Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: ..фосфаты – C30B 29/14

Изобретение относится к технологии получения неорганических материалов, которые могут быть использованы для производства медицинских материалов, стимулирующих восстановление дефектов костной ткани, в том числе в стоматологии. Способ получения монофазового нанокристаллического кремнийзамещенного гидроксиапатита включает синтез кремнийсодержащего гидроксиапатита методом осаждения из водного раствора реагентов, содержащих ортофосфорную кислоту, гидроксид кальция и тетраэтилортосиликат при рН не менее 9 и молярном отношении Са/Р в диапазоне от 2,0 до 2,5, отстаивание для завершения процесса фазообразования, выделение осадка, высушивание и термообработку осадка, при этом синтез ведут путем приливания 10-20%-ного раствора ортофосфорной кислоты со скоростью 0,2-0,8 мл/мин на литр водного раствора композиции гидроксид кальция /тетраэтилортосиликат, приготовленной с использованием 0,08-0,16%-ного водного раствора гидроксида кальция и расчетного количества тетраэтилортосиликата для получения готового продукта со степенью замещения кремнием х, равным 1-2, и молярным отношением Са/(Р+Si), близким к 1,67, а термообработку ведут при температуре не ниже 300°С, но не более 400°С. Изобретение позволяет получать стехиометрический монофазный продукт фаз со средним размером кристаллов 9,95-12,53 нм, удельной поверхностью 108,97-132,58 м²/г и повышенной биоактивностью, при нагревании которого не образуются побочные фазы. 4 ил., 2 табл., 8 пр.

Изобретение относится к области химии, а именно к механохимическим способам получения нанокристаллического кремний-замещенного гидроксилапатита, являющегося биологически активным материалом, который может быть использован для покрытия металлических и керамических имплантатов, в качестве наполнителя для восстановления дефектов костной ткани при изготовлении медицинской керамики и композитов для стоматологии и челюстно-лицевой хирургии, а также лечебных паст. Способ включает смешение фосфатов, соединений кальция и кремния, размол и механохимический синтез, при этом в качестве исходных компонентов используют двузамещенный безводный фосфат кальция, отожженный оксид кальция и аморфный гидратированный оксид кремния с содержанием воды менее 0,5 моль, с удельной поверхностью 200-450 м²/г в количестве не более 1,2 моль кремния на элементарную ячейку гидроксилапатита, механохимический твердофазный синтез проводят в высокоэнергетических планетарных мельницах при вращении барабанов со скоростью 1200-1800 об/мин в течение 12-30 мин. Отжиг оксида кальция предпочтительно проводят при температуре 900°C в течение 5 часов. Изобретение позволяет за 30 минут твердофазной мехактивации получить порошкообразный нанокристаллический однофазный продукт. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 6 пр., 7 ил.

Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу гидросульфатфосфата цезия состава Cs₅(HSO ₄)₂(H₂PO₄)₃ , который может быть использован в качестве твердого протонпроводящего материала. Монокристаллы Cs₅(HSO₄) ₂(H₂PO₄)₃ получают путем приготовления водного раствора с мольным соотношением CsHSO ₄:CsH₂PO₄, равным 2:3, насыщенного при температуре 50-75°С с последующей кристаллизацией методом управляемого снижения растворимости. Cs₅(HSO₄ )₂(H₂PO₄)₃ в виде поликристаллического порошка получают приготовлением водного раствора с мольным соотношением CsHSO₄:CsH₂ PO₄, равным 2:3, насыщенного при температуре 50-75°С, высаливанием Cs₅(HSO₄)₂(H ₂PO₄)₃ этиловым спиртом с последующей просушкой при температуре до 80°С или методом твердофазного синтеза из шихты с мольным соотношением CsHSO₄:CsH ₂PO₄, равным 2:3, при температуре 60-90°С. Полученное соединение CS₅(HSO₄)₂ (H₂PO₄)₃ обладает меньшим значением температуры фазового перехода (115,0°С) и большим значением протонной проводимости (1 Ом^-1см^-1 при температуре 120,0°С). Соединение Cs₅(HSO ₄)₂(H₂PO₄)₃ химически устойчиво до температуры 140,0°С. 3 н.п. ф-лы, 1 ил., 3 пр.

Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейно-оптических эффектов. Способ осуществляют путем выращивания монокристаллов группы KDP для нелинейных оптических элементов на прямоугольную затравку соответствующего монокристалла из группы KDP, при этом используют затравку Z-среза 2, размер которой в направлении [100] определяют одним из меньших размеров (b) апертуры прямоугольного нелинейного оптического элемента, а ее длина (L) в направлении [010] равна сумме проекций высоты (с) и второго (а) большего значения апертуры нелинейного оптического элемента на плоскость (001) и описывается следующей формулой: L=cSin _c+aCos _c, где _с - угол синхронизма, характерный для каждого из кристаллов группы KDP, размещают ее внутри разъемного формообразователя в виде замкнутой рамки, собранного из отдельных планок, каждую из которых устанавливают в следующей последовательности: на планке основания 1 формообразователя размещают затравку 2, вертикально указанной планке устанавливают следующую планку 3, затем относительно нее под углом синхронизма _c устанавливают другую планку 5, последующую планку 6 относительно предыдущей 5 размещают под углом 90°, замыкающую планку 7 устанавливают перпендикулярно планке основания 1 формообразователя, что обеспечивает заданную форму и размеры выращенного монокристалла в виде заготовки. Изобретение позволяет перейти от традиционного технологического процесса, когда при свободном размещении затравки в реакционном объеме кристаллизатора получают кристалл с естественным для данного вещества габитусом, к технологическому процессу, который позволяет получить непосредственно в процессе выращивания монокристалл-заготовку заданных габаритов и формы для изготовления оптических элементов. 1 табл., 5 ил.

Изобретение относится к технике выращивания кристаллов из растворов солей, в частности для выращивания кристаллов группы KDP (КН₂РO₄), которые широко применяются для изготовления элементов нелинейной оптики. Установка содержит кристаллизационный стакан 1, крышку 2 кристаллизационного стакана, платформу 4 с затравочным кристаллом 5 и механизм герметизации затравочного кристалла. В крышке 2 выполнено эксцентрично расположенное герметично закрываемое направляющей втулкой 11 отверстие 10 для ввода механизма герметизации затравочного кристалла 5, который выполнен в виде поджимаемого к поверхности платформы 4 колпачка 6, шарнирно установленного на L-образной штанге 7, имеющей возможность перемещения соосно направляющей втулке 11. Внутри штанги 7 выполнен канал 9 для подключения полости колпачка 6 к источнику давления. Для подключения полости колпачка 6 к каналу 9 внутри L-образной штанги 7 применен гибкий шланг 12. Поджатие колпачка 6 к платформе 4 обеспечивают воздействием груза или воздействием пружины на свободный конец штанги 7. В качестве источника давления, подаваемого внутрь колпачка, используют атмосферный воздух. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области техники, связанной со скоростным выращиванием кристаллов типа КН₂РО₄ (KDP) при постоянной фильтрации раствора. Способ выращивания кристаллов из раствора включает кристаллизацию на затравку из пересыщенного раствора, вывод части раствора, его перегрев выше температуры насыщения, фильтрацию и стабилизацию температуры раствора в кристаллизаторе до температуры кристаллизации посредством системы фильтрации. Стабилизацию температуры раствора осуществляют путем периодической подачи в кристаллизатор из системы фильтрации очищенного раствора перегретого выше температуры насыщения, с одновременным выводом из кристаллизатора такого же количества раствора, температура которого ниже температуры кристаллизации, причем подачу перегретого раствора осуществляют до момента достижения температуры раствора в кристаллизаторе, равной температуре кристаллизации и определяемого датчиком температуры. Способ позволяет подавать в кристаллизатор раствор, перегретый выше температуры насыщения. Стабилизация температуры при этом, с точностью не хуже ±0,05°С, происходит за счет периодической подачи перегретого раствора. Способ позволяет вместо жидкостного термостата применять воздушное охлаждение или термостаты из пенопласта или поролона. Устройство для осуществления данного способа содержит перепускной канал, включенный параллельно кристаллизатору между входным и выходным патрубками. Через канал циркулирует профильтрованный раствор в периоды, когда достигается стабилизация температуры. Кроме того, выходной конец перепускного канала введен внутрь выпускного патрубка, что исключает образование паразитов. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение касается тетрагонального монокристалла с составом Z(H,D)₂MO₄, где Z является элементом или группой элементов, или смесью элементов и/или групп элементов, выбранных из группы К, N(Н,D)₄, Rb, Се, где М является элементом, выбранным из группы Р, As, и где (Н, D) является водородом и/или дейтерием, которые могут быть использованы для изготовления оптических компонентов, в частности, для использования в лазерах. Сущность изобретения: монокристалл содержит практически параллелепипедную зону большого размера, у которой размер АС1, АС2, АС3 каждого из ребер граней превышает или равен 100 мм, в частности, превышает или равен 200 или 500 мм, его получают путем выращивания кристалла в растворе из практически параллелепипедного монокристаллического зародыша, ребра которого имеют размеры AG1, AG2, AG3. Размер AG1, по меньшей мере, одного ребра зародыша превышает или равен одной десятой, предпочтительно одной четвертой, размера одного ребра граней монокристалла и, по меньшей мере, другой размер АG3 зародыша меньше или равен одной пятой, предпочтительно одной десятой, наибольшего размера ребер граней зародыша. Изобретение позволяет получать заготовки (були) больших размеров, что обеспечивает увеличение выхода пластин при вырезании. 7 н. и 19 з.п. ф-лы, 5 ил.