Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: ..серо-, селен- или теллурсодержащие соединения – C30B 29/46

Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ включает эксфолиацию заготовок из слоистых кристаллических материалов, закрепленных с одной стороны на опоре из глипталя, с использованием клейкой ленты, глипталь по окончании эксфолиации растворяют в ацетоне, где образуется взвесь кристаллических пластин (слоев) халькогенидов металлов, которые выделяют из взвеси путем осаждения их на подложку. Изобретение позволяет получать слои наноразмерной толщины из слоистых кристаллов с возможностью последующего осаждения на различные подложки. 3 ил., 2 пр.

Изобретение относится к области химической технологии и касается получения кристаллов сульфидных соединений на основе полуторных сульфидов редкоземельных элементов (ПСРЗЭ), легированных оловом, в том числе и в виде высокотемпературной полиморфной -модификации (ВТПМ). Способ включает загрузку исходных компонентов в термостойкий тигель, помещение тигля в кварцевый реактор, вакуумирование и герметизацию реактора, нагрев реактора в печи. В качестве исходных компонентов используют смесь полуторного сульфида редкоземельного элемента, РЗЭ=Y, La-Lu, и сульфида олова, или смесь порошков полуторных сульфидов РЗЭ и сульфида олова, или смесь элементарных лантаноида, олова и серы, взятых в стехиометрическом соотношении для синтеза Ln₂S₃ и SnS, нагревают реактор выше температуры расплавления сульфида олова, служащего в расплавленном состоянии растворителем, выдерживают при этой температуре до гомогенизации раствора-расплава, затем создают градиент температуры по длине реактора для массопереноса растворителя из раствора-расплава в более холодную часть реактора и выдерживают для последующего испарения растворителя и кристаллизации из раствора-расплава с легированием кристаллов катионом олова. Технический результат - возможность выращивать кристаллы высокотемпературной полиморфной модификации со структурой типа Th₃P₄ - кубическая, увеличение размеров выращиваемых кристаллов, расширение ряда выращиваемых кристаллов ПСРЗЭ и сокращение потерь РЗЭ в процессе кристаллизации. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 4 пр.

Изобретение относится к технологии получения кристаллов GaTe, которые могут быть использованы в нелинейной оптике, а именно для оптических преобразователей частоты ИК и ТГц диапазонов. Кристаллы теллурида галлия (II) выращивают вертикальной зонной плавкой в графитовых тиглях под давлением аргона 95-105 атм со скоростью движения зоны 9,5-10,3 мм/час. Изобретение позволяет выращивать монокристаллы GaTe, имеющие гексагональную структуру и однородное светопропускание в диапазоне длин волн 2,5-15 мкм. 3 ил., 6 пр.

Изобретение относится к технической физике и нелинейной оптике и может быть использовано при создании параметрических преобразователей частоты лазерного излучения в средний инфракрасный (ИК) и терагерцовый (ТГц) диапазоны спектра. Изменение обыкновенного показателя преломления нелинейного кристалла GaSe осуществляют легированием малоразмерным по отношению к химическому элементу Ga химическим элементом Al в концентрации 0,005-0,05 мас.%. Технический результат изобретения заключается в увеличении показателя преломления для волн обыкновенной поляризации в кристаллах GaSe при минимальных изменениях значения показателя преломления для волн необыкновенной поляризации. 1 табл.

Изобретение может быть использовано в слаботочной микроэлектронике. Дисульфид хрома-меди-железа включает серу, хром, медь, является монокристаллом и дополнительно содержит железо. Соотношение компонентов составляет, мас.%: железо 0,99-0,31; хром 28,93-28,95; медь 34,35-35,03; сера 35,71-35,73. Изобретение позволяет получить монокристаллический материал, обладающий анизотропией магнитосопротивления при комнатной температуре. 1 табл., 2 ил.

Изобретение относится к технологии высокотемпературного синтеза халькогенидов золота и серебра, а именно Ag₃ AuX₂, где X=S, Se, - ютенбогаардтита ( -Ag₃AuS₂) и фишессерита ( -Ag₃AuSe₂). Au-Ag халькогениды получают из высокотемпературных расплавов стехиометрического состава смеси элементарных компонентов, взятых в соотношениях, соответствующих синтезируемому составу с избытком халькогена в количестве не менее 0,04 мас.% от суммарной навески. Смесь элементарных компонентов помещают в кварцевую ампулу, оснащенную стержнем для минимизации ее свободного объема, ампулу запаивают и вакуумируют, смесь нагревают выше температуры плавления синтезируемого соединения со скоростью 0,2-0,5°С в минуту, выдерживают при этой температуре до получения однородного расплава, расплав охлаждают до температуры ниже температуры плавления получаемого соединения со скоростью не более 0,2°С в минуту, отжигают полученное соединение при этой температуре, затем ампулу охлаждают до комнатной температуры. Изобретение позволяет получать микрокристаллический сульфид или селенид золота и серебра однородного состава, а также обеспечивает взрывобезопасные условия их получения. 2 ил., 1 пр.

Изобретение может быть использовано при получении полупроводниковых соединений. Монокристаллы бинарных и тройных соединений на основе серы, селена и теллура получают путем направленной кристаллизации из расплава или раствора-расплава в устройстве, включающем двухзонную печь, расположенную вертикально, состоящую из верхней 1 и нижней 2 печей. Расплав или раствор-расплав 12 помещен в тигель 10, скрепленный штоком 8 с поплавком 7 и установленный в запаянной ампуле 5, в нижней части которой находится расплав летучего компонента 6. Верхняя 1 и нижняя 2 печи разделены воздушным промежутком с прозрачными теплоизолирующими кольцами 3 и 4. Верхняя 1 печь скреплена с механизмом 13 для перемещения ампулы 5. Сначала ампулу 5 устанавливают тиглем 10 в зоне с постоянной температурой верхней 1 печи и видимой нижней частью муфты штока 8 в воздушном промежутке. Затем устанавливают температуру испарения летучего компонента 6, соответствующую давлению паров 100 кПа, а температуру расплава в тигле 10 - на 5-10°C ниже температуры плавления получаемого монокристалла. Замеряют скорость опускания тигля 10 под действием увеличения веса за счет растворения летучего компонента 6 в растворе-расплаве 12 и устанавливают такую же скорость вытягивания ампулы 5. О достижении насыщения летучим компонентом свидетельствует отсутствие перемещения муфты. Затем механизм 13 выключают, устанавливают скорость опускания ампулы 5 в соответствии с выбранной линейной скоростью кристаллизации и ведут процесс до завершения кристаллизации всего расплава. За счет обеспечения контроля всех этапов процесса сокращается время выращивания монокристаллов и снижается брак. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике при создании магнитострикционных материалов. Монокристаллический железомарганцевый сульфид Fe_xMn_1-xS, в котором х=0,18; 0,27; 0,29, с колоссальной магнитострикцией, включает железо, марганец и серу при следующем соотношении компонентов, соответственно, мас.%: железо - 11,53; 17,28; 18,55; марганец - 36,78; 36,75; 36,74; сера - 51,69; 45,97; 44,71. Изобретение позволяет получить монокристаллический железомарганцевый сульфид, обладающий скачкообразным изменением магнитной восприимчивости в области магнитного перехода и магнитострикцией, изменяющей знак при изменении температуры. 4 ил., 2 табл.

Изобретение касается полупроводниковых материалов, содержащих свинец и теллур, а также, по меньшей мере, одну или две другие примеси, а также содержащих эти материалы термоэлектрических генераторов и устройств Пельтье. Полупроводниковый материал с проводимостью р- или n-типа на основе легированных теллуридов свинца имеет соединение общей формулы (I)

со следующими значениями: в каждом случае независимо n означает количество химических элементов, отличных от Pb и Те,

1 част./млн х1, , xn 0,05, -0,05 z 0,05 и n=2, А¹ Aⁿ - отличные друг от друга и выбраны из группы элементов: Al, Ge, Sn, Bi, Ti, Zr, Hf, Nb, Та, Cu, Ag, или n=1, А¹ выбран из Zr, Ag, Cu. Данные термоэлектрически активные материалы имеют высокий КПД и обнаруживают свойства, подходящие для различных областей применения: в качестве теплового насоса, в холодильниках и сушилках, для кондиционирования транспортных средств и зданий, для одновременного нагрева и охлаждения потоков веществ в процессах их разделения, в качестве генератора для использования источников тепла, для охлаждения электронных блоков. 2 н. и 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к получению полупроводниковых квантовых точек типов ядро и ядро-оболочка методом коллоидного синтеза, которые могут быть использованы в производстве различных люминесцентных материалов, а также в качестве основы для производства сверхминиатюрных светодиодов, источников белого света, одноэлектронных транзисторов, нелинейно-оптических устройств, фоточувствительных и фотогальванических устройств. Способ получения полупроводниковых квантовых точек на основе халькогенидов металлов II или IV группы включает синтез ядер нанокристаллов из прекурсора, содержащего халькоген, и прекурсора, содержащего металл II или IV группы, с использованием органического растворителя и модификатора поверхности, в качестве которого используют (аминоалкил)триалкоксисиланы. Синтез ядер осуществляют при постоянной температуре в пределах от 150 до 250°С в течение от 15 с до 1 часа и дополнительно проводят обработку реакционной смеси, содержащей ядра нанокристаллов, УФ-светом в течение 1÷10 мин и ультразвуком в течение 5÷15 мин. Технический результат заключается в повышении фотостабильности полупроводниковых квантовых точек до 34%, способности диспергироваться как в неполярных, так и в полярных растворителях, при сохранении и увеличении квантового выхода. 8 з.п. ф-лы, 1 табл., 6 ил.

Изобретение относится к кристаллам литиевых халькогенидов, предназначенных для применения в нелинейной оптике. Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов характеризуется формулой LiGa_XIn_1-XSe ₂, где х принимает любое значение больше 0,25 и меньше 0,75, имеет пространственную группу mm2 ромбической симметрии, координационное число Z=4, параметры решетки 7,085Å>а>6,903Å, 8,351Å>b>8,264Å, 6,715Å>с>6,586Å, объем элементарной ячейки 397,4ų>V>375,7Å ³ и выращен методом Бриджмена-Стокбаргера в вакуумированной ампуле с предварительным синтезом соединения из элементарных компонентов Li, Ga In, Se. Нелинейный монокристалл обеспечивает генерацию второй гармоники лазерного излучения в диапазоне от 1,57 мкм до 12,4 мкм и перестраиваемое по длине волны когерентное излучение до 14 мкм при параметрической генерации с накачкой лазерами видимого и ближнего ИК-диапазона. Монокристалл оптимально сочетает несколько параметров в зависимости от х: прозрачен от 0,390 мкм при Х=0,75 и имеет достаточно высокий нелинейный коэффициент - на уровне 11,6-10,5 pm/v при х=0,25-0,75. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"

Изобретение относится к способам синтеза диселенида меди и индия CuInSe₂ и может быть использовано в электронной технике и создании солнечных элементов для преобразования солнечной энергии, обладающих низкими оптическими потерями и высоким КПД. Сущность изобретения: способ получения CuInSe₂ включает загрузку шихты в реакционную камеру, вакуумирование, герметизацию и нагревание. В качестве шихты используют CuInSe_х, где 4 х 8, ее нагрев ведут до Т_max=1000°С до полного разложения на кристаллический CuInSe₂ и стеклообразный Se с последующим осаждением последнего в холодном конце камеры, температуру которого поддерживают при T_min<25°C. Предложенный способ простой, дешевый и экологически чистый. Способ позволяет получить высокочистый CuInSe₂ с содержанием примесей 1·10^-4 мас.%. CuInSe₂ можно получить как в виде тонких пленок, так и порошкообразным и монолитным. 1 ил.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"status solidi", 1983, A75, №2, K199-K203. PARKES J. et al. The fabrication of p and n type single crystals of CuInSe2. "J. of Cryst.Growth", 1973, 20, №4, 315-318.

Изобретение относится к кристаллам тройных халькогенидов, предназначенных к применению в квантовой электронике и оптоэлектронике. Сущность изобретения: тройной халькогенидный монокристалл характеризуется тем, что имеет химическую формулу LiGaTe₂, пространственную группу I42d тетрагональной симметрии, параметры решетки а=6,338Å, с=11,704Å, объем элементарной ячейки V=470,1Å, координационное число Z=16, плотность 4,689 г/см³ и выращен методом Бриджмена-Стокбаргера с предварительным синтезом соединения из элементарных компонентов Li, Ga, Те. Монокристалл LiGaTe ₂ способен к преобразованию лазерного излучения в ИК-области спектра от длины волны не менее 520 нм и до 20 мкм. Создан новый литийсодержащий тройной халькогенидный монокристалл, пригодный для использования в оптике среднего ИК-диапазона. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил.