Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей: .охлаждением раствора – C30B 9/04

МПКРаздел CC30C30BC30B 9/00C30B 9/04
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 9/00 Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей
C30B 9/04 .охлаждением раствора

Патенты в данной категории

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛИТИЙ-ВИСМУТОВОГО МОЛИБДАТА

Изобретение относится к области химической технологии и касается получения объемных кристаллов состава Li8 Bi2(MoO4)7. Кристаллы выращивают из раствора-расплава литий-висмутового молибдата в растворителе путем кристаллизации при постепенном охлаждении расплава и выращенных кристаллов, при этом в качестве растворителя используют эвтектическую смесь, содержащую 47 мол. % оксида молибдена и 53 мол. % молибдата лития при содержании литий-висмутового молибдата и эвтектической смеси, равном 10-40 мол. % и 90-60 мол. %, соответственно, выращивание ведут в условиях низких градиентов температуры, составляющих менее 1 град/см, на затравку, ориентированную по [001] и вращающуюся со скоростью 20-30 об/мин при скорости вытягивания 0,5-2,0 мм/сутки при постоянном охлаждении раствора-расплава со скоростью 0,2-5,0 град/сутки с последующим отделением выращенных кристаллов от раствора-расплава и охлаждением до комнатной температуры. Изобретение позволяет получать крупные (размером 20×30 мм) кристаллы Li8Bi2(MoO4) высокого оптического качества. 1 пр.

2519428
патент выдан:
опубликован: 10.06.2014
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛИТИЙ-МАГНИЕВОГО МОЛИБДАТА

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов литий-магниевого молибдата Li2Mg2(MoO 4)3. Способ включает расплав литий-магниевого молибдата в расплаве растворителя, кристаллизацию при охлаждении расплава и охлаждение выращенных кристаллов, при этом в качестве растворителя используют молибдат лития Li2MoO 4 при мольном соотношении литий-магниевого молибдата и молибдата лития Li2MoO4, равном 2:3, соответственно, кристаллизацию ведут на вращающуюся затравку со скоростью 35 об/мин, ориентированную по направлению [010], скорости вытягивания затравки от 1 до 3 мм/сутки с одновременным охлаждением расплава со скоростью от 0,2 до 5 град/сутки и последующим отделением выращенных кристаллов от расплава и их охлаждением со скоростью 30 град/час. Предлагаемый способ позволяет получать оптически однородные кристаллы литий-магниевого молибдата, Li2 Mg2(MoO4)3, не содержащих включений, блоков и трещин, размерами 25×45 мм. 1 з.п. ф-лы.

2487968
патент выдан:
опубликован: 20.07.2013
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОГИДРАТА ПЛАТИНОХЛОРИСТОВОДОРОДНОЙ КИСЛОТЫ

Способ получения платинохлористоводородной кислоты относится к химико-металлургическому производству металлов платиновой группы (МПГ) и их соединений, в частности синтезу соединений платины, а именно, синтезу кристаллогидрата платинохлористоводородной кислоты. Согласно способу осуществляют упаривание раствора платины, получают расплав платинохлористоводородной кислоты, который гранулируют в криогенную среду, в качестве которой используют инертный сжиженный газ. Изобретение позволяет получить платинохлористоводородную кислоту в виде кристаллогидрата высокого качества с необходимым содержанием платины. 1 табл.

2324016
патент выдан:
опубликован: 10.05.2008
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА -BaB2O4

Изобретение относится к получению монокристалла -BaB2O4(ВBO), применяемого для преобразования частоты лазерного излучения. Способ включает выращивание в системе ВаО - B2O3 - Na2O, из раствора-расплава, состав которого определен областью ABCD-A"B"C"D", со следующими координатами точек, мольные доли: A: BaO 0,54; B2O3 0,39; Nа2O 0,07; В: ВаO 0,41; B2O3 0,41; Nа2O 0,18; С: ВаO 0,36; В2O3 0,46; Nа2O 0,18; D: ВаO 0,25; B2O3 0,50; Nа2O 0,25; A": ВаО 0,53; B2O3 0,42; Nа2O 0,05; В": ВаO 0,445; B2O3 0,445; Nа2O 0,11; C": BaO 0,40; B2O3 0,49; Nа2O 0,11; D": ВаО 0,33; B2O3 0,50; Nа2O 0,17. Составы данной области ВаО - B2O3 - Na2O обеспечивают снижение вязкости раствора-расплава, что приводит к увеличению температурного интервала, пригодного для роста монокристалла -BaB2O4 при определенной скорости вытягивания, и позволяет выращивать кристаллы, размер которых по длине в кристаллографическом направлении [0001] достигает 20-25 мм, характеризующихся хорошими показателями оптического качества и возможностью изготовления оптических элементов. 1 ил.
2139957
патент выдан:
опубликован: 20.10.1999
Наверх