Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, устройства для этих целей: ..реакционные камеры, выбор материала для них – C30B 31/10

Использование: при изготовлении светоизлучающих устройств на основе селенида цинка. Сущность изобретения: способ термической обработки полупроводникового соединения ZnSe включает формирование пленки алюминия на поверхности, по меньшей мере, одного кристалла ZnSe, размещение, упомянутого по меньшей мере одного кристалла ZnSe в камере для термической обработки, имеющей внутреннюю поверхность, сформированную по меньшей мере из одного материала, выбранного из группы, состоящей из пиролитического нитрида бора, нитрида бора с гексагональной решеткой, сапфира, окиси алюминия, нитрида алюминия и поликристаллического алмаза; вакуумирование камеры и термическую обработку упомянутого по меньшей мере одного кристалла в газовой атмосфере, содержащей пары цинка. Также предложен кристалл полупроводникового соединения ZnSe, подвергнутый термической обработке с помощью указанного выше способа, и устройство для термической обработки полупроводникового соединения ZnSe, которое включает в себя компоненты для осуществления указанного выше способа. Техническим результатом изобретения является понижение удельного сопротивления полупроводникового соединения ZnSe без понижения степени кристалличности. 3 н. и 7 з.п. ф-лы, 2 ил.