Исследование или анализ материалов радиационными методами, не отнесенными к группе  ,21/00 или  ,22/00, например с помощью рентгеновского излучения, нейтронного излучения: .с помощью дифракции, например для исследования структуры кристаллов, с помощью отраженного излучения – G01N 23/20

Использование: для определения концентрации элемента в веществе сложного химического состава. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют облучение пробы анализируемого вещества монохроматическим гамма- или рентгеновским излучением с одновременной регистрацией интенсивностей характеристического излучения и некогерентно рассеянного этой же пробой первичного излучения, при этом установление концентрации определяемого элемента проводят по аналитическому параметру, учитывающему влияние фона характеристического излучения. Технический результат: обеспечение возможности определения концентрации элементов в пробах различного химического и вещественного состава, имеющих различную структуру и плотность, без идентификации фазового состава, но с предварительной коррекцией фона. 9 ил.

Использование: для определения термостойкости изделий из сверхтвердой керамики на основе кубического нитрида бора. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют термообработку испытуемых образцов в вакууме или в инертном газе с последующим анализом, при котором определяют степень превращения алмазоподобных форм нитрида бора в графитоподобную фазу с гексагональной структурой и по ней судят о величине термостойкости изделий, при этом перед термической обработкой образцы дробят до величины фракций размером 100÷500 мкм, а анализ образцов производят рентгенофазовым методом. Технический результат: обеспечение возможности получения достоверного результата термостойкости изделий. 1 табл., 1 ил.

Изобретение относится к области металлургии и машиностроения. Для предотвращения брака по механическим свойствам непрерывно отожженной металлической заготовки и обеспечения максимального выхода годного осуществляют управление непрерывной термообработкой металлических заготовок, которое включает неразрушающий непрерывный контроль получаемой в результате термообработки характеристики механических свойств, при этом в качестве контрольной характеристики используют значение удельных энергозатрат, проводят сравнение значений текущих энергозатрат со значениями энергозатрат, полученными из предварительно установленных регрессионных зависимостей механических свойств от удельных энергозатрат, обеспечивающими получение необходимых механических свойств, и регулируют режим термообработки заготовки, обеспечивая попадание величины удельных энергозатрат в интервал допустимых значений. 5 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.

Использование: для неразрушающего исследуемую поверхность контроля температурных условий эксплуатации и разрушения трубных элементов паровых и водогрейных котлов. Сущность заключается в том, что подготавливают образец трубного элемента и эталон из не работавшего в котле участка трубы, имеющей аналогичный состав и способ изготовления, осуществляют рентгеносъемку эталона в режиме термоциклирования в цикле «нагрев - охлаждение до комнатной температуры», строят на ее основе зависимость отношений интегральных интенсивностей, полученных при комнатной температуре для двух наиболее сильных дифракционных линий, не имеющих наложений с дифракционными линиями других фаз, от температуры термоцикла, производят рентгеносъемку образца трубного элемента при комнатной температуре, для которого определяют отношение интегральных интенсивностей тех же двух дифракционных линий, сравнивают отношения интегральных интенсивностей дифракционных линий образца и эталона и определяют температуру эксплуатации участка трубного элемента, принимая ее равной температуре эталона при данной величине отношения интегральных интенсивностей. Технический результат: обеспечение возможности реализации способа определения температурных условий эксплуатации трубных элементов котлов, распространяющегося на все виды стали, независимо от водного режима работы котла, без разрушения поверхности образца. 1 ил., 4 табл.

Использование: для рентгеноструктурного контроля детали. Сущность: заключается в том, что осуществляют снятие рентгенограммы с контролируемой детали, выполняют определение параметра, зависящего от наработки детали, при этом снятие рентгенограммы с контролируемой детали на предполагаемой поверхности разрушения происходит от отражающей плоскости (11.0) без фона при использовании титанового излучения Ti-K и от отражающей плоскости (01.3) без фона при использовании титанового излучения Ti-K , при этом в качестве параметра, зависящего от наработки, используют интегрированный структурный параметр , определяемый как произведение параметра ширины В дифракционной линии без фона и параметра профиля Р дифракционной линии без фона: =В·Р, причем деталь является годной, если интегрированный структурный параметр будет больше 1: >1. Технический результат: сокращение времени контроля детали, как в процессе эксплуатации, так и на этапе ресурсных испытаний детали, а также мобильность процесса. 2 з.п. ф-лы, 2 табл., 10 ил.

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Фосфат лития-железа с кристаллической структурой оливина имеет состав, выраженный химической формулой (I) L _1+aFe_1-xM_x(PO_4-b)X _b (где М выбран из Al, Mg, Ti; X выбран из F, S, N; - 0,5 а +0,5; 0 х 0,5; и 0 b 0,1), содержит 0,1-5 мас.% Li₃PO₄ и не содержит или содержит менее 0,25 мас.% Li₂CO ₃. Содержание Li₃PO₄ в составе фосфата лития-железа повышает электрохимическую стабильность и обеспечивает термическую безопасность и ионную проводимость. Фосфат лития-железа по настоящему изобретению может использоваться в качестве активного материала положительного электрода для вторичной литиевой батареи. 5 н. и 10 з.п. ф-лы, 1 табл., 5 ил.

Использование: для регистрации кривых дифракционного отражения. Сущность заключается в том, что пучок рентгеновского излучение заданного диапазона направляют на исследуемый кристалл, а интенсивность рентгеновского излучения, подвергшегося дифракции в исследуемом кристалле, определяют с помощью детектора при последовательном изменении параметров условий дифракции снимаемого рентгеновского рефлекса, при этом параметры условий дифракции изменяют модуляцией межплоскостного расстояния снимаемого рентгеновского рефлекса посредством ультразвукового излучения. Технический результат: обеспечение возможности регистрации кривых дифракционного отражения путем управления параметрами рентгеновского пучка с помощью ультразвука. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 4 ил.

Использование: для идентификации партий фармацевтической продукции посредством рентгенодифракционного способа. Сущность: заключается в том, что осуществляют облучение образца монохроматическим рентгеновским излучением, регистрацию дифрактограммы от образца в форме профиля интенсивности дифрагированного рентгеновского излучения на разных углах дифракции, выделение пиков дифракции, сравнение характеристик выделенных пиков дифракции с аналогичными характеристиками референтных образцов, по которым судят о фазовом составе исследуемого образца, при этом для анализа из каждой партии фармацевтического продукта отбирают серии образцов в твердой форме, имеющие упаковки, каждый образец серии с ненарушенной структурой сканируют без нарушения упаковки, на дифрактограмме выделяют пики дифракции, соответствующие материалу упаковки, задают диапазон углов исследования дифрагированного излучения, в пределах которого выделяют пики дифракции для материала каждого образца, по которым статистическими методами устанавливают принадлежность соответствующих серий образцов, одна из которых является референтной, к одной партии фармацевтического продукта, а выбрав эталонную серию фармацевтического продукта заданного производителя в качестве референтной серии судят об аутентичности фармацевтического продукта, при этом длину волны монохроматического рентгеновского излучения выбирают с учетом характеристик материала упаковки. Технический результат: обеспечение возможности экспресс-анализа при исследовании, идентификации и установлении аутентичности партий фармацевтических продуктов в упаковках. 9 з.п. ф-лы, 12 ил., 1 табл.

Использование: для рентгеновского элементного и кристаллографического анализа образца. Сущность: заключается в том, что устройство для выполнения как рентгеновского дифракционного анализа (XRD), так и рентгеновского флюоресцентного анализа (XRF) кристаллического образца, содержит: откачиваемую камеру; держатель образца, расположенный в откачиваемой камере, для установки кристаллического образца так, чтобы его можно было анализировать; рентгеновский источник флюоресценции, установленный в откачиваемой камере, для облучения кристаллического образца рентгеновским излучением; установку регистрации XRF для регистрации вторичного рентгеновского излучения, испущенного с поверхности кристаллического образца в результате облучения рентгеновским излучением от указанного рентгеновского источника флюоресценции; при этом устройство содержит: рентгеновский источник дифракции, также установленный в откачиваемой камере, но отделенный от рентгеновского источника флюоресценции, для облучения кристаллического образца рентгеновским излучением; установку регистрации XRD для регистрации рентгеновского излучения характеристической длиной волны, которая была дифрагирована кристаллическим образцом; и подвижный опорный узел XRD, содержащий первую часть, выполненную с возможностью установки источника XRD, для перемещения источника XRD относительно держателя образца, и вторую часть, выполненную с возможностью установки регистрации XRD для перемещения установки регистрации XRD относительно держателя образца. Технический результат: обеспечение возможности более достоверного проведения как рентгеновского дифракционного анализа (XRD), так и рентгеновского флюоресцентного анализа (XRF) кристаллического образца. 12 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к медицинской технике, а именно к устройствам для формирования изображений исследуемого объекта. Рентгеновская установка содержит по меньшей мере один рентгеновский источник, испускающий полихроматическое рентгеновское излучение, первый приемник или первый блок приемников определения значений первой интенсивности проходящего рентгеновского излучения, второй приемник или второй блок приемников определения значений второй интенсивности испускаемого исследуемым объектом флуоресцентного рентгеновского излучения, блок корреляции, а также устройство вывода для отображения исследуемого объекта на основе сигналов элементов изображения. Применение рентгеновской установки для формирования изображения исследуемого объекта, содержащего по меньшей мере один рентгеноконтрастный химический элемент, осуществляется посредством рентгеновского излучения, проходящего через исследуемый объект, и флуоресцентного рентгеновского излучения, испускаемого указанным объектом. Использование изобретения позволяет обеспечить изображение малых патологических изменений с высоким пространственным разрешением при меньшей дозе облучения. 2 н. и 20 з.п. ф-лы, 7 ил.

Использование: для контроля дефектности и упругой деформации в слоях полупроводниковых гетероструктур. Сущность: заключается в том, что с помощью рентгеновской дифрактометрии при использовании скользящего первичного рентгеновского пучка получают ассиметричное отражение от кристаллографических плоскостей, которые составляют наибольший угол с поверхностью интерфейса подложка-эпитаксиальный слой, и определяют деформации в эпитаксиальных слоях по изменению расстояния между интерференционными максимумами от эпитаксиального слоя и подложки, при этом используют однокристальную рентгеновскую дифрактометрию с квазипараллельным рентгеновским пучком с суммарной расходимостью и сходимостью пучка 12 -24 , получают максимальное отражение путем азимутального поворота гетероструктуры вокруг нормали к ее поверхности, причем угол падения рентгеновского пучка к поверхности находится в диапазоне 2,5-9°, затем производят корректировку брэгговского угла путем изменения угла падения первичного рентгеновского пучка на кристаллографическую плоскость, совпадающую с поверхностью гетероструктуры, до получения максимального отражения, и используя систему кристаллографических плоскостей, по которым происходил рост эпитаксиальных слоев, получают одновременное отражение от аналогичных систем кристаллографических плоскостей растущих эпитаксиальных слоев и подложки, в том числе фиксируя наличие переходного слоя между ними. Технический результат: расширение комплекса решаемых задач при исследовании гетероструктур. 2 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 табл.

Использование: для определения остаточных напряжений в изделиях из монокристаллических материалов рентгеновским методом. Сущность заключается в том, что на поверхности контролируемого изделия выбирают направление, в котором будут определять остаточные напряжения, и кристаллографические плоскости, на которые воздействуют пучком рентгеновского излучения, регистрируют дифракционную картину, определяют угловые положения рефлексов, по взаимному расположению которых определяют остаточные напряжения, отличающийся тем, что для определения остаточных напряжений в выбранном и перпендикулярном выбранному направлениях используют такие кристаллографические плоскости, рефлексы от которых находятся в прецизионной области и проекции нормалей которых на поверхность контролируемого изделия имеют минимальный угол отклонения от выбранного направления, затем поочередно выводят выбранные плоскости в отражающее положение путем вращения и наклона образца, воздействуют параллельным рентгеновским пучком на контролируемое изделие, регистрируют рефлексы от выбранных плоскостей, обрабатывают рефлексы для определения угловых положений, определяют истинные периоды кристаллических решеток каждой из фаз, неискаженные остаточными напряжениями, и затем остаточные напряжения, используя соответствующие математические выражения. Технический результат: повышение точности определения остаточных напряжений. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Использование: для определения содержания углерода в сталях посредством рентгеноспектрального способа. Сущность: заключается в том, что осуществляют облучение исследуемых образцов сталей первичным излучением рентгеновской трубки и измерение интенсивности вторичного спектра, при этом перед облучением дополнительно проводят монохроматизацию рентгеновского излучения трубки, а измерение интенсивности вторичного спектра осуществляют по отраженной линии монохроматического рентгеновского излучения CuK на решетках карбидов железа, содержащихся в исследуемых образцах, и по зависимости, полученной на стандартных образцах, определяют содержание углерода в исследуемых образцах. Технический результат: повышение достоверности и надежности при определении углерода в сталях. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Использование: для когерентной рентгеновской фазовой микроскопии. Сущность заключается в том, что осуществляют облучение пространственно-когерентным рентгеновским пучком трехмерного объекта, детектируют дифракционное двумерное поперечное распределение интенсивности прошедшего излучения в дальней зоне для каждого дискретного пространственного положения объекта относительно зондирующего рентгеновского пучка, производят компьютерную реконструкцию трехмерного изображения, при этом устанавливают режим спонтанного характеристического одноволнового излучения и для каждого пространственного положения объекта определяют среднюю контрастность двумерного поперечного распределения спекл-поля прошедшего излучения, уменьшают время когерентности _с зондирующего рентгеновского излучения или соответственно увеличивают ширину спектральной линии _c излучения при перестройке от характеристического рентгеновского излучения к сплошному тормозному рентгеновскому излучению до значения, соответствующего уменьшению вдвое значения контрастности спекл-поля излучения, и определяют локальную фазовую задержку _ph из соотношения _ph= _c=1/ _c, измеренную для каждого угла вращения зондируемого объекта, по которой реконструируют объемное распределение электронной плотности и относительного показателя преломления. Технический результат: обеспечение возможности неинвазивного измерения 3D объемного изображения микро- и нанообъектов при использовании традиционных рентгеновских трубок со спонтанным рентгеновским характеристическим и тормозным излучением. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Использование: для проверки объектов посредством рентгеновского излучения. Сущность заключается в том, что активизируют массив дискретных рентгеновских источников на основе углеродных нанотрубок по заданной временной схеме для освещения объекта лучом, пространственная ориентация которого изменяется, регистрируют рентгеновское излучение после его взаимодействия с объектом и генерируют сигналы от датчиков, после чего производят построение изображения объекта на основе изменяющихся во времени сигналов от датчиков. Технический результат: обеспечение возможности использования очень компактного рентгеновского источника, уменьшение искажений изображения, обеспечение гибкости процесса получения изображений, а также уменьшение площади, занимаемой установкой, и увеличение пропускной способности при проверке объектов. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 9 ил.

Использование: для экспрессного рентгеноспектрального анализа металлизованных железорудных продуктов. Сущность: заключается в том, что на последовательном рентгеновском спектрометре с хромовой трубкой регистрируют рассеянное пробой, приготовленной прессованием в подложку из борной кислоты, первичное характеристическое излучение материала анода рентгеновской трубки, при этом дополнительно измеряют интенсивность флуоресцентной линии железа, а градуировочную зависимость находят как функцию отношения интенсивностей линий хрома и железа от степени металлизации, то есть отношения железа металлического к железу общему, причем предварительную градуировочную зависимость от 0 до 100% имеют до получения первых производственных проб, при этом используя вышеупомянутую градуировочную зависимость, определяют прямым измерением степень металлизации железорудных металлизованных продуктов. Технический результат: увеличение точности определения степени металлизации при сохранении экспрессности анализа. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Использование: для ультразвуковой газовой защиты масляного трансформатора. Сущность: заключается в том, что на бак трансформатора устанавливаются ультразвуковые преобразователи, которые излучают ультразвуковой сигнал и принимают отраженную ультразвуковую волну, принятый сигнал далее передается в блок ультразвукового контроля, где производится его обработка и дальнейшая передача в блок оцифровки сигнала и, если сигнал поступает в искаженном виде, формируется команда релейной защите на отключение трансформатора. Технический результат: существенное уменьшение времени срабатывания защиты и повышение надежности защиты масляных трансформаторов. 1 ил.

Использование: для определения относительного изменения межплоскостных расстояний совершенных кристаллов. Сущность: заключается в том, что сколлимированный пучок нейтронов направляют под углом Брэгга на систему из двух монокристаллов: первый с межплоскостным расстоянием d₀ является эталонным, второй с межплоскостным расстоянием d является исследуемым, при этом с помощью детектирующего кристалла с коэффициентом отражения 50% регистрируют изменение интенсивности отражения нейтронов от эталонного кристалла при угле Брэгга 90°, затем в пучок помещают исследуемый монокристалл и добиваются одновременного выполнения условия Брэгга при угле дифракции 90° для пучка нейтронов, отраженных от кристаллографических плоскостей эталонного и исследуемого кристаллов, затем, изменяя температуру эталонного кристалла, добиваются минимума интенсивности отражения от этого кристалла, определяют величину изменения температуры между эталонным и исследуемым кристаллами Т в минимуме кривой отражения, соответствующую изменению межплоскостных расстояний этих кристаллов на величину d, и, учитывая, что угловая дисперсия при _В=90° близка к нулю, вычисляют относительное изменение межплоскостного расстояния исследуемого кристалла по формуле , где - коэффициент теплового расширения эталонного кристалла, Т - разность температур эталонного и исследуемого кристаллов. Технический результат: повышение точности определения относительного изменения межплоскостных расстояний совершенных монокристаллов при снижении требований к технологии приготовления образцов. 3 ил.

Использование: для определения остаточных и рабочих поверхностных напряжений поликристаллических материалов и параметров их кристаллической решетки. Сущность: облучают исследуемый объект узким пучком радиационного или рентгеновского излучения, выделяют из потока отраженных квантов М участков, регистрируют кванты, попавшие в каждый участок за период облучения, формируют картину распределения отраженных квантов и вычисляют величину определяемого параметра, при этом каждому из М выделенных из потока отраженных квантов участков присваивают однозначно определяемый координатами его пространственного положения среди остальных выделенных участков индивидуальный позиционный код, который при попадании в участок отраженного кванта преобразуют в код его координат, и немедленно используют его для формирования картины распределения отраженных квантов и последующего вычисления остаточных и рабочих поверхностных напряжений поликристаллических материалов и параметров их кристаллической решетки. Технический результат: упрощение и ускорение определения остаточных и рабочих поверхностных напряжений поликристаллических материалов и параметров их кристаллической решетки. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Использование: для определения критерия сопротивления металлов и сплавов хрупкому разрушению. Сущность заключается в том, что определение критерия сопротивления металлов и сплавов хрупкому разрушению осуществляют путем оценки значений локальной концентрации остаточных микронапряжений, локализующихся в микрообластях порядка 1µ, для чего получают на рентгеновском дифрактометре кривую распределения интенсивности интерференционной линии дальних порядков - высоких углов Вульфа-Брегга, проводят линию фона, определяют 2 _max кривой и строят высоту максимума, проводят на середине высоты 2 _max среднюю линию, определяющую ширину интерференционной линии, продолжают верхние боковые ветви с точки пересечения их со средней линией до линии фона, измеряют площади отсеченных периферических участков (S₁ и S₂), а также общую площадь дифрактограммы S_общ., определяют отношение ( %) суммы отсеченных участков к общей площади , характеризующее величину локальной концентрации микронапряжений, которая является структурно-чувствительной характеристикой, причем величину локальной концентрации микронапряжений % определяют предварительно для эталонного состояния материала, и о склонности материала к хрупкому разрушению судят сравнением полученных величин, а за критерий сопротивления исследуемого материала хрупкому разрушению принимают минимальное значение %, характеризующее наиболее равновесное структурное состояние материала. Технический результат: обеспечение возможности определения критерия сопротивления металлов и сплавов хрупкому разрушению рентгеновскими методами. 1 з.п. ф-лы, 8 ил.

Использование: для определения мозаичности кристалла. Сущность заключается в том, что помещают образец в вакуумную камеру, облучают образец потоком остронаправленного рентгеновского излучения и оценивают характерную величину среднего угла мозаичности исследуемого образца n_o по характерной ширине дифракционного пика, при этом мозаичность кристалла определяют по функциям распределения микроблоков мозаичного кристалла по углам мозаичности , _// в двух взаимно перпендикулярных направлениях, для чего образец помещают в вакуумную мишенную камеру, снабженную гониометром, облучают потоком широкополосного рентгеновского излучения, определяют значение угла рассеяния излучения , так, чтобы брэгговская частота _g=g/2sin( /2), в окрестности которой сконцентрирован спектр излучения, рассеянного кристаллографической плоскостью, фиксируемой вектором обратной решетки g, попадала на наиболее пологий участок спектра первичного излучения, после оценки величины среднего угла мозаичности ₀ устанавливают детектор излучения с угловым размером , равным отношению размера детектора к расстоянию между детектором и мишенью, на расстоянии, соответствующем равенству = ₀, измеряют с помощью гониометра ориентационную зависимость числа рассеянных квантов N_g( '), где ' - угол отклонения кристалла от положения брэгговского резонанса, и определяют функцию распределения микроблоков мозаичного кристалла в фиксированной плоскости, затем поворачивают кристалл на 90 градусов вокруг среднего направления вектора обратной решетки и вновь измеряют с помощью гониометра ориентационную зависимость, позволяющую определить функцию распределения микроблоков мозаичного кристалла в перпендикулярной плоскости. Технический результат - обеспечение возможности определения двумерной функции распределения микроблоков мозаичного кристалла по углам мозаичности. 2 ил.

Использование: для определения кристаллографической текстуры осесимметричных заготовок. Сущность: заключается в том, что проводят подготовительный этап получения тарировочных зависимостей, включающий стадию рентгеновского анализа, состоящую из отбора образцов, съемки трех обратных полюсных фигур на площадках образцов, характеризуемых нормалями, направленными вдоль радиуса, вдоль хорды и вдоль оси заготовки, расчета по полученным описаниям полюсных фигур трех параметров анизотропии

f _z, f_r, f , где r, , z характеризуют радиальное, хордовое и осевое направления нормалей, измерения твердости на площадках с нормалями, направленными вдоль радиуса HV_r, вдоль хорды HV , вдоль оси HV_z, расчета безразмерных коэффициентов К_HVr=НV_r/НV_z,

К_HV =НV /HV_z, построения формул тарировочных зависимостей в виде f_r=1/3-b_r(1-K_HVr), f =1/3-b (1-K_HV ), где b_r и b - эмпирические коэффициенты, после чего осуществляют основной этап, состоящий из отбора образцов, измерения твердости в трех ортогональных направлениях на площадках с нормалями, направленными вдоль радиуса HV_r, вдоль хорды HV , вдоль продольной оси HV_z, расчета безразмерных коэффициентов K_HVr=HV_r/HV_z, К_HV =НV /НV_z, расчета двух параметров анизотропии по формулам тарировочных зависимостей, полученных на подготовительном этапе, и расчета третьего параметра анизотропии по формуле f _z=1-f_r-f . Технический результат: упрощение методики определения кристаллографической текстуры. 10 ил.

Использование: для промеров, ориентирования и фиксации минимум одного монокристалла. Сущность: заключается в том, что монокристалл позиционируют для определения ориентации кристаллической решетки с возможностью юстировки на вращающемся столе, и углы нормалей плоскостей кристаллической решетки к оси вращающегося стола устанавливают во время минимум одного оборота вращающегося стола при помощи рентгеноскопии, после чего посредством установленных углов осуществляют ориентирование монокристалла относительно оси вращающегося стола, служащей как основное направление, прежде чем производится фиксация монокристалла и крепление на ориентированном в основном направлении носителе. Технический результат: обеспечение повышенной точности при определении кристаллографической ориентации и ориентированной фиксации независимо от внешней геометрии монокристаллов. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 5 ил.

Использование: для определения концентрации элемента и фазы, включающей данный элемент, в веществе сложного химического состава. Сущность: заключается в том, что осуществляют облучение пробы анализируемого вещества монохроматическим гамма- или рентгеновским излучением, одновременную регистрацию интенсивностей: когерентно рассеянного определяемой фазой первичного излучения и некогерентно рассеянного этой же пробой первичного излучения и установление концентрации определяемой фазы по отношению указанных интенсивностей, при этом одновременно с регистрацией указанных интенсивностей регистрируют интенсивность характеристического излучения определяемого элемента, а концентрацию определяемого элемента в анализируемой пробе устанавливают по отношению интенсивности характеристического излучения определяемого элемента к интенсивности некогерентно рассеянного этой же пробой излучения. Технический результат: создание высокоточного и высокоэкспрессного способа определения концентраций элемента и фазы, включающей данный элемент, в веществах сложного химического состава.

Использование: для определения магнитных и структурных характеристик наномерных пространственно упорядоченных систем. Сущность заключается в том, что при определении магнитных и структурных характеристик наномерных пространственно упорядоченных систем в месте взаимодействия образца с пучком нейтронов в плоскости пучка прикладывают внешнее магнитное поле параллельно или перпендикулярно направлению распространения пучка нейтронов, величину внешнего магнитного поля последовательно изменяют от нулевого до максимального значения и обратно, зависимость интенсивности рассеяния нейтронов от угла рассеяния во внешнем магнитном поле измеряют с помощью позиционно чувствительного детектора, определяют суммарную и разностную зависимости угловых интенсивностей рассеяния нейтронов с противоположной ориентацией спинов для параллельной и перпендикулярной компонент от величины внешнего магнитного поля относительно интенсивности рассеяния в отсутствии внешнего магнитного поля, по гистерезисному виду суммарной и разностной зависимостей интенсивностей рассеяния нейтронов определяют магнитные свойства и характер перемагничивания образца. Технический результат - одновременное получение магнитных и структурных характеристик пространственно упорядоченных магнитных наноструктур. 8 з.п. ф-лы, 2 ил.

Использование: для фокусировки синхротронного излучения. Сущность: заключается в том, что осуществляют последовательное брэгговское отражение пучка СИ от кристаллического монохроматора и полное внешнее отражение (ПВО) от фокусирующего зеркала с постоянными радиусом цилиндрической поверхности R и расстоянием между зеркалом и фокусом q при установке монохроматора под брэгговским углом _м к пучку, зеркала - под углом , не превышающим критический угол ПВО зеркала, при этом угол наклона зеркала к пучку и брэгговский угол монохроматора _м устанавливают согласно формулам:

=2q/R[1+q(P₀/b+1₀)^-1],

tg _м=qtg ₀(p₀/b+1₀)^-1 ,

где р₀ - расстояние между источником излучения и монохроматором, l₀ - расстояние между монохроматором и зеркалом, b - фактор асимметрии монохроматора, ₀ - брэгговский угол, соответствующий выбранному рефлексу исследуемого образца. Технический результат: обеспечение возможности управления дисперсией сфокусированного рентгеновского пучка (синхротронного излучения) и, как следствие, обеспечение бездисперсионной дифракции рентгеновских лучей (синхротронного излучения) на образце. 2 ил.

Использование: для измерения упругих макронапряжений в поверхностном слое поликристаллических материалов. Сущность: заключается в том, что осуществляют облучение рентгеновскими лучами с выбранными параметрами поверхности объекта контроля с фиксацией дифракционной картины лучей на экране компьютера, затем рентгеновскими лучами с теми же параметрами облучают измерительный образец с известными равнопеременными упругими напряжениями по его длине, дифракционную картину от которого накладывают на дифракционную картину от объекта контроля, и перемещают измерительный образец под рентгеновскими лучами до тех пор, пока дифракционные картины полностью не совпадут, после чего на торце измерительного образца у положения пятна рентгеновского луча считывают величину макронапряжений. Технический результат: повышение точности и скорости измерения упругих макронапряжений непосредственно в стандартных единицах измерений. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Использование: для определения величины угла хиральности на электронно-дифракционных картинах кристаллов с трубчатой структурой. Сущность: заключается в том, что используют один произвольный рефлекс (hk0) и измеряют расстояние S_hk0 (мм) между экваториальной линией электронограммы и параллельной ей слоевой линией, на которой лежит рефлекс (hk0), а затем рассчитывают угол хиральности из формулы

где

С (Å·мм) - постоянная электронного микроскопа,

h и k - индексы рефлекса,

а и b - ребра элементарной ячейки кристаллического вещества трубки,

- угол между а и b,

* - угол между а* и b* в обратной решетке.

Технический результат: расширение области применения способа к кристаллам с трубчатой структурой, повышение точности определения углов на электронограмме, снижение количества необходимых для измерения угла рефлексов с двух до одного, увеличение количества пригодных для измерения угла хиральности рефлексов. 2 ил.

Использование: для определения наноскопических дефектов в структуре материала. Сущность: заключается в том, что на сухой исследуемый образец материала направляют пучок нейтронов и измеряют распределение интенсивности малоуглового рассеяния, причем при измерении распределения интенсивности малоуглового рассеяния от образца материала определенной массы используют пучок нейтронов с широким спектром по длинам волн, дополнительно погружают исследуемый образец сухого материала определенной массы в раствор смеси тяжелой воды и легкой воды, подбирая такую концентрацию тяжелой воды, при которой исчезает контраст рассеяния от поверхности частиц исследуемого образца материала, и проводят измерения малоуглового рассеяния нейтронов при установленных условиях, по которому судят о внутренних наноскопических дефектах частиц образца материала, а по разнице интенсивностей малоуглового рассеяния сухого материала и материала в смеси тяжелой и легкой воды определяют вклад наружных наноскопических дефектов, причем эти измеренные интенсивности малоуглового рассеяния нормируют на данные для стандартного образца воды толщиной 1 мм при температуре 20°С известного сечения, после чего получают сечения (d /d ) для внутренних и наружных наноскопических дефектов в абсолютных единицах в расчете на грамм вещества, после чего, используя функцию Порода, определяют отдельно площади внутренних и внешних дефектов. Технический результат: обеспечение возможности определения площади наружных и внутренних дефектов в исследуемой структуре дисперсного материала. 2 ил.

Предложенное изобретение относится к рентгеновским дифрактометрам для неразрушающих испытаний объектов, которые не могут быть смещены из их исходного местоположения. Данное изобретение решает такую задачу, как возможность использовать дифрактометр без перемещения исследуемого объекта, а также возможность регистрации его механических напряжений. Предложенный дифрактометр содержит основание; аналитический прибор, источник пучка излучения, детектор пучка излучения, оси которых сходятся в центре дифрактометра; средства для обеспечения перемещения указанного аналитического прибора в пространстве, поддерживающий аналитический прибор кронштейн, установленный с возможностью вращения, а также вертикального перемещения указанного аналитического прибора с обеспечением возможности изменения положения центра дифрактометра в пространстве; средства для обеспечения вращения указанных источника и детектора вокруг указанного центра дифрактометра так, чтобы оси источника и детектора пучка излучения находились в экваториальной плоскости, будучи зафиксированными относительно указанного аналитического прибора; конструкцию поддержания и перемещения указанного аналитического прибора; средство для обеспечения перемещения указанного аналитического прибора относительно указанной конструкции поддержания и перемещения так, чтобы указанный аналитический прибор мог вращаться вокруг экваториальной оси, находящейся в указанной экваториальной плоскости и проходящей через центр дифрактометра. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 5 ил.