Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: .органические соединения – C30B 29/54

МПКРаздел CC30C30BC30B 29/00C30B 29/54
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 29/00 Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой
C30B 29/54 .органические соединения

Патенты в данной категории

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ТЭНа ИГОЛЬЧАТОЙ ФОРМЫ

Изобретение относится к технологии взрывчатых веществ (ВВ) и может быть использовано в детонаторах и других взрывных устройствах, использующих процесс перехода горения ВВ во взрыв. Способ заключается в получении раствора ТЭНа в ацетоне, осаждении кристаллов ТЭНа путем добавления при перемешивании полученного раствора в осадитель в соотношении 1:(2-3), последующей фильтрацией полученного осадка и сушкой, при этом в качестве осадителя используют раствор изопропилового спирта в воде при соотношении (2-9):1. Раствор ТЭНа перед добавлением в осадитель нагревают до температуры 35-45°С. В осадитель может быть добавлен ультрадисперсный порошок алюминия. Игольчатая форма ТЭНа, полученная заявляемым способом, позволяет оптимизировать условия переходных процессов при формировании детонации в заряде ВВ. Способ является безопасным, т.к. отсутствуют операции интенсивного механического воздействия на ВВ и отсутствуют токсичные растворители, нагретые до температур, близких к температуре их кипения. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 3 пр.

2463393
патент выдан:
опубликован: 10.10.2012
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК

Сущность изобретения: в способе выращивания монокристаллических пленок водорастворимых веществ из пересыщенных водных растворов на инородную подложку с нанесенным на них рельефом в виде параллельных полосок различной конфигурации (параллельные прямые или ломаные линии) расстояние между полосками рельефа составляет 2 25 нм. В качестве примеров приводится получение монокристаллических пленок бифталата калия (БФК) на кремниевой подложке. Подложки площадью 10 см2 закрепляют на платформе, вращающейся со скоростью 60 об/мин, в кристаллизаторе объемом 1 л. При температуре кристаллизации 37 50°С и пересыщениях 1 5% в течение нескольких суток на подложках вырастает монокристаллическая пленка БФК толщиной до 10 20 нм и площадью до 6-8 см2. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
2042746
патент выдан:
опубликован: 27.08.1995
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Использование: в лазерной технике в качестве преобразователей частоты лазерного излучения. Сущность изобретения: способ включает выращивание из раствора, помещение кристалла после полного завершения процесса роста без контакта с атмосферой из ростовой среды в герметизирующую жидкость, химически не взаимодействующую с раствором и имеющую одинаковую с ней температуру, выдержку в этой жидкости и охлаждение. Причем помещение кристалла в жидкость осуществляют путем вытеснения ростового раствора последней. Способ позволяет получить крупные (до нескольких десятков кубических сантиметров) ненапряженные, без трещин органические кристаллы с естественным габитусом и отсутствием травления на гранях.
2038429
патент выдан:
опубликован: 27.06.1995
Наверх