Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, устройства для этих целей: ..ионным внедрением – C30B 31/22

Изобретение относится к средствам и способам маркировки ценных изделий, преимущественно драгоценных камней, в частности ограненных алмазов (бриллиантов), и может быть использовано для последующей идентификации данных изделий. Метка 1 выполнена в виде сформированного на полированной поверхности 3 изделия 2 оптически визуализируемого в дифракционно-отраженном свете изображения. Структура изображения организована посредством модифицированной области поверхностного слоя изделия 2 с измененными, относительно исходных, оптическими свойствами в упомянутой области, функционально являющейся изображением метки 1. Модифицированная область выполнена в виде микроштрихов 8, пространственно организованных по типу отражательной дифракционной решетки, функционально являющейся средством повышения контраста визуального восприятия изображения метки 1, по меньшей мере, в одном из цветовых тонов спектра падающего на нее излучения. Структура микроштрихов модифицированой области включает, по меньшей мере, одну примесную добавку, выбранную из группы, включающей благородные металлы или бор, ионно-имплантированную в атомные решетки исходного материала изделия без разрушения межатомных связей этих решеток и, соответственно, без изменения качества полированной поверхности изделия, но с изменением комплексного показателя преломления этого материала. Согласно способу формирования метки 1, перед модифицированием на поверхность 3 наносят технологический слой (ТС) материала, удаляемый после модифицирования. В ТС формируют структуру, организованную по типу штриховой решетки. Модифицирование соответствующей области поверхностного слоя осуществляют посредством экспонирования этой области ионным пучком через маску с изображением метки 1 и образованную в ТС пространственную структуру, организуя тем самым технологический режим имплантации ионов модификатора в модифицируемую область поверхностного слоя материала изделия 2 без разрушения связей в атомных решетках этого материала и, соответственно, без изменения исходного качества полировки поверхностного слоя, но с изменением его исходных оптических свойств. В качестве модификатора используют примесные добавки, выбранные из группы, включающей благородные металлы или бор, ионы которых изменяют комплексный показатель преломления модифицированного слоя. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области легирования твердых тел путем их облучения пучком ионов из фазообразующих атомов и может быть использовано для структурно-фазовой модификации твердых тел, например для улучшения их физико-механических, коррозионных и других практически важных свойств. Предложены два варианта реализации формирования на поверхности облучаемого объекта многоэлементного пучка при условии отличающихся не более чем на 10% для каждого из ионов величины отношения их массы к заряду. Сущность изобретения по первому варианту заключается в том, что в объеме камеры одного источника, соединенной, по меньшей мере, с двумя автономными дозаторами фазообразующих атомов, формируют из них многоэлементную плазму высокозарядных ионов. С помощью электрического поля, сформированного постоянным по величине ускоряющим напряжением, экстрагируют из плазмы многоэлементный пучок многозарядных ионов и направляют его в магнитный массепаратор. Магнитный сепаратор выделяет ионные компоненты фазообразующих атомов с различающимися не более чем на 10% относительно друг друга значениями величины отношения массы иона к их заряду и сканируют данным многоэлементным пучком по поверхности облучаемого объекта. Сущность изобретения по второму варианту заключается в том, что в объеме камеры источника, соединенной по меньшей мере с двумя автономными дозаторами фазообразующих атомов, формируют из них многоэлементную плазму высокозарядных ионов. С помощью периодически и последовательно изменяющегося по амплитуде электрического поля, сформированного модулятором амплитуды ускоряющего напряжения, экстрагируют многоэлементный пучок многозарядных ионов с соответствующими энергиями. Ионы, периодически и последовательно ускоренные до выбранных энергий, направляются через магнитный сепаратор на облучаемый объект. Изобретение решает задачу повышения эффективности ионного легирования и сокращения времени облучения объекта путем его одновременного облучения многоэлементным пучком ионов из фазообразующих атомов. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области получения специальных сплавов в виде покрытий или самонесущих изделий и может быть использовано в металлургии, машиностроении, материаловедении и других отраслях. Способ легирования металла в пленках включает одновременное со сдвигом в пространстве распыление металла и легирующего элемента в нанодисперсное состояние в плазме низкого давления и соосаждение их субслоями поочередным повторяющимся пересечением потоков плазмы, при этом осаждение каждого субслоя ведут в виде островкового покрытия размером частиц металла и/или легирующего элемента менее критического, при котором частица находится в жидком состоянии при соосаждении. Технический результат заключается в значительном снижении температуры легирования - образования твердого раствора (около 100°С). 1 табл.

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения були нитрида элемента III-V групп для создания микроэлектронных устройств на подложках, изготовленных из такой були. Сущность изобретения: булю нитрида элемента III-V группы можно получить путем выращивания материала нитрида элемента III-V группы на соответствующем кристалле-затравке из такого же материала нитрида элемента III-V группы путем эпитаксии из паровой фазы при скорости роста выше 20 микрометров в час. Буля имеет качество, пригодное для изготовления микроэлектроронных устройств, ее диаметр составляет более 1 сантиметра, длина более 1 миллиметра и плотность дефектов на верхней поверхности менее 10⁷ дефектов·см ^-2. 9 н. и 96 з.п. ф-лы, 9 ил.