Производство монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, отличающееся воздействием электрического или магнитного полей, волновой энергии или других специфических физических условий: .с использованием электрических полей, например электролиза – C30B 30/02

Изобретение может быть использовано в медицине при производстве препаратов для послеоперационной поддерживающей терапии. Проводят термическое разложение метана в герметичной камере на подложках из кремния или никеля при давлении 10-30 Торр и температуре 1050-1150 °С. Нагрев осуществляют пропусканием электрического тока через пластину из углеродной фольги, ткани, войлока или конструкционного графита, на которой размещены подложки. Над этой пластиной установлена аналогичная пластина, на которую подают потенциал смещения от внешнего источника. На подложках осаждаются наноалмазы размером от 4 нм до 10 нм. 1 ил., 6 пр.

Изобретение относится к технологии получения чистых веществ, используемых в отраслях высоких технологий: полупроводниковой, солнечной энергетики, волоконно-оптической связи. Способ получения поликристаллического кремния осуществляют путем плазмохимического пиролиза частиц исходного кварцевого сырья в проточном реакторе в потоке плазмы инертного газа - аргона и водорода, при этом в качестве исходного кварцевого сырья используют природный кварцевый концентрат с размером частиц не более 20 мкм, пиролиз осуществляют при температуре 6500-13000 К с разложением реагирующей смеси на атомы кремния и кислорода, затем полученную газофазную атомарную смесь охлаждают в интервале от 6500 до 2000 К со скоростью 10 ⁵-10⁶ К/с для образования паров кремния за счет связывания свободного кислорода с водородом без повторного окисления кремния, после чего конденсируют полученные пары кремния путем дальнейшего охлаждения смеси до 1000 К с образованием поликристаллического кремния в виде сферических частиц. Предложенный способ является высокоэффективным и экологически чистым и позволяет получать поликремний с низкой себестоимостью непосредственно из концентратов природного кварца без использования дополнительных восстановителей. 7 ил., 2 табл.

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения и может быть использовано для получения отдельных кристаллов и массивов оксида цинка для применения в качестве активных элементов, материала для фотокаталитической очистки сред, пьезоэлектрических датчиков, а также для фундаментальных исследований кинетики роста кристаллов. Способ характеризуется тем, что латунную мишень, покрытую углеродными нанотрубками, обрабатывают на воздухе непрерывным излучением иттербиевого волоконного лазера в присутствии электростатического поля напряженностью от 250 В/м до 750 В/м, упорядочивающего движение ионов цинка и кислорода и ускоряющего его в направлении области реакции. Изменение параметров электрического поля в указанном диапазоне обеспечивает получение массивов нитевидных кристаллов оксида цинка с диаметром от 50 до 400 нм, в том числе вертикально упорядоченных ориентированных кристаллов. Изобретение позволяет получать кристаллы без катализаторов и кристаллизационных камер. 2 ил.

Изобретение относится к области получения наноалмазов, представляющих интерес для использования в послеоперационной поддерживающей терапии. Сущность способа состоит в том, что проводят термическое разложение метана на полированных пластинах кремния при давлении 50-100 Торр и температуре 1050-1150°С. Нагрев осуществляется пропусканием электрического тока через 2 параллельные пластины из конструкционного графита, гибкой углеродной фольги или углеграфитовой ткани, в зазоре между которыми размещаются пластины кремния. Между пластинами создается значительная электрическая разность потенциалов. Применение заявляемого способа позволяет получать наноалмазы размером от 4 нм до 10 нм. 3 ил.

Изобретение относится к области получения монокристаллических слоистых пленок графита на полупроводниковых подложках, представляющих интерес для использования в производстве приборов оптоэлектроники. Сущность способа состоит в том, что проводят термическое разложение метана на полированной пластине кремния при давлении 10-30 Торр и температуре 1200-1350°С. Нагрев осуществляется пропусканием электрического тока через две параллельные ленты из углеродной фольги, в зазоре между которыми размещается пластина кремния. Изобретение позволяет получать нанокристаллические слои графита высокого качества. 1 ил.

Изобретение относится к хлорсилановой технологии получения поликристаллического кремния и может быть использовано в производстве полупроводниковых материалов и электронных приборов. Способ осуществляют в реакторе путем водородного восстановления смеси хлорсиланов с термическим разложением силана и осаждения до необходимой толщины слоя поликристаллического кремния на нагретую до 1100-1200°С стержневую основу, при этом на кремниевую стержневую основу сначала осаждают поликристаллический кремний до получения слоя толщиной около 2 мм, затем поверхность этого слоя поляризуют приложением к ней положительного потенциала 8-10 В относительно основы и осаждают рыхлый слой поликристаллического кремния толщиной 1,5-2,0 мм, после чего поляризационный потенциал отключают и продолжают осаждение поликристаллического кремния до получения слоя необходимой толщины. Изобретение направлено на упрощение процесса снятия осажденного на стержневую основу слоя поликристаллического кремния. 1 ил.

Изобретение может быть использовано в производстве полупроводниковых материалов, солнечных элементов и микроэлектронике. Кремний осаждают на предварительно нагретые высокочастотным током подложки из чистого кремния. Изобретение позволяет получать кремний высокой чистоты. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области получения пленок фотонных кристаллов. Формирование пленок фотонных кристаллов осуществляют путем осаждения монодисперсных микросфер коллоидных частиц из суспензии на расположенные вертикально в ней проводящие подложки, при этом в качестве монодисперсных микросфер используют коллоидные частицы из полистирола, полиметилметакрилата или оксида кремния, а осаждение осуществляют при температуре суспензии (60±3)°С при одновременной подаче к подложкам разности потенциалов 1 В. В качестве проводящих подложек могут быть использованы стекла с проводящим покрытием из индий-оловянного оксида (ITO), стекло с напыленной пленкой золота и др. Изобретение позволяет направленно получать однородные и высокоупорядоченные структуры фотонных кристаллов на больших площадях с высокой скоростью роста. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов методом Чохральского. Выращивание легированных кристаллов ниобата лития состава, близкого к стехиометрическому, осуществляют на затравочный кристалл из расплава шихты ниобата лития конгруэнтного состава с отношением Li/Nb, равным 0,938-0,946, и содержащим 9-13 мол. % K₂O и 0,5-2,5 мол. % MgO или ZnO, в условиях приложенного электрического поля плотностью тока 0,2-40 А/м ². Приведено устройство для осуществления способа, содержащее корпус с камерой роста и камерой охлаждения, тигель 1, размещенный в камере роста, индукционный нагреватель, верхний металлический нагревательный экран 4, установленный над тиглем 1, механизм перемещения кристалла со штоком, стержень с держателем 3 затравочного кристалла 2. Устройство дополнительно снабжено стабилизированным источником постоянного тока 10 с электродами; над затравочным кристаллом 2 установлен дополнительный груз из электропроводящего материала, отделенный от стенок держателя непроводящим электрический ток материалом, при этом один из электродов подключен к тиглю 1, а второй электрод подключен к грузу. Изобретение позволяет выращивать крупногабаритные оптически однородные кристаллы ниобата лития состава, близкого к стехиометрическому Li/Nb>0,994, дополнительно легированных MgO или ZnO, состав которых в верхней и нижней части кристалла практически одинаков, без разрушения затравочного кристалла. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)_1-x(AlN)_x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC) _1-x(AlN)_x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия (GaN) на подложках карбида кремния (SiC). Эпитаксиальные пленки твердого раствора карбида кремния с нитридом алюминия (SiC)_1-x (AlN)_x, где 0<х<1, получают путем осаждения твердого раствора на монокристаллическую подложку SiC-6H при температуре 1000°С ионно-плазменным магнетронным распылением мишени из поликристаллического твердого раствора (SiC) _1-x(AlN)_x, где 0<х<1, при этом распыление мишени ведут при воздействии переменного тока с частотой 13,56 МГц. Изобретение позволяет получать монокристаллические пленки высокого совершенства во всем диапазоне изменения химического состава, а также увеличить эффективность распыления высокоомных мишеней. 3 ил.