплава ингредиентов LiF, YF3, LuF 3, LnF3, где Ln - трехвалентные ионы цериевой подгруппы ряда лантаноидов, при этом в шихту для приготовления расплава вводят фторид лютеция в количестве от 50 мол.% до 90 мол.% по отношению к фториду иттрия. Изобретение позволяет получать кристаллы с повышенным коэффициентом распределения трехвалентных редкоземельных ионов цериевой подгруппы. 1 табл., 2 ил.

2367731
патент выдан:
опубликован: 20.09.2009
СПОСОБ ПОДГОТОВКИ СЫРЬЯ ИЗ ЙОДИДОВ НАТРИЯ ИЛИ ЦЕЗИЯ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НА ИХ ОСНОВЕ

Изобретение относится к технологии подготовки сыпучих солей галогенидов металлов и может быть использовано в химической промышленности, в частности при подготовке исходных солей йодидов натрия или цезия для выращивания монокристаллов на их основе - NaI(Tl), CsI, CsI(Tl), CsI(Na). Способ включает загрузку исходной соли в ампулу, вакуумирование ампулы, нагревание соли при постоянном вакуумировании до температуры 420-450°С, напуск сухого воздуха с последующей выдержкой, повторный напуск сухого воздуха, выдержку и откачку при указанных режимах и повторное вакуумирование, после которого осуществляют напуск углекислого газа до давления 200-400 мм рт.ст. и выдержку соли в атмосфере углекислого газа в течение 15-20 минут. Изобретение позволяет получить исходное сырье, а именно йодиды щелочных металлов без примесей гидроксильных групп, что позволяет обеспечить как высокие сцинтилляционные характеристики кристаллов, так и фотохимическую стойкость кристаллов. Кроме этого, исходная соль имеет однородную порошкообразную структуру, то есть сохраняет сыпучесть.

2363777
патент выдан:
опубликован: 10.08.2009
ЛАЗЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО

Изобретение относится к области материалов электронной техники и может найти применение при создании новых устройств фотоники, квантовой электроники и оптики УФ-диапазона спектра. Лазерное вещество на основе кристалла фторидов лития и лютеция, активированного трехвалентными ионами церия, дополнительно содержит фториды иттрия и иттербия в соответствии с химической формулой LiLu1-xYxYbyF4:Ce, где х=0,5-0,8, у=0-0,05. Изобретение позволяет уменьшить влияние эффекта соляризации активной среды под действием излучения накачки на ее лазерные характеристики, расширить диапазон перестройки частоты лазерной генерации, увеличить концентрацию ионов церия в кристаллах лития-лютеция и значение удельного съема энергии лазерного излучения. 1 табл., 3 ил.

2362844
патент выдан:
опубликован: 27.07.2009
КЕРАМИЧЕСКИЙ ЛАЗЕРНЫЙ МИКРОСТРУКТУРИРОВАННЫЙ МАТЕРИАЛ С ДВОЙНИКОВОЙ НАНОСТРУКТУРОЙ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к кристаллическим неорганическим материалам, которые могут использоваться в оптической технике. Лазерный материал представляет собой керамическое поликристаллическое микроструктурированное вещество с размером зерен 3-100 мкм, включающее двойниковую наноструктуру внутри зерен размером 50-300 нм, выполненное из галогенидов щелочных, щелочноземельных и редкоземельных металлов или их твердых растворов, имеющее вакансионные или примесные лазерно-активные центры с концентрацией 1015-10 21 см-3. Способ включает термомеханическую обработку монокристалла, выполненного из галогенидов металлов, и охлаждение, при этом термомеханическую обработку осуществляют до степени деформации монокристалла 55-90%, при температуре текучести выбранного монокристалла, с получением керамического поликристаллического микроструктурированного вещества, характеризующегося размером зерен кристаллов 3-100 мкм и включающего двойниковую наноструктуру внутри зерен размером 50-300 нм. Материал обладает улучшенными механическими свойствами: повышенными микротвердостью и вязкостью разрушения. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.

2358045
патент выдан:
опубликован: 10.06.2009
ИНФРАКРАСНАЯ ЛАЗЕРНАЯ МАТРИЦА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ КАЛИЯ И РУБИДИЯ ПЕНТОБРОМПЛЮМБИТА

Изобретение относится к получению и использованию новой инфракрасной лазерной матрицы для инфракрасной оптики. Предлагается инфракрасная лазерная матрица на основе кристаллов калия и рубидия пентобромплюмбита, которые описываются формулой КXRb1-XPb2Br5, где х изменяется в диапазоне 0,2 х 0,5. Полученные кристаллы характеризуются высокой прозрачностью, не рассеивают лазерное излучение, обладают низкими энергиями колебания кристаллической решетки и имеют высокий коэффициент внедрения РЗЭ в матрицу, что обеспечивает возможность реализации лазерного излучения в среднем ИК-диапазоне вплоть до 10 мкм. 5 ил.

2354762
патент выдан:
опубликован: 10.05.2009
СПОСОБ ОЧИСТКИ ЙОДИДОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ ОТ ПРИМЕСЕЙ ОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ

Изобретение относится к способам очистки йодидов щелочных металлов от примесей органических соединений и может быть использовано при подготовке сырья для выращивания монокристаллов. В способе очистки йодидов щелочных металлов от примесей очищаемую соль загружают в ампулу, ампулу вакуумируют и нагревают соль при постоянном вакуумировании. Нагревание осуществляют постепенно со скоростью 20÷50°С в час до температуры 420±20°С, при этом давление поддерживают постоянным на уровне 10 -3 мм рт.ст. Изобретение позволяет очистить йодиды щелочных металлов до концентрации примесей органических соединений менее 10-3 мас.% по углероду при снижении образования кислородсодержащих соединений и энергозатрат.

2341458
патент выдан:
опубликован: 20.12.2008
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ-СЦИНТИЛЛЯТОРОВ НА ОСНОВЕ ИОДИДА НАТРИЯ ИЛИ ЦЕЗИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ

Изобретение относится к выращиванию из расплава монокристаллов галогенидов, а именно иодида натрия или цезия, в температурном градиенте и с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав. Способ включает выращивание монокристаллов путем вытягивания вниз кристалла из расплава в тигле при градиенте температуры с использованием ростовой камеры и теплового узла с многосекционным фоновым нагревателем. Выращивание осуществляют в насыщенных парах компонентов выращиваемого кристалла с использованием дополнительного нагревателя (ОФТ нагревателя), погруженного в расплав вблизи фронта кристаллизации, термопар в корпусе ОФТ нагревателя и в дне тигля, установленного на подставке, при этом в процессе выращивания на фронте кристаллизации создают осевой градиент температуры в диапазоне от 50 до 200°С/см и радиальный - в диапазоне от 2 до 8°С/см, а после окончания выращивания осуществляют охлаждение монокристалла в условиях осевого и радиального градиентов температуры величиной меньше 0.2°С/см. Способ осуществляется в устройстве, содержащем ростовую камеру 8, тепловой узел с многосекционным фоновым нагревателем 11, отличающемся тем, что оно дополнительно снабжено ОФТ нагревателем 4, погруженным в расплав 5 вблизи фронта кристаллизации, термопарами 17 и 18, размещенными в кварцевом корпусе 20 ОФТ нагревателя и подставке 3 соответственно, затравочным кристаллом 1а в виде диска, вставленным в кварцевый тигель 2 без дна, при этом ОФТ нагреватель размещен относительно стенок тигля 2 без зазора, а в его корпусе 20 выполнены от 4 до 8 сквозных отверстий или канавок по боковой поверхности сечением не более 0.7-1 мм2 для подачи свежего расплава из области, расположенной над ОФТ нагревателем, в область выращивания. В этом случае расплав, протекая в зазор между затравкой и стенкам тигля, успевает затвердеть и не вытекает из него; отсутствие прямого контакта затравки с тиглем исключает возникновение напряжений на начальной стадии кристаллизации, и возможные дефекты не наследуются при росте. Изобретение позволяет обеспечить герметизацию составного тигля, получать качественные монокристаллы-сцинтилляторы, избегая стадии дополнительного их отжига после извлечения из камеры. 2 н. и 21 з.п. ф-лы, 2 ил.

2338815
патент выдан:
опубликован: 20.11.2008
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ХЛОРИДА ИЛИ БРОМИДА, ИЛИ ЙОДИДА РЕДКОЗЕМЕЛЬНОГО МЕТАЛЛА В УГЛЕРОДСОДЕРЖАЩЕМ ТИГЛЕ

Изобретение относится к обработке композиции, содержащей галогенид редкоземельного элемента, особенно в контексте роста кристаллов из указанной композиции. Способ обработки композиции, содержащей, по меньшей мер, 80 мас.% галогенида редкоземельного элемента формулы AeLnfX (3f+e), в которой Ln означает один или несколько редкоземельных элементов, X означает один или несколько атомов галогена, выбранных из Cl, Br и I, и А означает один или несколько щелочных металлов, выбранных из К, Li, Na, Rb и Cs, e и f имеют значения, такие что: е, который может быть нулем, меньше или равен 2f, - f больше или равен 1, осуществляют путем контактирования с непрозрачным материалом, который содержит, по меньшей мере, 20 мас.% углерода, поверхность указанного материала, которая находится в контакте с указанной композицией, содержит, по меньшей мере, 20 мас.% углерода, при этом указанная композиция контактирует с указанным материалом в расплавленном состоянии при температуре выше 500°С. Изобретение позволяет получать прозрачные, не содержащие черных пятен, монокристаллы, проявляющие замечательные сцинтилляционные свойства, при этом кристаллы не прилипали к тиглю и после охлаждения легко извлекались из него, что облегчает его очистку. 2 н. и 21 з.п. ф-лы.

2324021
патент выдан:
опубликован: 10.05.2008
СПОСОБ ПОЛИРОВКИ КРИСТАЛЛОВ ХЛОРИДА СЕРЕБРА

Изобретение относится к области изготовления оптических элементов и может быть использовано в инфракрасной технике. Способ состоит в абразивной полировке кристаллов AgCl с водным раствором тиосульфата натрия, завершающейся промывкой обрабатываемого изделия в 30-40% растворе 2-метил-2-аминопропана (СН3) 3CNH3 в этаноле C 2H5OH, и последующей сухой финишной полировке. Способ обеспечивает высокоточную полировку изделий из кристаллов хлорида серебра и высокое качество полированных поверхностей.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"Preparation of bulk oriented samples silver bromide and silver chloride single crystals. «Kristall und Technik», 10(3), 1975, 259-262, STN БД СА, AN 82:132176, abstract. РЕГЕЛЬ В.Р. и др. Выявление выходов дислокаций на поверхность кристалла методом травления. Обзор. «Кристаллография», т.4, вып.6, с.941.

2311499
патент выдан:
опубликован: 27.11.2007
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ С ДЕФЕКТАМИ НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ГАЛОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ

Предлагаемый способ относится к области синтеза реальных кристаллов, т.е. кристаллов с дефектами, на основе твердых растворов галогенидов металлов, и может быть применен для получения гомогенной многокомпонентной шихты для выращивания кристаллов из расплава, газовой фазы, водных растворов, в т.ч. при гидротермальных условиях. Сущность изобретения состоит в том, что многокомпонентную шихту получают в виде однофазных твердых растворов не механическим смешиванием, при котором невозможно получить одну гомогенную фазу твердого раствора даже при неоднократных переплавках, а путем синтеза из водных растворов соляной кислоты с использованием определенных режимов. Для этой цели берут индивидуальные галогениды металлов - TlCl, TlBr, TlI, AgCl, AgBr, Agl в количествах, соответствующих их содержанию в твердом растворе - AgClx Br1-x, AgClxBryI1-x-y , KPC-5, КРС-6 и растворяют в 5-6 М соляной кислоте при температуре 95-100°С. После насыщения растворы охлаждают до 50-60°С со скоростью охлаждения 4-5°С в час, повторяя указанный цикл от трех до пяти раз. Кристаллы твердых растворов на основе галогенидов металлов, т.е. кристаллы с дефектами, по сравнению с кристаллами на основе индивидуальных галогенидов металлов, обладают повышенными оптико-механическими свойствами: расширенным диапазоном прозрачности, увеличенной механической прочностью, повышенными радиационной и лучевой стойкостью. Указанные свойства дополнительно можно улучшить и, кроме того, придать кристаллам новые, например, сцинтилляционные свойства, вводя галогениды таллия в твердые растворы AgClxBryI 1-x-y и AgClxBr1-x. 2 з.п. ф-лы.

2287620
патент выдан:
опубликован: 20.11.2006
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЛАЗЕРНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к материалам для лазерной техники. Предлагается в монокристаллический лазерный материал на основе фторортобората бария-кальция с иттербием дополнительно вводить в качестве активатора эрбий в соответствии с химической формулой BaCa1-x-yYbxEryBO3+x+yF1-x-y, где х>0,0001, у>0,0001, х+у0,23. Монокристаллический материал представляет интерес для получения активных элементов твердотельных лазеров 1,5-микронного диапазона генерации. 3 ил., 1 табл.
2190704
патент выдан:
опубликован: 10.10.2002
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ

Используется для синтеза широкого класса высокочастотных материалов, применяемых в лазерной и инфракрасной технике, а также в волоконной оптике и спецтехнике. Способ включает растворение исходного вещества в растворителе, создание пересыщения раствора и кристаллизацию. Растворимость исходных веществ составляет 1,5 - 3,0 г/дм3 при температурах 80 - 100oC, степень пересыщения 0,5 - 2,0 г/дм3 и переохлаждения 10 - 30oC. Отношение констант скоростей кристаллизации компонентов, входящих в состав кристаллизуемых соединений, не выше 15, а периоды индукции не более 1 мин. Разработан базовый экологически чистый, замкнутый, высокоэкономичный и практически безотходный способ, в котором процессы синтеза многокомпонентных соединений и их очистка совмещены. За один цикл термозонной кристаллизацией - синтезом (ТЗКС) очистка от примесей достигается до трех порядков и более.
2160795
патент выдан:
опубликован: 20.12.2000
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ ИЗ ОПТИЧЕСКИХ И СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ

Изобретение относится к технологии изготовления изделий из моно- или поликристаллов, используемых в ядерной и космической технике, медицинской диагностике и других областях науки и техники для регистрации ионизирующих излучений. Согласно способу производят порезку цилиндрической заготовки из моно- или поликристалла на оболочки толщиной h и длиной l<4R, где R - радиус оболочки. Полученную оболочку нагревают для перевода ее в область пластичности и разворачивают в изделие с помощью разворачивающего приспособления. Формующую часть разворачивающего приспособления принудительно или свободно вращают или перекатывают в процессе разворачивания на поверхности формуемого изделия, последняя может иметь цилиндрическую, параболическую или другую сложную геометрическую форму. Изобретение позволяет изготавливать изделия из оптических и сцинтилляционных материалов большой площади до 4R как плоской, так и сложной геометрической формы. 1 з.п.ф-лы, 2 ил.
2151828
патент выдан:
опубликован: 27.06.2000
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛАЗЕРНО-АКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ

Изобретение может быть использовано в лазерной технике при изготовлении оптических твердотельных перестраиваемых инфракрасных лазеров. Способ создания лазерно-активных центров окраски TloVa+ в кристаллах KCl-Tl включает приведение кристаллов KCl-Tl в оптический контакт с кристаллами Csl-Tl и их одновременное облучение ионизирующей радиацией при температурах 240 - 77 К. Изобретение позволяет увеличить концентрацию лазерно-активных TloVa+ центров окраски в кристаллах KCl-Tl, являющихся активной лазерной средой для перестраиваемых лазеров в диапазоне длин волн 1,4-1,6 мкм. 1 табл.
2146727
патент выдан:
опубликован: 20.03.2000
СПОСОБ СОЗДАНИЯ РАБОЧЕЙ СРЕДЫ ДЛЯ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ПЕРЕСТРАИВАЕМЫХ ЛАЗЕРОВ

Использование: в лазерной технике. Сущность изобретения: способ включает выращивание кристаллов хлористого калия из расплава с добавлением соли таллия. Кристаллы выращивают из расплава по методу Стокбаргера в вакуумированных кварцевых ампулах из соли KCl с добавкой азотнокислого таллия TlNO3. Контроль за содержанием таллия в кристаллах осуществляют по А-полосе поглощения в ультрафиолетовой области спектра. Центры окраски Tlo(1) создают гамма-облучением кристаллов дозой (1-5)107 р при температуре сухого льда. Соль таллия вводят в виде азотнокислого таллия TlNO3 в количестве 0,5-2,0 мас.%. Изобретение позволяет повысить концентрацию рабочих центров окраски Tlo (1) в кристаллах RCl-Tl. 1 табл., 1 ил.
2146726
патент выдан:
опубликован: 20.03.2000
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ЙОДИДА ЦЕЗИЯ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

Использование: производство сцинтилляторов. Получен сцинтилляционный материал на основе иодида цезия, обладающий низким послесвечением и высокой радиационной прочностью, а также разработан технологический способ его получения. Сцинтилляционный материал на основе иодида цезия, активированного таллием, в качестве дополнительной примеси содержит Mex(СО3)y, где Me - катионная примесь,

1<X2,

1Y<5.32- - иона в области 7 мкм, при этом коэффициент поглощения последней составляет 1,410-3 - 210-2 см-1. Способ получения данного сцинтилляционного материала включает плавление сырья иодида цезия, добавление активирующей примеси иодида таллия и последующую кристаллизацию. Согласно способу в исходное сырье и/или расплав вводят карбонат цезия в количестве 310-4 - 510-3 мас.% и соль натрия в количестве 310-4 7,510-3 мас.% Na. Способ позволяет выращивать кристаллы диаметром более 300 мм с высокой однородностью и радиационной прочностью. 2 с. и 1 з.п.ф-лы, 1 табл.
2138585
патент выдан:
опубликован: 27.09.1999
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ДЕТЕКТОРОВ

Использование: измерение ионизирующих излучений, а именно способы получения термолюминесцентных детекторов (ТЛД) ионизирующих излучений при индивидуальном дозиметрическом контроле, а также при радиологических, экологических и других видах измерений. Сущность изобретения: в предлагаемом способе получения ТЛД на основе фтористого лития путем выращивания монокристаллов в графитовом формообразователе в исходную шихту добавляют окись титана, окись магния и фтористый магний в количестве 0,0001 - 0,001, 0,005 - 0,009 и 0,035 - 0,04 мас. % соответственно. Выращенные монокристаллические стержни извлекают из формообразователя и раскалывают перпендикулярно оси ротора на диски. Полученные таким образом ТЛД не требуют какой-либо механической обработки. Использование предлагаемого способа позволяет увеличить среднюю чувствительность детекторов с сохранением однородности чувствительности, что повышает эффективность производства ТЛД. 1 табл.
2091514
патент выдан:
опубликован: 27.09.1997
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСКУССТВЕННОГО СЕЛЛАИТА

Использование: способ изготовления искусственного селлаита (фтористого магния) относится к области получения оптических материалов и может быть использован в технологии изготовления заготовок оптической керамики для входных окон, линз и других оптических элементов для инфракрасной области спектра. Способ обеспечивает получение прозрачного однофазного поликристаллического селлаита с широкой областью прозрачности без избирательных полос поглощения, повышенной механической прочности. Сущность изобретения: способ заключается в осаждении фторида магния из суспензии водного карбоната магния фтористоводородной кислотой, поддержании рН маточного раствора равным 4,2-5,0 введением одномолярного водного раствора фтористого аммония, отделении осадка, сушке полученного порошка, термообработке его на воздухе, брикетировании порошка при давлении не выше 20 МПа, нагревании брикета в вакууме при температуре 200-380oС в течение не более 30 мин, последующем нагревании брикета со скоростью 20-40oС и горячем прессовании с приложением давления 148-196 МПа при температуре 760-800oС. 1 табл., 1 ил.
2086715
патент выдан:
опубликован: 10.08.1997
Наверх