Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: ....ниобаты, ванадаты, танталаты – C30B 29/30

Способ включает воздействие на кристалл исходного импульсного поляризованного немонохроматического излучения коротковолнового инфракрасного диапазона для получения исходного импульсного поляризованного излучения коротковолнового инфракрасного диапазона и импульсного поляризованного излучения гармоники видимого диапазона, выделение импульсного поляризованного излучения гармоники видимого диапазона, преобразование его в электрический сигнал, получение зависимости амплитуды электрического сигнала от длины волны импульсного поляризованного монохроматического излучения второй и суммарной гармоник, определение из нее длины волны 90-градусного синхронизма, по значению которого определяют мольное содержание Li₂O в монокристалле LiNbO₃. В качестве монокристалла LiNbO₃ выбирают монокристалл в виде плоскопараллельной пластинки с кристаллографической осью Z, расположенной в плоскости входной грани кристалла, перпендикулярной оси оптической системы. Технический результат - повышение точности определения мольной доли Li ₂O в монокристалле LiNbO₃ при низких значениях мольной доли Li₂O и расширение функциональных возможностей. 3 ил.

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов ниобата лития с бидоменной структурой, применяемых в устройствах нанотехнологии и микромеханики. Электроды в виде системы параллельных струн накладывают на две плоскопараллельные грани кристалла, которые ориентируют под углом z+36° к полярной оси, к электродам подсоединяют проволочные платиновые контакты, собранную ячейку помещают в печь и нагревают до температуры фазового перехода - температуры Кюри под действием неоднородного электрического поля, в результате чего осуществляется формирование двух противоположно заряженных доменов равного объема с плоской междоменной границей. Изобретение позволяет перейти от традиционно применяемых пьезокерамических элементов деформации к монокристаллическим бидоменным элементам точного позиционирования на основе монокристаллов сегнетоэлектриков с высокой температурой Кюри, в которых отсутствует крип и гистерезис. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр.

Изобретение относится к области получения монокристаллов сегнетоэлектриков с доменной структурой и может быть использовано при создании устройств позиционирования, акустоэлектроники, для модификации диэлектрических, пироэлектрических и оптических свойств. Способ формирования полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов с заряженной доменной стенкой заключается в том, что в качестве заготовки используют пластину сегнетоэлектрического одноосного монокристалла семейства ниобата лития и танталата лития, вырезанную перпендикулярно полярной оси, одну из поверхностей которой облучают потоком ионов для формирования повышенной концентрации точечных радиационных дефектов в поверхностном слое, что приводит к повышению электропроводности слоя, после чего в пластине создают электрическое поле, направленное вдоль полярной оси, полярность и величина которого обеспечивают образование доменов на поверхности пластины, не подвергнутой облучению, и их прорастание вглубь пластины в полярном направлении до границы слоя с повышенной проводимостью, что приводит к формированию заряженной доменной стенки сложной формы, причем глубина слоя задается величиной энергии и дозой ионов, а форма стенки определяется величиной создаваемого электрического поля. Изобретение обеспечивает возможность создания заряженной доменной стенки, имеющей сложную трехмерную форму с заданными геометрическими параметрами, расположенной на заданной глубине в монокристаллической пластине сегнетоэлектрика без применения нагрева пластины и резки заготовки для получения пластин. 3 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к новым химическим соединениям и может быть использовано в медицине, в частности к рентгенологии в качестве рентгеноконтрастного агента при рентгенологических исследованиях различных органов. Предлагается сложный танталат редкоземельных элементов состава M_1-XM'_X TaO₄, где 0,01 x 0,45; М и М' - элементы, выбранные из группы: иттрий, гадолиний, тербий, диспрозий, гольмий, эрбий, тулий, иттербий, лютеций; в качестве контрастного агента для рентгенодиагностики. Предлагаемый контрастный агент, обеспечивая высокий уровень поглощения рентгеновского излучения, позволяет плавно и непрерывно изменять уровень поглощения при одинаковом количественном содержании агента за счет изменения значения х, то есть за счет изменения соотношения атомов первого и второго элементов в кристаллической решетке танталата. Предлагаемый контрастный агент расширяет возможности надежного диагностирования полостных органов.

Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов. Способ включает смешивание порошков оксидов лантана, галлия и тантала с гранулометрическим размером зерна из диапазона 1-5 мкм, последующий нагрев полученной порошкообразной смеси с регулируемой скоростью до температуры спекания и выдержку упомянутой смеси при этой температуре до завершения процесса спекания, при этом спекание порошкообразной смеси оксидов проводят в две стадии, так что на первой стадии нагрев от температуры окружающей среды до температуры спекания T₁ из диапазона 1300-1350°С ведут со скоростью 120-125 град./час и выдерживают при этой температуре спекания в течение 2,5-3,0 часов с образованием промежуточных соединений с формулой LaGaO₃, LaTaO₄, а на второй стадии нагрев ведут от температуры спекания T₁ до температуры Т₂ из диапазона 1440-1450°С со скоростью 150-155 град./час и выдерживают при этой температуре в течение 3,5-4,4 часов до завершения процесса спекания с образованием стехиометрического соединения лантангаллиевого танталата La ₃Ga_5,5Та_0,5О₁₄. Изобретение позволяет снизить температуру спекания, повысить срок службы алундовых контейнеров и возможность их многократного использования, а также упростить аппаратурное оформление процесса. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к промышленному производству монокристаллов, полученных из расплава методом Чохральского, и может быть использовано при поляризации сегнетоэлектриков с высокой температурой Кюри, преимущественно танталата лития. На монокристалле танталата лития путем шлифовки формируют контактную площадку, поверхность которой перпендикулярна оптической оси кристалла или имеет с ней острый угол. Монокристалл размещают между нижним сегментообразным или пластинчатым платиновым электродом и выполненным из проволоки диаметром 0,3-0,6 мм верхним кольцеобразным платиновым электродом через примыкающие к их поверхностям промежуточные слои. В качестве материала промежуточного слоя используют мелкодисперсный (40-100 мкм) порошок кристаллического твердого раствора LiNb _1-xTa_xO₃, где 0,1 x 0,8, со связующей спиртовой добавкой в виде 94-96% этилового спирта при массовом соотношении спирта и порошка 1:2,5-3,5. Монокристалл устанавливают в отжиговую печь, нагревают со скоростью не более 70°С/ч до температуры на 20-80°С выше температуры Кюри монокристалла и пропускают через него электрический ток путем подачи на электроды поляризующего напряжения. Затем монокристалл охлаждают в режиме стабилизации тока при повышении величины напряжения в 1,2-1,5 раза до температуры на 90-110°С ниже температуры Кюри, и дальнейшее охлаждение ведут в режиме стабилизации поляризующего напряжения при уменьшении величины тока через монокристалл. При снижении величины тока в 3,0-4,5 раза от его стабилизированного значения подачу напряжения прекращают, после чего монокристалл охлаждают со скоростью естественного остывания. Охлаждение монокристалла до прекращения подачи поляризующего напряжения ведут со скоростью 15-30°С/ч. Способ позволяет повысить эффективность поляризации монокристаллов танталата лития, различающихся по ориентации, размерам и условиям выращивания. Формируемый промежуточный слой обеспечивает прочное и равномерное сцепление поверхности кристалла с электродами, а стабилизация тока и напряжения и фиксированная скорость охлаждения кристалла в области температуры Кюри позволяют гарантированно получать прозрачные, монодоменные кристаллы танталата лития без дополнительных дефектов в виде трещин и пробоев. 2 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов методом Чохральского. Выращивание легированных кристаллов ниобата лития состава, близкого к стехиометрическому, осуществляют на затравочный кристалл из расплава шихты ниобата лития конгруэнтного состава с отношением Li/Nb, равным 0,938-0,946, и содержащим 9-13 мол. % K₂O и 0,5-2,5 мол. % MgO или ZnO, в условиях приложенного электрического поля плотностью тока 0,2-40 А/м ². Приведено устройство для осуществления способа, содержащее корпус с камерой роста и камерой охлаждения, тигель 1, размещенный в камере роста, индукционный нагреватель, верхний металлический нагревательный экран 4, установленный над тиглем 1, механизм перемещения кристалла со штоком, стержень с держателем 3 затравочного кристалла 2. Устройство дополнительно снабжено стабилизированным источником постоянного тока 10 с электродами; над затравочным кристаллом 2 установлен дополнительный груз из электропроводящего материала, отделенный от стенок держателя непроводящим электрический ток материалом, при этом один из электродов подключен к тиглю 1, а второй электрод подключен к грузу. Изобретение позволяет выращивать крупногабаритные оптически однородные кристаллы ниобата лития состава, близкого к стехиометрическому Li/Nb>0,994, дополнительно легированных MgO или ZnO, состав которых в верхней и нижней части кристалла практически одинаков, без разрушения затравочного кристалла. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов LiNbO₃ стехиометрического состава, используемого в нелинейной оптике. Монокристаллы LiNbO₃ плавятся инконгруэнтно и поэтому для получения монокристаллов стехиометрического состава используют вытягивание монокристалла из жидкой фазы эвтектического состава с подпиткой твердой фазой предварительно синтезированного соединения, подогреваемой снизу и сверху двухслойным спиральным электронагревателем, помещенным в жидкую фазу и установленным с зазором относительно подпитывающей твердой фазы, а уменьшение градиентов температуры в жидкой фазе и получаемом монокристалле осуществляют использованием печи для подогрева монокристалла. Устройство включает механизм вытягивания монокристалла, теплоизолированный тигель с подпитывающей твердой фазой, плоский нагреватель тигля с теплоизоляцией, двухслойный спиральный электронагреватель с поперечным сечением спиралей в виде перевернутых желобов, перекрывающих все сечение тигля, установленный с зазором относительно подпитывающей твердой фазы, при этом двухслойный спиральный электронагреватель снабжен электродами, проходящими через теплоизоляцию печи для подогрева монокристалла и скрепленными с ней. Нагреватели устройства формируют плоские изотермические поверхности по высоте тигля, двухслойный спиральный электронагреватель с поперечным сечением спиралей в виде перевернутых желобов, перекрывающих все сечение тигля, отводит пузырьки воздуха, выделяющиеся при растворении подпитывающей твердой фазы, от фронта кристаллизации к стенкам тигля, установка двухслойного спирального электронагревателя с зазором относительно подпитывающей твердой фазы обеспечивает ее нагрев до температуры растворения при условии уменьшения градиентов температуры в жидкой фазе и монокристалле, что осуществляется использованием печи с теплоизоляцией для подогрева вытягиваемого монокристалла, входящей в тигель по мере растворения подпитки и роста монокристалла. Это стабилизирует условия проведения диффузионного механизма роста, снижает термические напряжения в монокристалле и обеспечивает получение структурно-совершенных монокристаллов LiNbO₃ стехиометрического состава с точностью около 0,1%. 2 н.п.ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области выращивания оптических кристаллов, предназначенных для применения в оптоэлектронных приборах. Устройство содержит корпус с камерой роста и камерой охлаждения, которые разделены керамической проставкой, тигель, размещенный в камере роста, индукционный нагреватель, верхний металлический нагревательный экран, установленный над тиглем, и механизм перемещения кристалла с штоком. Тигель выполнен в виде цилиндра, плоское днище которого сопрягается с цилиндрической боковой поверхностью по сферической поверхности, верхний металлический экран выполнен двухсекционным с нижней конической секцией и верхней сферической секцией, между камерами роста и охлаждения установлена наборная диафрагма со сменными концентрическими вставками, а к донной части тигля прикреплен приемник наведенных токов Фуко в виде цилиндра. Внутренний диаметр любой концентрической вставки наборной диафрагмы на 2-16 мм больше диаметра выращиваемого кристалла, причем концентрические вставки наборной диафрагмы выполнены из материала тигля. Диапазон отношения высоты цилиндрической стенки тигля к высоте стенки приемника наведенных токов Фуко составляет от 2 до 10, а диапазон отношения высоты конической секции верхнего металлического экрана к высоте сферической секции этого экрана составляет от 2 до 5. Устройство позволяет выращивать крупногабаритные (диаметром и длиной более 100 мм) оксидные кристаллы (LiNbO₃, LiTaO ₃ и др.) высокого оптического качества и структурного совершенства. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов. Сущность изобретения: способ включает смешение исходных оксидов в стехиометрическом соотношении компонентов, нагрев смеси со скоростью 300-350°С/час до температуры 1460-1465°С и спекание при этой температуре в течение 6,5-8,0 час. Смешение исходных оксидов может осуществляться при наложении вибрационных колебаний с частотой 50-100 Гц и амплитудой 3-5 мм. Синтез проводят в алундовых стаканах, на внутреннюю поверхность которых нанесен слой оксида галлия. Изобретение позволяет получать шихты однородного фазового и стехиометрического состава. Выход синтезируемой фазы составляет практически 100%. 2 з.п. ф-лы, 3 табл.

Изобретение относится к производству акустоэлектронных частотно-избирательных устройств на поверхностных акустических волнах. Сущность изобретения: в качестве монокристалла со структурой галлогерманата кальция в устройствах на ПАВ используют монокристалл, геометрическая ось которого перпендикулярна термостабильному срезу, выращенный методом Чохральского, в котором в качестве затравочного кристалла используют кристалл, ориентированный в направлении, перпендикулярном термостабильному срезу. Изобретение позволяет увеличить количество дисков (до 80%), получаемых при распиловке выращенного монокристалла, полностью свободных от ростовых дефектов – газовых пузырей. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.