Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: .отличающиеся формой – C30B 29/60

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, методом Чохральского. Способ включает подачу рабочего газа в камеру с последующей эвакуацией сформированного газового потока с парогазовой смесью, образованной над расплавом, расположенным в тигле, при этом рабочий газ подают в камеру снизу под тигель, а парогазовую смесь эвакуируют сверху над тиглем, причем после подачи в камеру газовый поток направляют вдоль стенок тигля сквозь теплоизолирующий материал так, что газ разогревается от контакта с теплоизоляцией, увеличивается в объеме, что снижает его расход, отбирает часть тепла от теплоизоляции, снижая расход охлаждающей воды и электроэнергии, и, проходя над поверхностью расплава, увлекает вверх за собой парогазовую смесь. При этом также исключается воздействие агрессивной парогазовой смеси на элементы теплового узла, значительно увеличивая срок его службы. 1 ил., 3 пр.

Изобретение относится к производству профилированных кристаллов из полупроводниковых материалов, применяемых в электронной промышленности. Устройство включает тигель с расплавом, формообразователь 1, закрепленный в установочном пазе крышки тигля и введенный в расплав тигля, затравкодержатель, установленный с возможностью вращения, вертикального и горизонтального перемещения, при этом рабочая поверхность формообразователя выполнена в виде кромок 3 дуг окружности с наклоном в сторону затравкодержателя. Кромки рабочей поверхности формообразователя могут быть выполнены криволинейными, например, в виде дуги окружности, параболы, гиперболы, либо прямолинейными. В устройстве может быть использовано несколько отдельных формообразователей, формирующих несколько менисков расплава. Изобретение позволяет выращивать крупногабаритные кристаллические полые изделия с высоким структурным совершенством в виде тел вращения с заданной формой боковой поверхности. 2 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к синтезу нанообъектов различных химических элементов и их соединений, которые могут быть использованы в электронных компонентах, катализаторах, в медицине, строительстве и т.д. Способ плазмохимического синтеза нанообъектов заключается в том, что создают струю плазмы путем пропускания плазмообразующего газа через электрическую дугу с последующим выходом образующейся плазмы через цилиндрическое отверстие, в которое вводят исходный дисперсный материал в виде порошка и воздействуют на плазму и этот материал высокочастотным магнитным полем, увеличивающим объем плазменной струи и температуру плазмы, а в область между зоной реакции и водоохлаждаемой камерой подают поток охлаждающего инертного газа, при этом в плазму вводят катализатор путем испарения композиционного катода, в состав которого входит этот катализатор, катод перемещают по мере его испарения для обеспечения постоянства длины дуги, и в низкотемпературной области плазмы системой возбуждения электронов дополнительно повышают энергию электронов путем подачи постоянного напряжения 25 В на эмиттер резонансно-туннельной структуры системы возбуждения электронов, причем в охлаждающий поток инертного газа вводят диспергированную жидкость. Устройство для осуществления способа содержит диэлектрический корпус плазмотрона 22 с отверстием 24 для подачи плазмообразующего газа, в котором расположены держатель 19 с катодом 18 и анод 23, содержащий отверстия 25 для подачи транспортирующего газа и исходного дисперсного материала, реакционную камеру 26, герметично соединенную с анодом 23, вокруг которой размещен генератор высокочастотного магнитного поля 27, водоохлаждаемую камеру 29, соединенную с реакционной камерой 26. Устройство дополнительно снабжено валками 20, управляемыми устройством автоматической подачи катода с контролем по току между катодом и анодом, катод 18 расположен в отверстии анода 23 на глубине 1-2 мм с зазором в 2±1 мм, причем катод 18 выполнен композиционным, в состав которого входит катализатор синтеза нанообъектов, при этом устройство содержит систему возбуждения электронов плазмы 28, включающую туннельно-резонансную структуру с системой теплостойких электродов, размещенных в реакционной камере 26, помещенную в систему теплостойких электродов форсунку 36 для подачи при помощи нагнетателя 35 потока смеси инертного газа и диспергированной жидкости, распределитель газа 33, вход которого соединен с пневматическим насосом 34, а выходы - с отверстием диэлектрического корпуса плазмотрона 22, с отверстием в аноде 23 для подачи транспортирующего газа и дисперсного материала и с первым входом нагнетателя 35, причем второй вход нагнетателя 35 соединен с водоохлаждаемой камерой 29, которая разделена на два отсека и на две трети заполнена жидкостью, выбранной из ряда: дистиллированная вода, спирт, растворитель, а верхняя часть первого отсека связана с нижней частью второго отсека через сетку 31 с отверстиями менее 0,2 мм, и реакционная камера 26 соединена с водоохлаждающей камерой 29 трубкой 32, нижняя часть которой погружена в жидкость водоохлаждаемой камеры 29. 2 н. з.п. ф-лы, 5 ил.