Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: ..силикаты – C30B 29/34

Изобретение касается получения искусственных камней и минералов. Сырьевая смесь включает, мас.%: горный хрусталь 37,8-39,5; свинцовый сурик 18-22; бура 38-44; углекислый кобальт 0,2-0,5. Полученные искусственные камни после огранки по внешнему виду имитируют кристаллы голубого топаза. Они однородны и имеют блеск. 1 табл.

Изобретение касается получения искусственных камней и минералов. Сырьевая смесь для получения искусственного камня включает, мас.%: полубелое тарное стекло 50-70; хрустальное стекло 29,9-49,9; оксид кобальта 0,01-0,15. Полученные искусственные камни по внешнему виду напоминают голубые топазы различной интенсивности окраски. 1 табл.

Изобретение касается получения искусственных камней и минералов. Сырьевая смесь для получения искусственного камня включает, мас.%: хрустальное стекло 60-70; полубелое тарное стекло 5-7; углекислый кобальт 0,001-0,005; диоксид церия 0,001-0,005; стекло колб ламп накаливания - остальное. Полученные искусственные камни по внешнему виду напоминают бесцветные топазы. 1 табл.

Изобретение относится к оксидным сцинтилляционным монокристаллам, предназначенным для приборов рентгеновской компьютерной томографии (РКТ) и обследования просвечиванием излучением. Предложены Pr-содержащий монокристалл на основе фторидов, в частности Pr-содержащий монокристалл оксида типа граната, Pr-содержащий монокристалл оксида типа перовскита и Pr-содержащий монокристалл типа силикат-оксида, а также Pr-содержащий монокристалл редкоземельного оксида. Указанные сцинтилляционные монокристаллы обладают высокой плотностью, большим уровнем световой эмиссии, коротким временем жизни и низкой стоимостью получения. 14 н. и 25 з.п. ф-лы, 43 ил.

Изобретение относится к сцинтилляционным материалам, а именно к неорганическим кристаллическим сцинтилляторам, и может быть использовано в технике детектирования ионизирующих излучений для медицинской диагностики, ядерной геофизики, неразрушающего контроля. Сцитилляционное вещество в виде кристаллического соединения на основе силиката, содержащее лютеций, церий и олово, имеет состав, который выражается химическими формулами Ce_2x Lu_2(1-x)Si_1-ySn_yO₅ ,

Ce_2xLu_2(1-x-z)Y_2z Si_1-ySn_yO₅, где х - от 1·10 ^-4 ф.ед. до 3·10^-2 ф.ед.; y - от 5·10 ^-4 ф.ед. до 0,5 ф.ед; z - от 1·10^-3 ф.ед. до 0,5 ф.ед. Новые сцинтилляционные вещества обладают высокими потребительскими свойствами, а именно: большой плотностью, высоким световым выходом, коротким временем высвечивания сцинтилляций, что расширяет диапазон их применения. Данный сцинтилляционный монокристалл может найти применение в детектирующих устройствах для регистрации и спектрометрии частиц и квантов высоких, средних и низких энергий. В случае применения для медицинской диагностики повышенный световой выход сцинтиллятора обеспечит увеличение чувствительности регистрирующей системы и контрастности изображения, большая плотность и, следовательно, большая поглощательная способность к ионизирующему излучению позволит улучшить пространственное разрешение. 1 з.п. ф-лы, 2 табл.

Изобретение относится к сцинтилляционным материалам, а именно к кристаллическим сцинтилляторам, и может быть использовано в технике детектирования ионизирующих излучений для медицинской диагностики, ядерной геофизики, неразрушающего контроля и оценки качества продуктов питания. Сцинтилляционное вещество в виде кристаллического соединения на основе силиката содержит лютеций, церий и германий, и его состав выражается химической формулой Ce_2xLu_2(1-x)Si _1-yGe_yO₅, где х - от 1·10^-4 ф.ед. до 0,03 ф.ед., у - от 1·10^-4 ф.ед. до 0,20 ф.ед. В Сцинтилляционное вещество может быть дополнительно введен иттрий, в этом случае его состав выражается химической формулой Ce _2xLu_2(1-x-z)Y_2z Si_1-yGe_yO ₅, где х - от 1·10^-4 ф.ед. до 0,03 ф.ед.; у - от 1·10^-3 ф.ед. до 0,20 ф.ед., z - от 1·10^-3 ф.ед. до 0,5 ф.ед. Новые сцинтилляционные вещества обладают высокими потребительскими свойствами, а именно большой плотностью, высоким световым выходом, коротким временем высвечивания сцинтилляций, что расширяет диапазон их применения. Данные сцинтилляционные монокристаллы могут найти применение в детектирующих устройствах для регистрации и спектрометрии частиц и квантов высоких, средних и низких энергий. В случае применения для медицинской диагностики повышенный световой выход сцинтиллятора обеспечит увеличение чувствительности регистрирующей системы и контрастности изображения, большая плотность и, следовательно, большая поглощательная способность к ионизирующему излучению позволит улучшить пространственное разрешение, а более короткое время высвечивания сцинтилляций позволит снизить дозовую нагрузку на пациента. 1 з.п. ф-лы, 2 табл., 1 ил.

Изобретение относится к области химической технологии и материаловедения. Способ получения муллита включает смешивание каолина с бифторидом аммония при массовом соотношении каолина и бифторида аммония - 1:1-1,1, прокаливание до температуры 350-600°С и спекание при температуре 1200-1300°С. Изобретение позволяет получать чистый муллит без примеси оксида кремния.

Изобретение относится к обработке пьезоэлектрических подложек, в частности касается прецизионной обработки пластин лантангаллиевого силиката ориентации (0, 138.5, 26.7) методом шлифовки и полировки. Изобретение может быть использовано при изготовлении пьезоэлектрических устройств, работающих на поверхностных акустических волнах. Способ включает двухстороннюю шлифовку с использованием водной суспензии микропорошка карбида кремния зеленого при удельном давлении на подложку 20-60 г/см² и химико-механическую полировку предварительно склеенных попарно нерабочими сторонами подложек с использованием раствора, содержащего, мас.%: суспензию двуокиси кремния 8-11,5, ортофосфорную кислоту 0,8-1,5, дистиллированную воду 87-91,2, при удельном давлении на подложку 50-90 г/см ². Способ позволяет улучшить частотные характеристики устройств на поверхностных акустических волнах, обеспечив получение плоскопараллельных подложек при скорости съема материала подложки из диапазона 5-10 мкм/час при достижении шероховатости полированной поверхности величины Ra 0,7 нм. 4 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов. Сущность изобретения: способ включает смешение исходных оксидов в стехиометрическом соотношении компонентов, нагрев смеси со скоростью 300-350°С/час до температуры 1460-1465°С и спекание при этой температуре в течение 6,5-8,0 час. Смешение исходных оксидов может осуществляться при наложении вибрационных колебаний с частотой 50-100 Гц и амплитудой 3-5 мм. Синтез проводят в алундовых стаканах, на внутреннюю поверхность которых нанесен слой оксида галлия. Изобретение позволяет получать шихты однородного фазового и стехиометрического состава. Выход синтезируемой фазы составляет практически 100%. 2 з.п. ф-лы, 3 табл.

Изобретение относится к технологии получения кристаллов с триклинной сингонией. Сущность изобретения: монокристаллы лантангаллиевого силиката, выращенные методом Чохральского из иридиевого тигля, подвергают двухстадийной термообработке. Монокристаллы предварительно подвергают вакуумному отжигу при давлении 1·10^-2 -1·10^-4 Па и температуре 600-1200°С в течение 0,5-10 часов, а затем проводят их изотермическую выдержку на воздухе при температуре 300-350°С в течение 0,5-48 часов. Изобретение позволяет воспроизводимо получать обесцвеченные монокристаллы лантангаллиевого силиката, а также увеличить скорость распространения поверхностно-акустических волн (ПАВ) на 1-1,5 м/с при одновременном уменьшении дисперсии скорости распространения волн на 20-30 ppm.

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката (лангасита) методом Чохральского, используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах, а также разнообразных пьезоэлектрических и пьезорезонансных датчиков. Монокристаллы лангасита выращивают методом Чохральского из шихты состава La₃Ga₅Si_0,88÷0,92 Ge_0,12-0,08)O₁₄ (5.387÷5.631 вес.% SiO₂; 0.404÷0.606 вес.% GeO₂) на ростовой установке "Кристалл-3М", включающим загрузку полученной шихты в иридиевый тигель, ее расплавление и рост кристаллов лангасита на предварительно ориентированную затравку. Использование шихты с частичным замещением кремния на германий приводит к уменьшению количества кислородных вакансий в кристаллах лангасита и повышает их качество, делая их пригодными для изготовления стабильных устройств, работающих в области высоких температур.

Изобретение относится к области химической технологии и материаловедения. Способ получения муллита включает измельчение исходного кварц-топазового сырья, отделение примесей выщелачиванием путем обработки сырья соляной кислотой концентрацией 10-38% в течение 0,5-2 ч, промывание водой, отделение избыточного оксида кремния в виде гексафторосиликата аммония с помощью бифторида аммония и прокаливание полученного продукта при температуре 1200°-1300°С. Техническим результатом изобретения является производство микроволокнистого муллита (микроволокна кристаллов муллита достигают в длину 200 мкм, толщина волокна около 1 мкм) высокого качества в промышленных масштабах.

Изобретение относится к сцинтилляционным материалам и может быть использовано в ядерной физике, медицине и нефтяной промышленности для регистрации и измерения рентгеновского, гамма- и альфа-излучений; неразрушающего контроля структуры твердых тел; трехмерной позитрон-электронной и рентгеновской компьютерной томографии и флюорографии. Сцинтилляционные вещества на основе силиката, содержащего лютеций Lu и церий Се, имеют состав, который выражается химическими формулами

Ce_xLi_2+2y-xSi_1-yО_5+y ,

Ce_xLi_q+pLu_2-p+2y-x-z A_zSi_1-yO_5+y-р,

Ce _xLi_q+pLu_{9,33-x-p-z 0,67}A_zSi₆O_26-p,

где А - по крайней мере один из элементов группы Gd, Sc, Y, La, Eu, Tb; x - от 1×10^-4 ф.ед. до 0,02 ф.ед, y - от 0,024 ф.ед. до 0,09 ф.ед, z не более чем 0,05 ф.ед; q не более чем 0,2 ф.ед, р не более чем 0,05 ф.ед.

Ce _xLi_1+q+pLu_9-x-p-zA_zSi ₆O_26-р,

z не более чем 8,9 ф.ед.

Получаемые сцинтилляционные вещества обладают большой плотностью, высоким световым выходом, малым временем послесвечения и малым процентом потерь при изготовлении сцинтилляционных элементов для трехмерных томографов (PET). 16 н. и 5 з.п. ф-лы, 1 табл., 4 ил.

Изобретение относится к химической технологии, а именно к технологии приготовления шихты для выращивания нового класса упорядоченных четырехкомпонентных соединений галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция (Ca₃Ga₂ Ge₄О₁₄), используемых в пьезотехнике. Сущность изобретения: в способе твердофазного синтеза проводят смешивание предварительно прошедших термообработку оксидов элементов, входящих в состав выращиваемого монокристалла строннигасита или стронтангасита Sr₃MeGa₃Si₂О₁₄, где Me - ниобий или тантал, взятых в стехиометрическом соотношении, и спекают эту смесь при температуре, составляющей 84-85% от температуры синтеза соответствующих кристаллов. Способ позволяет получать шихту в компактном рациональном виде (в форме профилированных таблеток) для выращивания высококачественных монокристаллов галлосиликатов. 1 табл.