Исследование или анализ материалов с помощью электрических, электрохимических или магнитных средств: ...ионно-селективные полевые транзисторы или химические полевые транзисторы – G01N 27/414
Патенты в данной категории
СЕЛЕКТИВНЫЙ ДЕТЕКТОР МОНООКСИДА УГЛЕРОДА
Изобретение относится к селективному детектору монооксида углерода. Предложен детектор монооксида углерода, который базируется на двух чувствительных слоях. Второй чувствительный слой является каталитически активным и реагирует равным образом на спирты, в частности этанол, и на монооксид углерода. Первый чувствительный слой каталитически неактивен и поэтому реагирует не на монооксид углерода, а только на этанол. Из сравнения сигналов от обоих слоев можно судить о концентрации монооксида углерода. Оба чувствительных слоя реализованы как однотипные металлооксидные слои, причем для каталитически активного слоя предусмотрен дополнительный слой с катализатором, таким как палладий. Альтернативно можно также использовать два разных слоя, из которых один является каталитически активным и без дополнительного слоя. Изобретение обеспечивает надежное детектирование монооксида углерода в присутствии спиртов. 2 н. и 16 з.п. ф-лы, 4 ил. |
2493559 патент выдан: опубликован: 20.09.2013 |
|
ДАТЧИК ДЛЯ ОБНАРУЖЕНИЯ И/ИЛИ ИЗМЕРЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЗАРЯДОВ И ЕГО ПРИМЕНЕНИЯ
Изобретение относится к измерительной технике. Сущность изобретения: датчик для обнаружения и/или измерения концентрации электрических зарядов, содержащихся в среде, содержит структуру полевого транзистора, включающую мостик, формирующий затвор и проходящий над активным слоем, размещенным между областями стока и истока. На мостик подается напряжение затвора, имеющее заданное значение. Между мостиком и активным слоем или изолирующим слоем, осажденным на активном слое, размещается зона так называемого воздушного зазора, имеющего заданную высоту. В воздушном зазоре создается электрическое поле Е, напряженность которого определяется как отношение напряжения на затворе к высоте воздушного зазора. Напряженность электрического поля, созданного в воздушном зазоре, имеет величину, равную заданному пороговому значению 50000 В/см и более, которое достаточно для того, чтобы электрическое поле Е воздействовало на распределение электрических зарядов, имеющихся в среде и присутствующих в воздушном зазоре, и обеспечивало высокую чувствительность датчика, достигаемую в результате накопления электрических зарядов на активном слое, при этом поверхность мостика покрыта изолирующим материалом. Техническим результатом изобретения является создание датчика, используемого в газовой или в жидкой среде и имеющего более высокую чувствительность. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 5 ил. |
2398222 патент выдан: опубликован: 27.08.2010 |
|
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ АКТИВНОСТИ ИОНОВ В РАСТВОРАХ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Использование в измерительной технике, а именно в ионометрии, может быть применено в системах экологического мониторинга. Технический результат изобретения - повышение точности определения активности ионов в растворе. Сущность изобретения: в способе измерения активности ионов в растворах, состоящем в компенсации изменений напряжения сток-исток индикаторного ионоселективного полевого транзистора, вызванных отклонением потенциала ионоселективной мембраны, дополнительно измеряют температуру вспомогательного электрода, и в соответствии с математической моделью физико-химических процессов в измерительной ячейке находится искомая активность ионов. Устройство измерения активности ионов в растворах, содержащее вспомогательный электрод и индикаторный ионоселективный полевой транзистор, датчик температуры ионоселективной мембраны, помещаемые в исследуемый раствор, два операционных усилителя, резистор, три источника тока, источник напряжения, коммутатор, второй усилитель, аналого-цифровой преобразователь, блок управления, индикаторное устройство, дополнительно содержит датчик температуры вспомогательного электрода. 2 н.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл.
|
2244917 патент выдан: опубликован: 20.01.2005 |
|
ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ДАТЧИК Использование: в газовой, угольной и других областях промышленности для регистрации водорода и газов метановой группы. Сущность: в газочувствительном датчике полевой транзистор расположен на диэлектрическом слое, сформированном на поверхности монокристаллического кремния. Затвор полевого транзистора снабжен двумя контактами для обеспечения его электрического нагрева до температуры разложения газов метановой группы. При этом затвор может быть выполнен из каталитически активного материала, области стока и истока - из силицида платины, область канала - из силицида железа. Датчик может содержать дополнительные нагреватели из материала, являющегося катализатором разложения газов метановой группы. Технический результат изобретения заключается в уменьшении энергопотребления, повышении воспроизводимости параметров и улучшении технологичности изготовления датчика. 4 з.п. ф-лы, 2 ил. | 2196981 патент выдан: опубликован: 20.01.2003 |
|
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ АКТИВНОСТИ ИОНОВ В РАСТВОРАХ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Изобретение относится к измерительной технике, а именно к ионометрии, и может быть применено в системах экологического мониторинга. Технический результат изобретения - повышение точности определения активности ионов в растворе. Сущность изобретения: способ измерения активности ионов в растворах, включая компенсацию изменений напряжения сток-исток ионоселективного полевого транзистора, вызванных отклонением потенциала ионоселективной мембраны, дополнительное измерение температуры на поверхности ионоселективной мембраны полевого транзистора и в соответствии с математической моделью физико-химических процессов в измерительной ячейке нахождение искомой активности ионов. Также предложено устройство измерения активности ионов в растворах. 2 с.п. ф-лы, 4 ил. | 2188411 патент выдан: опубликован: 27.08.2002 |
|
ЗАЩИТА ОТ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО РАЗРЯДА ДАТЧИКОВ НА ИОННО- СЕЛЕКТИВНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ Использование: производство микросхем, обеспечивающих защиту приборов для избирательного измерения ионов в жидкостях, от электростатических разрядов. Сущность изобретения: представлены способ, устройство и технология изготовления микросхемы, которые обеспечивают защиту от электростатического разряда (ЭСР) для основанного на ионно-селективном полевом транзисторе (ИСПТ) прибора (250), используемого для избирательного измерения ионов в жидкости (299). В соответствии с одним аспектом изобретения схема защиты от ЭСР, сделанная из обычных защитных элементов (201, 202, 206), объединена на том же кремниевом кристалле, на котором сформирован ИСПТ (250), наряду с устройством сопряжения (203), которое находится в контакте с измеряемой жидкостью (299), и которое не открывает путей для токов утечки постоянного тока между ИСПТ (250) и жидкостью (299). В соответствии с предпочтительным вариантом осуществления изобретения в качестве устройства сопряжения между защитной схемой (201, 202 и 206) и образцом жидкости (299) используется структура конденсатора. Следующие аспекты изобретения направлены на способы, предназначение, по существу, для обеспечения зашиты от ЭСР ИСПТ-датчиков, использующих упомянутое выше средство сопряжения (203), например структуру конденсатора, и процессы, предназначенные для изготовления нового устройства сопряжения на кремниевой пластине. Техническим результатом изобретения является обеспечение защиты от электростатического разряда, при одновременном исключении трудностей создания металлического электрода, предназначенного для надежного низкоимпедансного контакта с жидкостью. 7 с. и 12 з.п.ф-лы, 4 ил. | 2134877 патент выдан: опубликован: 20.08.1999 |
|
ИОНОСЕЛЕКТИВНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР Использование: полупроводниковые датчики для определения различных химических веществ в растворах потенциометрическими методами анализа в медицине, биологии, сельском хозяйстве, а также в системах контроля окружающей среды. Сущность изобретения: ионоселективный полевой транзистор, включающий монокристаллическую подложку с расположенными на ней затвором, содержащим последовательно нанесенные слои диоксида кремния и пентоксида тантала, и ионочувствительной мембраной, пластифицированной в поливинилхлоридной матрице, дополнительно содержит промежуточный слой полимерного соединения толщиной 1 - 3 мкм, выбранного из класса гребнеобразных полимеров на основе полиалкилметакрилатов или полиалкилакрилатов с длиной алкильной цепочки C10-C22, при этом промежуточный слой расположен между слоем пентоксида тантала затвора и ионоселективной мембраной. 1 ил., 1 табл. | 2097755 патент выдан: опубликован: 27.11.1997 |
|