Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: ..соединения типа A_IIIB_V – C30B 29/40

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, а именно к получению монокристаллов антимонида галлия, которые используются в качестве подложечного материала в изопериодных гетероструктурах на основе тройных и четверных твердых растворов в системах Al-Ga-As-Sb и In-Ga-As-Sb, позволяющих создавать широкую гамму оптоэлектронных приборов (источников и приемников излучения на спектральный диапазон 1,3-2,5 мкм). Способ включает синтез и выращивание монокристалла методом Чохральского в атмосфере водорода на затравку, ориентированную в кристаллографическом направлении [100], при этом синтез и получение монокристалла проводят в едином технологическом процессе со скоростью протока особо чистого водорода в интервале 80-100 л/час и времени выдержки расплава на стадии синтеза при температуре 930-940°С в течение 35-40 мин. Изобретение позволяет получать совершенные крупногабаритные монокристаллы антимонида галлия диаметром 60-65 мм. 1 табл.

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, а именно к получению монокристаллов антимонида индия, которые широко используются в различных фотоприемных устройствах, работающих в ИК-области спектра. Для получения крупноблочных монокристаллов антимонида индия, ориентированных в кристаллографическом направлении [100], проводят синтез и получение поликристаллического крупноблочного слитка в совмещенном процессе по методу Чохральского с добавлением избытка сурьмы сверх стехиометрического 3,0-3,5 ат.%, после чего производят выращивание монокристалла также по методу Чохральского с использованием затравочного кристалла, ориентированного в кристаллографическом направлении [100], при поддержании осевых температурных градиентов на фронте кристаллизации равными 35-40 град/см. Изобретение позволяет улучшить структуру кристаллов с одновременным увеличением их диаметра до 70,2 мм, увеличить выход годных пластин при резке слитков за счет направления выращивания [100], уменьшить материалоемкость процесса за счет снижения доли нестехиометрического материала и снизить энерго- и трудозатраты за счет использования совмещенного процесса синтеза, очистки и выращивания поликристаллического слитка. 1 табл., 1 пр.

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем и цинком антимонидам индия, которые могут найти применение в спинтронике, где электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнито-оптоэлектронных приборов. Предлагается магнитный полупроводниковый материал, который включает индий, сурьму, марганец и цинк, представляет собой соединение антимонид индия InSb, легированное марганцем в количестве 0,12÷0,19 мас.% Мn и цинком в количестве 0,71÷1,12 мас.% Zn, и отвечает формуле InSb<Mn,Zn>. Изобретение позволяет получать материал, характеризующийся температурой Кюри 320 К, сочетающий полупроводниковые и ферромагнитные свойства. 2 ил., 2 табл., 3 пр.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов фосфида индия методом Чохральского из-под слоя борного ангидрида под давлением инертного газа. Способ включает затравливание на затравку, разращивание монокристалла до заданного диаметра при одновременном вытягивании его конической части с заданной скоростью и последующее выращивание цилиндрической части кристалла. При выращивании конической части монокристалла скорость вращения тигля и скорость вытягивания монокристалла увеличивают, соответственно, от 0÷2 об/мин и 0÷5 мм/час при затравливании до 3÷6 об/мин и 15÷30 мм/час при достижении заданного диаметра, а после получения заданного диаметра на конической части монокристалла скорость вытягивания увеличивают до 50÷150 мм/мин в течение 1,0÷6,0 сек с последующим продолжением выращивания цилиндрической части монокристалла с заданной скоростью. Затравка может иметь кристаллографическую ориентацию оси роста <511>В. Изобретение направлено на снижение вероятности двойникования на конической части монокристалла, за счет чего повышается качество и увеличивается выход годных монокристаллов фосфида индия. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 пр.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов разлагающихся полупроводниковых соединений А³В ⁵ методом Чохральского, в частности при выращивании монокристаллов фосфидов галлия и индия и арсенида галлия из-под слоя борного ангидрида. Монокристаллы соединений А³В⁵ осуществляют вытягиванием из расплава на затравку под слоем борного ангидрида, который загружают в контейнер, нагревают и расплавляют. Проводят выдержку расплава борного ангидрида в течение 0,5-3 часов при температуре 900-1200°С с осевым градиентом температуры 5-40°С/см с добавлением галлия в количестве 0,8-3,0% от веса борного ангидрида. Удаляют с поверхности расплава всплывшие шлаки, а летучие примеси удаляют вентиляцией. Затем проводят вакуумирование в течение 0,5-20 часов при температуре 950-1250°С, удаляют борный ангидрида из контейнера и охлаждают. При расплавлении борного ангидрида совместно с галлием предлагается дополнительно вводить висмут в количестве 0,01-0,5% от веса борного ангидрида. Борный ангидрид может быть получен путем использования борной кислоты, часть которой в количестве 10-20% от веса загрузки помещают в контейнер и обезвоживают, затем добавляют галлий в количестве 0,4-1,5% от веса борной кислоты, после чего вводят оставшуюся часть борной кислоты и перед вакуумированием выдерживают расплав борного ангидрида в течение 0,5-2 часов. При удалении из контейнера борного ангидрида, допускается оставлять весь галлий и часть борного ангидрида в количестве 50-300% от веса исходного галлия. Затем вновь загружают борный ангидрид и повторно проводят процесс его обработки. Полученный борный ангидрид и соединение А³В⁵ загружают в тигель, проводят нагрев и выращивание монокристалла на затравку из расплава. Изобретение направлено на увеличение выхода годных и улучшение качества монокристаллов для оптических приборов и изготовление сверхъярких светодиодов за счет уменьшения содержания примесей в борном ангидриде и расплаве соединения А³В⁵. 3 з.п. ф-лы, 2 табл.

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений типа A^IIIB^V. Способ осуществляют путем облучения монокристаллических пластин арсенида индия быстрыми нейтронами с последующим нагревом, отжигом и охлаждением. Облучению подвергают монокристаллические пластины с различной степенью компенсации при плотности потока не более 10 ¹² см^-2 с^-1 до флюенса Ф=(0,5÷5,0)·10¹⁵ см^-2, а отжиг проводят при 850÷900°С в течение 20 минут при скорости нагрева и охлаждения 10 и 5 град/мин соответственно. Изобретение позволяет получать пластины арсенида индия с улучшенной однородностью и термостабильностью электрофизических свойств и уменьшенной степенью компенсации. 1 табл.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"Получение сильнокомпенсированного InAs методом облучения протонами. «Письма в ЖТФ», т.30, вып.1, с.35-42.

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений А^IIIВ^V. Монокристаллы антимонида индия, легированного оловом, получают путем облучения полным спектром реакторных нейтронов с последующим нагревом, отжигом и охлаждением. Нагрев ведут со скоростью 20÷40 град/мин до температуры отжига, определяемой по формуле Т _отж=450+(lgN_Sn-14)·7[°С], где N_Sn - концентрация вводимой легирующей примеси олова [см^-3], отжиг проводят в течение 20 минут, а последующее охлаждение ведут со скоростью 5÷10 град/мин до температуры 350÷400°С, а затем со скоростью 20÷40 град/мин до комнатной температуры. Изобретение позволяет производить легирование пластин антимонида индия оловом до высоких концентраций, повысить однородность распределения олова и подвижность электронов. 1 табл.

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений для получения объемных монокристаллов с высокой степенью совершенства структуры. Способ включает кристаллизацию расплава в тигле на затравочный кристалл, расположенный в нижней части тигля и имеющий площадь поперечного сечения много меньше площади основного сечения тигля. В качестве затравочного кристалла используют монокристалл, в котором линии дислокации преимущественно расположены под углом от 45 градусов к вертикали и более; кроме того, в качестве затравочного кристалла может быть использован монокристалл, содержащий изовалентную легирующую примесь с концентрацией выше 10 ¹⁸ атом/см³. Технический результат изобретения заключается в снижении плотности дислокации в выращиваемых монокристаллах и, соответственно, повышении качества монокристаллов большого диаметра. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к получению полупроводниковых соединений А³В⁵, используемых для изготовления подложек GaN, GaAs, GaP и др. Устройство для подачи паров хлорида галлия при газофазном осаждении соединений А³В⁵ содержит две соединенные между собой емкости, одна из которых предназначена для хранения хлорида галлия, а другая - для дозирования паров хлорида галлия в зону осаждения потоком газа-носителя. Устройство содержит термостат, в котором размещены упомянутые емкости, при этом емкость для дозирования жестко закреплена в нем, а емкость для хранения закреплена с возможностью перемещения в вертикальном направлении относительно емкости для дозирования. Емкости содержат верхний и боковой патрубки для ввода и вывода газа-носителя соответственно, при этом боковой патрубок емкости для хранения соединен с верхним патрубком емкости для дозирования, и нижние патрубки для перемещения жидкого хлорида галлия из емкости в емкость, соединенные между собой. Все соединения выполнены гибкими трубопроводами. Термостат размещен на пьедестале с возможностью поворота на 90 градусов вокруг горизонтальной оси, совпадающей с осью входного патрубка емкости хранения и выходного патрубка емкости дозирования. Устройство обеспечивает получение массивных (толщиной свыше 1 мм) слоев соединений А³В⁵ с заданными характеристиками (толщина, состав и др.) за счет поддержания постоянной концентрации хлорида галлия в газе-носителе по мере его расходования в процессе выращивания слоев. 1 ил.