Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой: .травление – C30B 33/08

МПКРаздел CC30C30BC30B 33/00C30B 33/08
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 33/00 Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой
C30B 33/08 .травление

Патенты в данной категории

СПОСОБ ПРОФИЛИРОВАНИЯ ТУГОПЛАВКИХ И ХИМИЧЕСКИ СТОЙКИХ МАТЕРИАЛОВ

Изобретение относится к способам термохимического травления тугоплавких химически стойких материалов, в частности к методам локального травления их поверхности, например, с использованием локального лазерного облучения. Сущность изобретения: способ профилирования изделий из тугоплавких и химических стойких материалов путем травления их поверхности наносимым на поверхность слоем взаимодействующего с ними вещества при нагреве заключается в том, что нанесение слоя вещества производят локальным воздействием переднего фронта лазерного импульсного облучения, для чего поверхность изделия подвергают одновременному воздействию лазерных импульсов и паров летучего соединения, пиролитически разлагающегося с получением указанного вещества, причем амплитуда лазерного импульса достаточна для испарения вещества. Способ обладает доступной простотой, поскольку он позволяет производить такие операции, как нанесение травителя, процесс его реагирования с изделием, удаление травителя производить в одном цикле за время лазерного облучения изделия. 3 з.п. ф-лы.

2252280
патент выдан:
опубликован: 20.05.2005
Наверх