Вакуумметры: ..с помощью измерения изменений электрического сопротивления измерительных элементов, например нитей, вакуумметры Пирани – G01L 21/12
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКА ВАКУУМА С НАНОСТРУКТУРОЙ ПОВЫШЕННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ И ДАТЧИК ВАКУУМА НА ЕГО ОСНОВЕ
Изобретение относится к измерительной технике. Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)20%(SnO2 )80% путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту и двухводный хлорид олова (SnCl2 ·2H2O) в определенных соотношениях. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика вакуума. 2 н.п. ф-лы, 4 ил. |
2506659 патент выдан: опубликован: 10.02.2014 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКА ВАКУУМА С НАНОСТРУКТУРОЙ ЗАДАННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ И ДАТЧИК ВАКУУМА НА ЕГО ОСНОВЕ
Изобретение относится к измерительной технике. В способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой получают гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO2 )100%-x(SnO2)x. Массовую долю компонента х определяют (задают) в интервале 50% |
2505885 патент выдан: опубликован: 27.01.2014 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКА ВАКУУМА С НАНОСТРУКТУРОЙ И ДАТЧИК ВАКУУМА НА ЕГО ОСНОВЕ
Изобретение относится к датчикам вакуума для измерения давления разреженного газа в вакуумных установках различного назначения. Предложен способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой, заключающийся в том, что тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO2) 50%(SnO2)50% путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом. Золь приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту (НСl) и двухводный хлорид олова (SnCl 2·2H2O). Датчик вакуума с наноструктурой, изготовленный по предлагаемому способу, содержит корпус, установленную в нем гетерогенную структуру из тонких пленок материалов, образованную на подложке из полупроводника, тонкопленочный полупроводниковый резистор и контактные площадки к нему, сформированные в гетерогенной структуре, выводы корпуса и контактные проводники, соединяющие контактные площадки с выводами корпуса. Технический результат - повышение чувствительности датчика вакуума. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 4 ил. |
2485465 патент выдан: опубликован: 20.06.2013 |
|
| ТЕПЛОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ВАКУУММЕТР Использование: изобретение относится к теплоэлектрическим вакууметрам и может быть использовано для измерения давления разреженных газов. Целью изобретения является расширение диапазона рабочих температур теплоэлектрического вакууметра. Сущность изобретения: вакуумметр содержит первичный преобразователь 1, включающий два терморезистора - первый 3, чувствительный к давлению разреженного газа, и второй 2, являющийся датчиком температуры, подключенные первыми выводами к общему проводу, а вторыми - к первым выводам первого и второго постоянных резисторов 6, 5, к первым выводам первого и второго электронных ключей 8, 9 соответственно, вторые выводы электронных ключей соединены с первыми выводами третьего и четвертого постоянных резисторов 7, 4 соответственно, первый 3 терморезистор своим вторым выводом подключен к инвертирующему входу первого операционного усилителя 10, неинвертирующий вход которого соединен со вторым выводом второго 2 терморезистора, а его выход подключен ко вторым выводам второго 2 терморезистора, а его выход подключен ко вторым выводам первого, второго, третьего и четвертого постоянных резисторов, а также ко входам первого 11 и второго 12 устройств выборки-хранения, которые своими выходами соединены соответственно через пятый и шестой постоянные резисторы 13, 14 с инвертирующим и неинвертирующим входами второго операционного усилителя 17, неинвертирующий вход которого через седьмой резистор 15 соединен с общим проводом, а выход через восьмой резистор 16 соединен с инвертирующим входом, причем управляющие входы первого и второго ключей 9, 8, а также первого 11 устройства выборки-хранения соединены с первым выходом управляющего генератора 18, второй выход которого соединен с управляющим входом второго 12 устройства выборки-хранения, а выходом вакууметра является выход второго операционного усилителя 17. 1 ил. | 2104507 патент выдан: опубликован: 10.02.1998 |
|
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ ГАЗА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Изобретения относятся к измерительной технике и могут быть использованы для измерения давления газов в широком диапазоне давлений. Цель: расширение диапазона измеряемых давлений. Сущность изобретения: способ основан на определении интенсивности теплообмена между нагреваемым элементом 4 и газом. Через элемент 4 пропускают электрический ток, измеряют зависимость температуры разогрева эелмента 4 от рассеиваемой мощности и по градуировочной зависимости определяют давление газа. Отличительной особенностью способа является то, что пропускание электрического тока осуществляют в импульсном режиме, при этом длительность импульсов тока tимп выбирают из условия tимп< , где - характерное время установления стационарного распределения температуры в газе при скачкообразном изменении температуры нагреваемого элемента 4. Устройство для осуществления способа содержит кремниевую подложку 1, на которой сформирована диэлектрическая пленка 3 с электрически нагреваемым элементом 4, расположенным на пленке 3, причем в подложке 1 выполнено углубление 2, расположенное под нагреваемым элементом 4. Отличительной особенностью устройства является то, что отношение минимального поперечного размера нагреваемого элемента к суммарной толщине диэлектрической пленки 3 и нагреваемого элемента 4 превышает 50. 2 с.п. ф-лы, 1 ил.
|
2036448 патент выдан: опубликован: 27.05.1995 |
|
х