Исследование или анализ материалов радиационными методами, не отнесенными к группе  ,21/00 или  ,22/00, например с помощью рентгеновского излучения, нейтронного излучения: ..средствами дифрактометрии с использованием детекторов, например с использованием различающего спектр кристалла или анализируемого кристалла, расположенного в центре, и одного или нескольких детекторов, перемещаемых по окружности – G01N 23/207

Изобретение относится к использованию мягкого рентгеновского излучения для исследования сверхгладких оптических поверхностей и многослойных элементов, в частности для аттестации оптических элементов дифракционного качества. Устройство содержит установленные на плите трехкоординатный прецизионный стол с размещенными на нем рентгеновской трубкой, излучающей в мягком рентгеновском диапазоне, и ионным источником для чистки мишени, камеру монохроматора с установленными в ней монохроматором и монитором интенсивности зондирующего пучка, и камеру для исследуемых образцов с размещенным в ней пятиосным гониометром. Камера монохроматора и камера для исследуемых образцов соединены между собой через первый шибер, в качестве монохроматора использован сферический объектив Шварцшильда, камера монохроматора соединена с магниторазрядным насосом, а камера для исследуемых образцов через второй шибер последовательно соединена с турбомолекулярным и форвакуумным безмасляным насосами, соответственно. Технический результат - повышение интенсивности квазипараллельного пучка мягкого рентгеновского излучения на исследуемом образце и возможность изучения шероховатости образцов с криволинейной формой поверхности. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Использование: для определения зарядового состояния атомов в субнанослойных пленках на поверхности металлов и полупроводников. Сущность: заключается в том, что поверхность анализируемого объекта облучают ионами инертных газов низких энергий, регистрируют энергетический спектр отраженных ионов от поверхности, измеряют энергетическое положение и величины пиков адатомов субнанослойной пленки и пиков атомов адсорбента (подложки) в энергетическом спектре отраженных ионов, по энергетическому положению пиков в спектре определяют типы адатомов и атомов подложки, затем такие измерения проводят на тест-объекте с различными концентрациями адатомов в пределах от чистой поверхности адсорбента (подложки) до одного моноатомного слоя, далее определяют зависимости величин пиков тест-подложки и адатомов от концентрации адатомов, по отношениям величин пиков адатомов и подложки анализируемого объекта и тест-объекта соответственно определяют концентрацию адатомов на поверхности анализируемого объекта, затем с использованием спектров для чистых массивных материалов подложки и адатомов по линейной экстраполяции определяют величины пиков для найденных концентраций, затем по отношениям измеренных пиков адатомов и подложки анализируемого объекта к линейно-экстраполированным величинам пиков определяют зарядовое состояние адатомов и атомов подложки (адсорбента). Технический результат: уменьшение глубины анализируемого слоя и повышение достоверности результатов анализа. 4 ил.

Использование: для выполнения рентгеновского анализа образца. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют облучение образца рентгеновскими лучами из полихромного источника рентгеновского излучения; используют комбинированное приспособление для регистрации XRD и XRF, содержащее сканирующий селектор длины волны и по меньшей мере один детектор рентгеновского излучения, предназначенный для регистрации рентгеновских лучей, выбранных селектором длины волны; и выполняют XRD-анализ образца путем выбора по меньшей мере одной фиксированной длины волны рентгеновских лучей, дифрагированных образцом, с использованием сканирующего селектора длины волны и регистрации рентгеновских лучей с выбранной фиксированной длиной волны (длинами волн) на одном или нескольких значениях угла дифракции на образце с использованием детектора (детекторов) рентгеновского излучения; и/или выполняют XRF-анализ образца путем сканирования длин волн рентгеновских лучей, испускаемых образцом, с использованием сканирующего селектора длины волны и регистрации рентгеновских лучей со сканированными длинами волн с использованием детектора (детекторов) рентгеновского излучения. Технический результат: повышение чувствительности при рентгеновском анализе образца. 2 н. и 22 з.п. ф-лы, 16 ил.

Использование: для количественного определения фазового состава портландцементных клинкеров. Сущность: заключается в том, что предварительно изготавливают аншлиф из исследуемого портландцементного клинкера, по которому визуально под микроскопом выявляют присутствующие в аншлифе фазы, после чего фазовые составы сравнивают и осуществляют корректировку фазового состава, который получен по рентгендифракционному спектру, по тем фазам, которые выявлены в наименьших количествах, затем определяют соотношение двух моноклинных модификаций алита, который содержится в исследуемом клинкере в наибольшем количестве, путем анализа асимметрии наложенных отражений в интервале углов 2 _Cu=31,5-33°, после чего методом Ритвельда определяют количественное содержание всех обнаруженных фаз, последовательно сначала по одной моноклинной модификации алита, затем по его второй моноклинной модификации, после чего определяют количественное содержание всех фаз в исследуемом клинкере в интервале между их средним содержанием и содержанием, полученным по моноклинной модификации алита, присутствующей в большем количестве. Технический результат: повышение точности, достоверности и информативности количественного определения фазового состава портландцементных клинкеров. 1 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 табл., 2 пр.

Использование: для рентгенодифракционного анализа. Сущность: заключается в том, что установка рентгеновской дифракции включает зеркало (18), имеющее отражательную поверхность (19), которая сформирована так, чтобы угол в плоскости, параллельной плоскости дифракции, между тангенциальной линией (38) отражательной поверхности (19), в любой точке на отражательной поверхности (19), и линейным отрезком (36), соединяющим любую точку и образец (26), стал постоянным, и плоскость кристаллической решетки, которая обуславливает отражение, была параллельна отражательной поверхности (19) в любой точке на отражательной поверхности (19); рентгеновский детектор (20) является одномерным, позиционно-чувствительным в плоскости, параллельной плоскости дифракции; и относительное взаимное расположение зеркала (18) и рентгеновского детектора (20) определено в плоскости, параллельной плоскости дифракции так, чтобы отраженные рентгеновские лучи (40) от различных точек на отражательной поверхности (19) зеркала (18) достигали различных точек на детекторе (20) рентгеновского излучения соответственно. Технический результат: обеспечение лучшего углового разрешения, незначительного снижения интенсивности рентгеновских лучей, а также упрощение конструкции. 4 н. и 9 з.п. ф-лы, 14 ил., 6 табл.

Использование: для структурной диагностики полупроводниковых многослойных структур. Сущность заключается в том, что осуществляют сканирование образца в условиях брэгговского отражения с использованием -метода в пошаговом режиме рентгеновской дифрактометрии, при этом для многослойных гетероструктур AlGaN/GaN с нанометровыми слоями используют рентгеновскую однокристальную дифрактометрию мощностью 5-15 Вт с немонохроматическим, квазипараллельным пучком рентгеновских лучей и позиционно-чувствительным детектором с угловой шириной окна 10-15°, причем сначала фиксируют рентгеновскую трубку в положении брэгговского отражения для кристаллографической плоскости (0002) слоя GaN, затем проводят сканирование образцов путем наклона рентгеновской трубки в угловых диапазонах, лежащих слева и справа от основного интерференционного максимума (0002) слоя GaN и включающих в себя все интерференционные максимумы структур Al_xGa_(1-x)N/GaN, где x от 0,1 до 0,9, а пошаговое сканирование проводят, выставляя рентгеновскую трубку последовательно в угловые положения, соответствующие максимальному отражению для каждого мелкого пика с записью дифрактограмм при одинаковой экспозиции для всех мелких пиков, а время экспозиции составляет 30-100 сек. Технический результат: обеспечение возможности разрешения интерференционных пиков, соответствующих отдельным нанометровым слоям полупроводниковых структур, а также обеспечение возможности использования маломощной аппаратуры. 3 н.п. ф-лы, 3 табл., 6 ил.

Использование: для облучения контролируемых объектов и регистрации радиации. Сущность заключается в том, что подвижное устройство для облучения и регистрации радиации содержит источник нейтронов или источник нейтронов в сочетании с другими источниками излучения, систему роботов и подвижную поверхность (10), соединенную с главным валом (11), который приводится в движение механическим, электрическим или ручным способом, а также поднимает и опускает соединенную с ним первую платформу (12), на которой установлена вторая платформа (13), причем вторая платформа (13) выполнена с возможностью перемещения путем скольжения относительно платформы (12) в направлении осей х и у с помощью механических редукторов и направляющих, которые управляются ручным или электрическим способом, причем система роботов содержит три робота, размещенных на второй платформе (13) с возможностью перемещения по заданной траектории и реализации виртуального гониометра, при этом при перемещении роботов по заданной траектории система роботов создает условия для наблюдения с различных позиций излучения, выходящего из облученного должным образом образца, подвижного или установленного неподвижно. Технический результат: обеспечение возможности высокой подвижности устройства, а также обеспечение возможности проведения исследований везде, где это необходимо, используя любой необходимый источник излучения. 3 н. и 14 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области рентгенографических способов исследования тонкой структуры и может быть использовано для неразрушающего контроля внутренних напряжений с целью выявления признаков опасности развития хрупкого разрушения металлических деталей и изделий. Способ определения локальной концентрации остаточных микронапряжений в металлах и сплавах, локализующихся в микрообластях порядка 1 микрона, заключается в том, что на рентгеновском дифрактометре для исследуемого материала получают кривую распределения интенсивности интерференционной линии индексов дальних порядков - высоких углов Вульфа-Брегга либо в режиме счета по точкам, либо в режиме записи дифрактограмм. Проводят обработку дифрактограммы: проведение линии фона, определение положения точки 2 _mах и проведение средней линии. Затем измеряют площади отсеченных периферических участков S₁ и S ₂ и общую площадь дифрактограммы S_общ. Затем с помощью выражения

определяют отношение %, являющееся величиной локальной концентрации остаточных микронапряжений. Заявленное техническое решение направлено на оценку величины локальной концентрации остаточных микронапряжений, на основании которой определяют склонность сталей и сплавов к хрупкому разрушению, а также ресурс деталей и изделий. 10 ил.

Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано для изготовления емкостей сжиженных газов, низкотемпературного и криогенного оборудования, установок для получения сжиженных газов, оболочек ракет и емкостей для хранения ракетного топлива из стали 01Х18Н9Т. Стальной лист подвергают воздействию проникающей радиации. Интегральная ширина рентгеновской линии 111, измеренная на характеристическом излучении СоК с вероятностью перекрытия 2,18·10^-5 , составляет 0,204±0,003 углового градуса. Увеличивается предел текучести стали 01Х18Н9Т. 8 табл.

Предложенное изобретение относится к рентгеновским дифрактометрам для неразрушающих испытаний объектов, которые не могут быть смещены из их исходного местоположения. Данное изобретение решает такую задачу, как возможность использовать дифрактометр без перемещения исследуемого объекта, а также возможность регистрации его механических напряжений. Предложенный дифрактометр содержит основание; аналитический прибор, источник пучка излучения, детектор пучка излучения, оси которых сходятся в центре дифрактометра; средства для обеспечения перемещения указанного аналитического прибора в пространстве, поддерживающий аналитический прибор кронштейн, установленный с возможностью вращения, а также вертикального перемещения указанного аналитического прибора с обеспечением возможности изменения положения центра дифрактометра в пространстве; средства для обеспечения вращения указанных источника и детектора вокруг указанного центра дифрактометра так, чтобы оси источника и детектора пучка излучения находились в экваториальной плоскости, будучи зафиксированными относительно указанного аналитического прибора; конструкцию поддержания и перемещения указанного аналитического прибора; средство для обеспечения перемещения указанного аналитического прибора относительно указанной конструкции поддержания и перемещения так, чтобы указанный аналитический прибор мог вращаться вокруг экваториальной оси, находящейся в указанной экваториальной плоскости и проходящей через центр дифрактометра. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 5 ил.

Использование: для определения наличия кристаллических и поликристаллических материалов предмета в объектах, преимущественно в багаже. Сущность изобретения заключается в том, что коллимационно-детекторная система выполнена регулируемой по высоте относительно источника рентгеновского излучения и оба они вместе выполнены регулируемыми по положению в продольном и соответственно боковом направлениях. В коллимационно-детекторной системе предпочтительно предусмотрены лишь по одному коллиматору и детектору. Коллиматор имеет конически расширяющуюся круговую щель, воспроизводящую заданный угол _М хода лучей рассеянного излучения. Технический результат: повышение скорости определения наличия в объекте кристаллических и поликристаллических материалов. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Использование: для определения неразрешенных предметов багажа. Сущность изобретения заключается в том, что предлагается целенаправленно контролировать предмет лишь в одной локальной зоне (G_M ). С этой целью детекторное устройство подразделяют на более низкую и более высокую ступени контроля. На более низкой ступени контроля определяют координаты локальной зоны (G_M), на которую затем на более высокой ступени контроля наводят электронограф. При этом с использованием рентгенодифракционного анализа можно, в частности, определять материал взрывчатого вещества предмета в объекте. Электронограф состоит из коллимационно-детекторной системы, которая выполнена регулируемой по высоте и в боковом направлении на более высокой ступени контроля, и согласованного с ней, регулируемого по положению в боковом направлении источника рентгеновского излучения. Коллимационно-детекторная система имеет предпочтительно лишь один коллиматор и один детектор. Коллиматор имеет конически расширяющуюся круговую щель, воспроизводящую заданный угол _M рассеянного излучения. Технический результат: повышение скорости автоматического обнаружения не разрешенных к провозу предметов багажа. 2.н. и 11 з.п. ф-лы, 4 ил.