Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: ...арсенид галлия – C30B 29/42

Изобретение относится к электронной технике, а именно - к материалам для изготовления полупроводниковых приборов с использованием эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Сущность изобретения заключается в использовании для выращивания эпитаксиальных слоев GaAs подложек из интерметаллических соединений, имеющих строго стехиометрический состав, а именно из лантанидов галлия GaLa₃ и Ga₃La₅, цирконидов галлия Ga₃Zr и Ga₃Zr₅, цирконида алюминия Al₃Zr, церида алюминия CeAl₂, бериллида палладия BePd, лантанида магния MgLa, лантанида алюминия Al ₂La, станнида платины Pt₃Sn, лантанида индия InLa, цирконида олова SnZr₄, плюмбида платины Pt ₃Pb. Предлагаемое изобретение позволяет существенно улучшить электрофизические параметры арсенида галлия за счет исключения диффузии компонентов подложки в эпитаксиальный слой. 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам приготовления атомно-гладких поверхностей полупроводников. Способ включает химико-динамическую полировку поверхности подложки в полирующем травителе, содержащем серную кислоту, перекись водорода и воду в течение 8÷10 мин, снятие слоя естественного оксида в водном растворе соляной кислоты до проявления гидрофобных свойств чистой поверхности подложки, промывку в деионизованной воде и сушку в центрифуге. После сушки подложку обрабатывают в парах селена в камере квазизамкнутого объема с образованием слоя селенида галлия при температуре подложки - Т_п=(310-350)°С, температуре стенок камеры - Т_с=(230-250)°С, температуре селена - T_Se=(280-300)°C в течение 3÷10 мин, после чего подложку снова помещают на 10÷15 мин в водный раствор соляной кислоты для стравливания слоя селенида галлия. Изобретение позволяет получить атомно-гладкую поверхность арсенида галлия с масштабом неоднородности порядка 3Å, что дает возможность использовать данные подложки для конструирования нанообъектов с помощью эффектов самоорганизации. 4 ил.

Изобретение относится к получению монокристаллических материалов и пленок и может использоваться в технологии полупроводниковых материалов для изготовления солнечных элементов, интегральных схем, твердотельных СВЧ-приборов. В качестве материалов подложек для выращивания пленок GaAs ориентации (100) используются монокристаллы интерметаллических соединений, выполненные из одного из бинарных сплавов: NiAl, CoAl, AlTi, NiGa. Изобретение позволяет выращивать зеркальные эпитаксиальные пленки арсенида галлия в более широком диапазоне температур осаждения и пересыщения, обеспечивает упрощение технологии изготовления приборов и снижает их стоимость. 2 з.п. ф-лы.

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Сущность изобретения: способ разделения монокристалла, в частности GaAs, заключается в том, что монокристалл (1) разрезается, по меньшей мере, на две части и режущий инструмент (2, 3; 8, 8а, 8b, 8с) перемещают относительно друг друга в направлении продвижения (V), при этом монокристалл (1) ориентируют таким образом, что заданная кристаллографическая ориентация (К) лежит в плоскости (Т) резки, а угол (р) между заданным кристаллографическим направлением (К) и направлением продвижения (V) выбирают таким образом, чтобы силы, которые действуют на режущий инструмент во время резки в направлении, перпендикулярном плоскости резки, компенсировали бы друг друга или представляли собой заданную силу. Изобретение позволяет увеличить скорость резки и улучшить качество получаемых пластин, что позволяет обходиться без этапов их последующей обработки. 4 н. и 12 з.п. ф-лы, 12 ил.