Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: ....с формулой BMe₂O₄, где B - Mg, Ni, Co, Al, Zn или Cd, а Me - Fe, Ga, Sc, Cr, Co или Al – C30B 29/26

Изобретение относится к технологии производства изделий, имеющих шпинельную кристаллическую структуру, таких как пластины, подложки и активные устройства, в которые они входят. В соответствии с одним из вариантов монокристаллическая шпинельная пластина получена обработкой расплава и имеет нестехиометрический состав, определяемый общей формулой aAD·bE₂О ₃, в которой А выбирают из группы, в которую входят Mg, Са, Zn, Mn, Ва, Sr, Cd, Fe, а также их комбинации, Е выбирают из группы, в которую входят Al, In, Cr, Sc, Lu, Fe, а также их комбинации, a D выбирают из группы, в которую входят О, S, Se, а также их комбинации, причем отношение b:а>2,5:1, так что шпинель обогащена E₂D₃ . Кроме того, раскрыт монокристаллический шпинельный материал, имеющий нестехиометрическую композицию и имеющий окно прозрачности в диапазоне длин волн от 400 до 800 нм. Такие изделия имеют пониженные механические напряжения, что позволяет обеспечить повышенный выход годных изделий. 4 н. и 28 з.п. ф-лы, 6 табл., 14 ил.

Изобретение относится к производству изделий, имеющих шпинельную структуру, таких как були, пластины, подложки и т.д. Монокристаллическая шпинельная пластина имеет лицевую и обратную стороны, <111> кристаллографическую ориентацию и внешний периметр, имеющий первую и вторую грани, причем первая грань обозначает направление плоскости спайности пластины, которая проходит через переднюю поверхность геометрического места точек, простирающегося вдоль линии, которая параллельна первой грани, и вторая грань обозначает направление разлома плоскости спайности, при этом пластина выполнена из композиции в соответствии с общей формулой aAD bE₂D₃, в которой А выбирают из группы, в которую входят Mg, Ca, Zn, Mn, Ba, Sr, Cd, Fe, а также их комбинации, Е выбирают из группы, в которую входят Al, In, Cr, Sc, Lu, Fe, a также их комбинации, и D выбирают из группы, в которую входят О, S, Se, a также их комбинации. Буля и полученные из нее пластины состоят главным образом из единственной шпинельной фазы, без вторичных фаз и не содержат загрязнений и легирующих примесей, то есть обладают улучшенными технологическими характеристиками. Кроме того, изобретение обеспечивает повышенную степень выхода готовых изделий, а увеличение размера пластин снижает стоимость обработки при изготовлении полупроводниковых изделий. 17 з.п. ф-лы, 1 табл., 12 ил.

Изобретение относится к производству изделий, имеющих шпинельную кристаллическую структуру, в том числе таких изделий как були, пластины и подложки, а также к созданию активных устройств, в которые они входят. В соответствии с одним из вариантов способ изготовления монокристаллических шпинельных пластин включает следующие операции: получение порции расплава в тигле; образование шпинельной монокристаллической були из расплава при технологическом коэффициенте формы, определяемом как отношение среднего диаметра були к внутреннему диаметру тигля, составляющем ориентировочно не меньше чем 0.44, причем буля имеет общую формулу aAD.bE ₂D₃, в которой А выбирают из группы, в которую входят Mg, Ca, Zn, Mn, Ba, Sr, Cd, Fe, а также их комбинации, Е выбирают из группы, в которую входят Al, In, Cr, Sc, Lu, Fe, а также их комбинации, a D выбирают из группы, в которую входят О, S, Se, a также их комбинации, причем отношение b:а>1,5:1, так что шпинель обогащена Е₂D ₃ и резку були на множество пластин. Такие изделия имеют пониженные механические напряжения, что позволяет повысить степень выхода готовых изделий. 3 н. и 14 з.п. ф-лы, 1 табл., 11 ил.