Насосы и компрессоры, не отнесенные к группам  ,25/00: ..выбор абсорбционных или адсорбционных материалов – F04B 37/04

Изобретение относится к газопоглощающим материалам, в частности к спеченным неиспаряющимся геттерам, и может быть использовано в вакуумной технике и микроэлектронике, в частности в разрядных приборах. Спеченный неиспаряющийся геттер содержит три слоя, при этом первый и третий слои выполнены из порошка сплава титан - ванадий при их соотношении, вес.%, 70:30, второй слой - из смеси упомянутого порошка сплава и интеркалированного углерода при их соотношении, вес.%, (80:20)-(99:1), толщина первого и третьего слоя составляет 20-200 среднего размера порошка сплава, толщина второго слоя составляет 1-6 толщины первого или третьего слоя, активная площадь слоев эквивалентна геометрической площади геттера не менее 500-кратного значения, при этом пористостью спеченного геттера составляет 30-60%. Техническим результатом изобретения является расширение функциональных возможностей, повышение сорбционных свойств и механической прочности. 6 пр., 1 табл., 1 ил.

Изобретение относится к способу изготовления пористых газопоглотительных устройств с пониженной потерей частиц и к устройствам, изготавливаемым этим способом. Предложенный способ включает формирование покрытия с толщиной по меньшей мере 0,5 мкм на поверхности пористого газопоглотительного тела. Покрытие формируют из материала, совместимого с условиями использования газопоглотительного устройства и выбранного из числа переходных металлов, редкоземельных элементов и алюминия, путем испарения, осаждения из генерируемой дуговым разрядом плазмы, осаждения из ионного пучка или катодного осаждения, при этом частицы газопоглотительного тела покрывают покрытием частично на внешней поверхности указанного газопоглотительного тела. Предложенное устройство изготавливают заявленным способом. Техническим результатом изобретения является разработка способа, обеспечивающего изготовление пористых газопоглотительных устройств со сниженной потерей частиц. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к процессам осаждения тонких пленок. Может применяться при производстве интегральных микросхем, носителей для хранения информации, плоских дисплеев и т.п. Предложен способ осаждения тонких пленок на подложку. Газопоглощающее устройство в активированном состоянии вводят во взаимодействие с рабочей газовой средой в вакуумируемой рабочей камере. Сумма парциальных давлений химически активных газов в камере не более 10^-3 мбар (0,1 Па). Перед началом процесса осаждения газопоглощающее устройство удаляют из рабочей камеры с использованием автоматизированного оборудования и операций для манипулирования подложками. При этом в рабочей камере поддерживается вакуум или давление, требующееся для процесса осаждения. Техническим результатом является увеличение выхода годного продукта при осаждении тонких пленок на подложку за счет уменьшения загрязнения рабочей среды и времени на откачку камеры. 10 з.п. ф-лы, 8 ил.