Светофильтры, подбор люминесцентного материала для экранов: .для фильтрации инфракрасного излучения – F21V 9/04

Изобретение относится к области светотехники и интегральной оптики, связанной с созданием инфракрасных светофильтров отрезающего и полосового типа, поглощающих видимое излучение и пропускающих коротковолновое и длинноволновое ближнее инфракрасное излучение и предназначенных для защиты инфракрасных датчиков видеоконтрольных устройств и приборов ночного видения от паразитных помех, связанных с воздействием света видимого диапазона, а также для использования в оптических системах контроля подлинности документов, в системах охранной и пожарной сигнализации, в том числе в системах контроля и разграничения доступа и охраны периметра объектов, в видеодомофонах, видеоглазках и подобных устройствах. Суть изобретения заключается в том, что в качестве материала для ИК-светофильтра используют предварительно активированные кристаллы LiF:U и облучают их нейтронами до флюенса 1,2·10¹⁶÷3·10 ¹⁶ см^-2. Облученные кристаллы выдерживают на воздухе при комнатной температуре в течение 10-12 месяцев, а затем подвергают их отжигу на воздухе при температуре 200-300°С в течение 0,5-1,5 часов. Технический результат: обеспечение сплошного поглощения света в видимом диапазоне и повышение термической и радиационной устойчивости. 1 ил.

Изобретение относится к области светотехники и интегральной оптики, связанной с созданием инфракрасных светофильтров отрезающего и полосового типа, поглощающих видимое излучение и пропускающих коротковолновое и длинноволновое ближнее инфракрасное излучение. Согласно способу изготовления инфракрасного светофильтра кристалл фторида натрия облучают пучком ионов гелия Не⁺ с энергией 1,5-4,6 МэВ, причем облучение рабочей грани кристалла ведут до флюенса (1,2-3,0)·10¹⁶ ион/см². После облучения рабочей грани кристалла облучают противоположную ей грань до такого же флюенса. Технический результат - повышение способности поглощать излучение видимого диапазона, возможность эксплуатации в условиях низких температур, устойчивости к радиационным воздействиям. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.